技术特征：
技术总结
抗辐射存储单元，涉及集成电路领域，具体为集成电路抗辐射加固领域中的抗单粒子翻转效应的存储单元设计领域。解决了辐射粒子使得存储器存储的信息翻转，从而降低存储器可靠性的问题。本发明针对单粒子翻转效应，利用切断反馈回路的方法，提高了存储单元的抗辐射能力。在本发明中，主要是采用了16个晶体管设计了一个新型抗单粒子翻转的存储单元来进行抗辐射的加固。本发明所述的存储单元主要用于充满辐射粒子的宇宙环境中。
技术研发人员：郭靖;朱磊;黄海;刘文怡;熊继军
受保护的技术使用者：中北大学;齐齐哈尔大学;哈尔滨理工大学
技术研发日：2017.06.09
技术公布日：2017.10.10