1.一种基于电容的非易失性存储器，其特征在于，所述存储器包括：
磁感应元件，用于检测磁场；
信号处理电路，用于放大、滤波和做判断；
寄存器，用于存储信号处理电路的输出信号SOUT；
读写控制逻辑，用于产生更新寄存器和电容的各个控制信号；
时钟发生电路，用于产生信号处理电路和读写控制逻辑需要的时钟信号；
电源检测电路，用于通过产生的复位信号POR将寄存器的状态在芯片上电时固定地置为低电平，之后由系统时钟CLK定期根据输出信号SOUT的状态刷新；当芯片掉电后重新上电时，由于内部没有能保持寄存器状态的NVM，芯片的寄存器和输出将总是被重置为低电平；
电容Cs，用于保存芯片内部寄存器的状态；当芯片正常供电时，电容上的电压会根据寄存器的状态定时地被更新为高电平或低电平；当芯片掉电时，由于电容具有存储电荷的能力，其上面的电压不会在短时间内消失；当芯片重新上电时，芯片根据电容上的电压恢复其内部寄存器掉电前的状态；
电容NVM接口电路，电容NVM接口电路包括：输出驱动电路、比较器、读写控制开关Ms；输出驱动电路、比较器、电容分别连接读写控制开关Ms；读写控制开关Ms为NMOS开关Ms；MOS开关Ms的源端连接电容Cs，漏电极连接输出驱动器和比较器；反映内部寄存器的状态信号DO连接驱动器的输入，反映电容的状态信号DI连接比较器的输出；NMOS开关Ms在需要对电容进行刷新时导通，由信号WR控制；在无电保持状态，由于漏电流的存在，电容上的电荷会慢慢流失，电压会慢慢下降；Vcmp为预设的最低检测电平，当电容上残留的电压大于Vcmp，其状态被判定为高，否则为低。
2.一种基于电容的非易失性存储器，其特征在于，所述存储器包括：
寄存器，用于存储信号处理电路的输出信号SOUT；
读写控制逻辑，用于产生更新寄存器和电容的各个控制信号；
时钟发生电路，用于产生信号处理电路和读写控制逻辑需要的时钟信号；
电源检测电路，用于通过产生的复位信号POR将寄存器的状态在芯片上电时固定地置为低电平，之后由系统时钟CLK定期根据输出信号SOUT的状态刷新；当芯片掉电后重新上电时，由于内部没有能保持寄存器状态的NVM，芯片的寄存器和输出将总是被重置为低电平；
电容，用于保存芯片内部寄存器的状态；当芯片正常供电时，电容上的电压会根据寄存器的状态定时地被更新为高电平或低电平；当芯片掉电时，由于电容具有存储电荷的能力，其上面的电压不会在短时间内消失；当芯片重新上电时，芯片根据电容上的电压恢复其内部寄存器掉电前的状态；
电容NVM接口电路，电容NVM接口电路包括：输出驱动电路、比较器、读写控制开关Ms；输出驱动电路、比较器、电容分别连接读写控制开关Ms。
3.根据权利要求2所述的基于电容的非易失性存储器，其特征在于：
所述读写控制开关Ms为NMOS开关Ms；反映内部寄存器的状态信号DO连接驱动器的输入，反映电容的状态信号DI连接比较器的输出；NMOS开关Ms在需要对电容进行刷新时导通，由信号WR控制；在无电保持状态，由于漏电流的存在，电容上的电荷会慢慢流失，电压会慢慢下降；Vcmp为预设的最低检测电平，当电容上残留的电压大于Vcmp，其状态被判定为高，否则为低。
4.根据权利要求2所述的基于电容的非易失性存储器，其特征在于：
所述存储器包括磁感应元件、信号处理电路；磁感应元件用于检测磁场；信号处理电路用于放大、滤波和做判断。
5.根据权利要求2所述的基于电容的非易失性存储器，其特征在于：
所述读写控制开关Ms为NMOS开关Ms；
反映内部寄存器的状态信号DO连接驱动器的输入，反映电容的状态信号DI连接比较器的输出；
NMOS开关Ms在需要对电容进行刷新时导通，由信号WR控制；在无电保持状态，由于漏电流的存在，电容上的电荷会慢慢流失，电压会慢慢下降；Vcmp为预设的最低检测电平，当电容上残留的电压大于Vcmp，其状态被判定为高，否则为低。
6.根据权利要求2所述的基于电容的非易失性存储器，其特征在于：
ESD保护电路包括栅极接地型NMOS钳位电路，作为ESD保护；避免使用PMOS器件以去除从Cs端口到VDD的寄生二极管。
7.根据权利要求2所述的基于电容的非易失性存储器，其特征在于：
所述寄存器为带有复位功能的D-触发器。