技术特征：
技术总结
公开一种非易失性存储器装置及其编程验证操作的方法。所述非易失性存储器装置可包括：单元阵列、第一页缓冲器以及第二页缓冲器。第一页缓冲器可连接到单元阵列的第一存储器单元，并且可存储在编程验证操作期间通过感测第一存储器单元的编程操作是否完成而生成的第一感测数据。第二页缓冲器可连接到单元阵列的第二存储器单元。在编程验证操作期间，第二页缓冲器可基于通过感测第二存储器单元的编程操作是否完成而生成的第二感测数据来生成并存储第一验证数据，可从第一页缓冲器接收第一感测数据，并且可存储通过累积第一感测数据和第一验证数据而生成的第二验证数据。
技术研发人员：任琫淳;尹硕珉;沈相元
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2017.03.21
技术公布日：2017.10.03