专利名称：磁变电阻效应型磁头及其制造方法
技术领域：
本发明涉及磁变电阻效应型磁头及其制造方法。
众所周知，能够以高的灵敏度从磁记录媒体上读取数据的磁头是用磁变电阻效应膜的磁变电阻效应型磁头。磁变电阻效应型磁头利用磁变电阻效应膜的电阻随磁记录媒体的磁化方向而变化的效应来把记录媒体上的磁信号变换成为电信号。
在磁变电阻效应型磁头中，配置软磁性膜(下称偏磁膜)邻接磁变电阻效应膜，通过该软磁性膜把横偏磁磁场加在磁变电阻效应膜上，从而提高磁变电阻效应膜的灵敏度，这种结构已经公知。这个偏磁膜虽然由非磁性层与磁变电阻效应膜磁性隔离，但是很难与磁变电阻效应膜电绝缘。因此，磁变电阻效应膜和偏磁膜形成电的并联回路。这样，为了使磁变电阻效应型磁头的输出增大，就必须更加增大偏磁膜的电阻。而且为了把足够大的横偏磁磁场加在磁变电阻效应膜上，偏磁膜还必须由矫顽力小且具有某种程度大的饱和磁通密度的材料构成。
日本实开昭60-159518号说明书中公开了把偏磁膜作为非晶质软磁性膜的磁变电阻效应型磁头。
在日本特开昭60-170213号公报中公开了一种把化合物添加到金属磁性合金中的磁性薄膜，这种薄膜含有铁、钴和镍中至少一种以上的合金以及与氧的亲和力比这些金属更大的金属的部分氧化物。该文件中说明这种薄膜垂直于基板方向的矫顽力大。
另外，在日本特开昭63-164406中公开了一种单一相的磁头磁极用磁性薄膜，这是一种含有镍-铁合金和不会生成沉淀物同时又能蒸镀的金属与非金属构成的化合物的组成物。该文件中说明由于用这种磁性薄膜作成磁极片，从而提高了磁极的耐磨性。
如上所述，偏磁膜必须是电阻大、矫顽力小但要有相当程度大的饱和磁通密度的材料。而且，因为横偏磁磁场是决定磁变电阻效应型磁头灵敏度和重放波形线性的重要参数，所以偏磁膜的磁特性的变动必须很小，但横偏磁磁场的大小不能变。
用非晶质膜作偏磁膜的情况下，如所公知，由于非晶质膜的电阻大，可期望磁头的重放电压提高。但是，因为非晶质状态本质上是一种准稳态，所以非晶质膜的磁特性随施加强磁场以及温度的上升易发生变化。因此，若采用非晶质合金膜作偏磁膜，在磁头的加工过程中由于施加强磁场以及温度的上升而引起磁特性、的变化，就很难使磁头的磁特性稳定。
特开昭60-170213中所记载的磁性薄膜是垂直方向矫顽力大的磁性薄膜，不能把这里所述的磁性薄膜用作偏磁膜。
而日本特开昭63-164406中记载的磁性薄膜是磁头的磁极用的耐磨损性薄膜，从磁特性方面考虑很宜于作偏磁膜，但是该文件并未述及这种薄膜的电阻。
本发明的目的是提供一种用高电阻的软磁性膜作为磁头的偏磁膜，且输出大的磁变电阻效应型磁头。
为实现上述目的，按照本发明的磁变电阻效应型磁头设置有由磁场来改变电阻的磁变电阻效应膜、使前述磁变电阻效应膜上流过电流的一对电极和为把横偏磁磁场加在前述磁变电阻效应膜上的软磁性膜，其特征在于前述软磁性膜由含有铁、钴和镍中至少一种元素的金属中分散有化合物构成的粒子的材料形成，前述化合物至少是下列化合物中的一种氧化锆、氧化铝、氧化铪、氧化钛、氧化铍、氧化镁、稀土类氧化物、氮化锆、氮化铪、氮化铝、氮化钛、氮化铍、氮化镁、氮化硅以及稀土类氮化物。
软磁性膜所含的化合物的量按化合物除氧或氮之外的原子对软磁性膜的除氧或氮之外的全部原子的比例最好是3％至20％。这是因为化合物的量低于3％，电阻的增加太小，而超过20％则饱和磁通密度降低，都不适于做为软磁性膜。
本发明的软磁性膜的比电阻大体上与化合物的添加量成比例地增大，但是磁变电阻效应型磁头最好有70μΩcm以上的比电阻。这是因为如果软磁性膜的比电阻与磁变电阻效应膜的比电阻相比不是充分大的话，磁变电阻效应型磁头的输出就下降。磁变电阻效应膜的比电阻是20-30μΩcm软磁性膜的比电阻至少要为该值的2倍。
软磁性膜所添加的化合物中特别希望增加氧化锆、氧化铝、氧化钽。这些化合物结合能量大、稳定，不会使软磁性膜的磁特性劣化，而且能增大软磁性膜的电阻。
本发明的磁变电阻效应型磁头的软磁性膜的形成工序是先把镍、钴、铁的至少一种以上的材料的粒子与氧化锆、氧化铝、氧化铪、氧化钛、氧化铍、氧化镁、稀土类氧化物、氮化锆、氮化铪、氮化铝、氮化钛、氮化铍、氮化镁、氮化硅、稀土类氮化物中的至少一种以上化合物的粒子相混合，然后沉积成膜；本发明就是用这种方法形成软磁性膜，以实现制造磁变电阻效应型磁头的目的。
例如上述的软磁性膜可以用溅射法、离子束溅射法等公知方法制作。溅射或离子束溅射时的靶可以用以适当的方法把上述化合物的粉末与含镍、铁、钴之中至少一种材料的合金粉末混合后烧结成的材料。或是可以用在含镍、铁、钴之中的至少一种材料的靶上配置上述化合物基片的靶。由于使用这种靶，含镍、铁、钴之中至少一种材料的粒子与上述化合物的粒子相混合，可以同时蒸镀。另外，可以在溅射装置内配置由镍、铁、钴等构成的金属靶和化合物靶，从各靶上放出的粒子实质上在基板上混合沉积，用这种方法制作本发明的软磁性膜也是可以的。
如上所述，磁变电阻效应型磁头的软磁性膜必须同时具备软磁特性及高电阻，而且在磁头的制作过程中这些特性都必须不变化。为了增大电阻，在金属中添加其他元素是一般可行的方法，但是在软磁性膜中添加金属元素时，为了使磁性元素与添加的金属元素相结合，磁性元素的电子状态变化很大，大多会损害软磁特性。
但是，本发明的软磁性膜中所含的化合物，由于其自身已经进行了离子结合，就不会使磁性金属元素的电子状态发生很大变化，即既不损害软磁特性又可以提高膜的电阻。这样，由于使用电阻大的软磁性膜作为软磁性膜，从而减小了软磁性膜上的分流电流，增大了磁变电阻效应型磁头的重放电压。
本发明的磁变电阻效应型磁头的软磁性膜是结晶质合金膜，是热稳定的，磁特性的变化小。
本发明的磁变电阻效应型磁头的软磁性膜中所含的化合物区别于一般制膜中不可避免地形成的不纯物。本发明的添加化合物在制膜原料或材料中实质上是以化合物形态存在的。
本发明的磁变电阻效应型磁头的软磁性膜中所含的化合物具有足够大的结合能量。一般，薄膜是在真空装置中使原子从气相凝缩而成膜，而且，结合能量小的化合物在蒸发过程或凝聚过程中被分解，由分解而生成的氧和氮等与磁性元素相结合，从而损害了磁特性。与此相反，本发明的软磁性膜中所含的化合物是结合能量大的化合物，不会分解，化合物原样进入膜中。本发明的软磁性膜中含的化合物内，氮化物与氧化物相比，其结合能量小，但是，由于磁性元素的镍、铁和钴与氮的结合能量非常小，所以与氧化物添加元素相比既使结合能量小也不会分解，从而能稳定地存在于膜中。
本发明的软磁性膜中所含上述化合的含物量为化合物中的金属元素最好是软磁性膜中所含的全部金属元素的3％-20原子％，5-10原子％更好化合物是以微粒子形式分散在作为基板的金属或合金中，其粒径以0.01μm以下为好，最好是0.001μm(10)以下。
若用Fe-Ni合金作为软磁性膜的基板金属的情况下，最好是Ni75-85原子％-Fe合金，把前述的化合物分散在这种合金组成的基板中。用Fe-Co合金的情况下，最好是Fe30-70原子％-Co合金，特别是Fe40-60原子％-Co合金更好。用Ni-Co合金时，最好是Ni60-90原子％-Co合金，特别是Ni60-80原子％-Co合金更好。
本发明的磁变电阻效应型磁头的软磁性膜中所含的镍、铁、钴等金属元素和软磁性膜中所含的化合物，是以金属元素粒子和化合物粒子混合并同时蒸镀而均匀散布在膜中。这些金属元素和化合物以大块状态几乎不能混合，但按本发明的制造方法，由于同时蒸镀，分散均匀，呈现良好的软磁特性。
图1是本发明的一个实施例的磁变电阻效应型磁头结构的断面图。
图2是表示镍-铁合金中添加了氧化铝的软磁性膜的氧化铝的添加量和饱和磁通密度及比电阻的关系曲线。
图3是表示具有本发明的磁变电阻效应型磁头的磁盘装置的整体构成方框图。
图4是图1的磁变电阻效应型磁头局部剖切的斜视图。
图5是具有图1的磁变电阻效应型磁头的磁头的局部剖切的斜视图。
图6是表示本发明的一个实施例的软磁性膜的磁特性的说明图。
图7是表示本发明的一个实施例的软磁性膜的磁特性的说明图。
实施例用图3说明适用本发明的磁变电阻效应型磁头的磁盘装置的一个实施例，图3是表示该磁盘装置的概略结构的斜视图。
下面说明该磁盘装置的概略结构。如图3所示，磁盘装置具有转轴202、以转轴202为轴等间隔叠层设置的多个磁盘204a、204b、204c，204d，204e以及驱动转轴202的马达203。还具有可移动的滑座206、保持在滑座206上的磁头群205a，205b，205c，205d、构成驱动该滑座206的音圈马达213的磁铁208和音圈207以及支承音圈马达的基座201。另外还有根据从磁盘控制装置等的上位装置212送来的信号控制音圈马达213的音圈马达控制电路209。而且具备读/写电路210，该电路具有按照磁盘204a等的写入方式把来自磁盘控制装置等的上位装置212的数据变换成必须流到磁头的电流的功能以及把来自磁盘204a等的数据进行放大再变换成数字信号的功能，该读/写电路210经接口211连接到上位装置212。
下面说明在该磁盘装置中读出磁盘204d的数据时的动作。首先从上位装置212经过接口211把必须读取数据的指示加到音圈马达控制电路209；然后，来自音圈马达控制电路209的控制电流驱动音圈马达213，经滑座206把磁头群205a，205b，205c，205d，高速移动到存储磁盘204d上的指示的数据的磁道位置，并准确定位。这种定位是这样进行的，即与音圈马达控制电路209连接的定位磁头205b检出磁盘204c上的位置，进行对数据磁头205a的位置控制。并且，支承在基座201上的马达203使安装在转轴202上的多个3.5吋磁盘204a，204b，204c，204d，204e旋转。接着，根据来自读/写电路210的信号选择指定的磁头205a，检出指示的区域的开头位置之后，读出磁盘204d上的数据。这种读出是依靠连接在读/写电路210上的数据磁头205a与磁盘204d之间传递信号来进行的。读出的数据变换成规定的信号后被送到上位装置212。
接下来就图3的磁盘装置的磁头205a-205d的结构加以说明。
如图5所示，磁头205a-205d的结构是写入专用的感应型磁头200叠置在重放专用磁变电阻效应型磁头10的上面。
对此加以详细说明。
如图1、4所示，在基板10上叠层设置有下绝缘膜11、下屏蔽膜12和下隙缝膜13，在其上面再顺序配置磁变电阻效应膜14、隔离膜15和软磁性膜16。在软磁性膜16上配置一对电极17，再形成上隙缝膜18、上屏蔽膜19和上绝缘膜20把它们全部覆盖。
下绝缘膜11和上绝缘膜20是用来使挟在它们之间的各膜与外部电绝缘的膜，下屏蔽膜12和上屏蔽膜19是为防止磁盘信号磁场以外的外部磁场影响磁变电阻效应膜14而配置的。下隙缝膜13和上隙缝膜18具有把它们之间所挟的各膜与下屏蔽膜12和上屏蔽膜19进行电、磁隔离的作用。磁变电阻效应膜14是随磁盘的磁化方向而改变基电阻的强磁性膜。软磁性膜16把垂直于图1低面方向的偏磁场即横偏磁场加在磁变电阻效应膜14上。隔离膜15是为磁变电阻效应膜14和软磁性膜16的磁隔离而配置的。
在上屏蔽膜19的上面配置感应型磁头。感应型磁头由下磁性膜84、线圈41和上磁性膜83构成。
用感应型磁头200把信号写入磁盘204a等，而磁变电阻型磁头100则被用来重放磁盘204a等的信号。由于磁变电阻型磁头的感触部分和感应型磁头的磁隙处在重合的位置上，所以可以同时定位于磁盘204等的同一磁道上。
下面说明磁变电阻型磁头的制造方法及材料。
首先在陶瓷制成的基板10上用溅射法形成约10μm的氧化铝，并研磨其表面作为下绝缘膜11。此后，形成约2μm的镍-铁合金膜作为下磁屏蔽膜12。把该下磁屏蔽膜加工成规定形状之后，在其上部形成0.4μm的氧化铝膜作为下隙缝膜13。
在这上面再形成400(以下，表示埃)的镍-铁合金膜作为磁变电阻效应膜14。在它的上部形成200的钽膜作为隔离膜15。再上面是用溅射法形成400的由80原子％镍及其余为铁形成的磁性合金中添加10％的氧化锆的软磁性膜作为对磁变电阻膜施加偏磁磁场的软磁性膜16。氧化锆以微粒状态分散在软磁性膜16中。
在此，所谓“添加10％的氧化锆”的意思是添加的锆原子占软磁性膜16中所含金属原子的10％。
软磁生膜16的溅射是用镍-铁合金靶上配置氧化锆基片的靶来进行的。溅射时的氩气压为2m乇，基板温度为室温。
在本实施例中，虽然是在镍铁合金中添加氧化锆作为软磁性膜，但是这只是被选择的本发明的软磁生膜的有代表性的材料，并不特别限定于此种膜。
形成软磁性膜16之后，把磁变电阻效应膜14、隔离膜15和软磁性膜16加工成图4所示的规定的形状。在这上面形成流过为读出磁变电阻效应膜14的电阻变化的检出电流的一对电极17。
进一步在其上部形成0.3μm的氧化铝膜作为上隙缝膜18，再在它上面形成上磁屏蔽膜19。在它们的上面形成上绝缘膜20之后，制成记录用的感应型磁头，在此省略了详细说明。
此后，切断基板10把它加工在滑块上，磁头的制作结束。
下面记述本实施例的磁变电阻效应型磁头的特性，用重放输出的大小来评价磁变电阻效应型磁头。对本实施例的磁头及比较用的用软磁性膜中添加了5原子％的铌的镍-铁合金的结构相同的磁头进行评价。
本实施例的添加了氧化锆的软磁性膜16的饱和磁通密度是0.7T、比电阻约120μΩcm，而比较用的添加了5原子％铌的镍铁膜的饱和磁通密度为0.6T，比电阻为70μΩcm。
软磁性膜16中用添加5原子％铌的镍-铁膜的磁变电阻效应型磁头重放输出在10MHZ的频率是约400μv，而本发明的磁头约440μv提高10％。这是因为把添加铌的镍铁合金膜作为软磁性膜的磁头中，由于软磁性膜的比电阻小，检出电流要流至磁变电阻效应膜和软磁性膜两方面，从而使读出的电阻变化变小。
虽然随着添加铌的镍铁膜中添加铌的量的增加有可能提高膜的电阻，但是由于增加铌的添加量时饱和磁通密度显著降低，所以5原子％是其上限，超过该值的话比电阻不能再提高。
这样，用添加氧化锆的镍铁合金膜作为软磁性膜16的本实施例的磁变电阻型磁头，由于软磁性膜的电阻大，所以得到高的重放输出。
下面记述本发明的磁变电阻效应型磁头的软磁性膜16的电阻。
图2表示在80％原子镍和20％铁构成的磁性合金膜中添加氧化铝时，膜的比电阻和饱和磁通密度，其膜厚为400。添加氧化铝时，膜的电阻增大，添加量为10％时，比电阻达到100μΩcm。(此处所谓添加量为10％是说铝原子为磁性合金膜的全部金属原子的10％)。另一方面，饱和磁通密度随氧化铝添加量的增加而单调下降，添加量为10％时，约是0.75T。
虽然这是把氧化铝作为化合物来添加的例子，但其他化合物也呈现同样的变化趋势，添加化合物有可能制成高比电阻的膜。用原来添加金属元素的方法则很难得到如此高的比电阻的膜，由此可知添加化合物是行之有效的。
从图2可知，通过添加氧化铝使铝原子占软磁性膜16中的全部金属原子的3原子％以上，就能得到40μΩcm以上的比电阻以及超过0.5T的磁通密度。在确定氧化铝的添加量时，软磁性膜16的比电阻和饱和磁通密度可以按下述关系来确定，即软磁性膜16的比电阻低于110μΩcm时，理想的氧化铝添加量是能使饱和磁通密度(T)达到从[-(比电阻(μΩcm)/355)＋1.06]中扣除0.1的值以上。而软磁性膜16的比电阻高于110μΩcm时，理想的氧化铝添加量是能使饱和磁通密度(T)达到从-(比电阻(μΩcm)/714)＋0.91中扣除0.1的值以上。更理想的情况是得到比用这些公式求出的饱和磁通密度更大的饱和磁通密度的添加量来添加氧化铝。
下面记述可以用作上述软磁性膜16的含有本发明各种化合物的软磁性膜的特性。
图6是一种软磁性膜的矫顽力、各向异性磁场和饱和磁通密度的值，这种软磁性膜是在80％原子镍其余为铁的软磁性膜中分别添加约5％的氧化锆、氧化铝、氧化铪、氧化钛、氧化铍、氧化镁、作为稀土类氧化物的氧化铈、氮化锆、氮化铪、氮化铝、氮化钛、氮化铍、氮化镁、氮化硅和氮化铈。(此处所谓添加约5％的意思是添加的化合物量使前述化合物中所含的金属原子占软磁性膜中所含的全部金属原子的5％)上述的化合物以微粒状态分散在软磁性膜中。
为了进行比较，图表中还示出了添加氧化硅的情况以及添加金属锆的情况下的磁特性。
图6所示的软磁性膜的制作是用溅射法进行的。在镍-铁合金上配置各种化合物基片作成溅射用靶。溅射时的氩气压为2m乇，膜厚为400。
图6所示的各软磁性膜的比电阻都是70μΩcm。本发明的软磁性膜的矫顽力、各向异性磁场饱和磁通密度都不依赖于所添加化合物的种类而大体上是相同的。
作为比较例，添加氧化硅的膜的各向异性磁场大到15奥斯特。这是由于氧化硅的结合能小，在制膜过程中氧和硅进一步分解，所产生的氧与铁或镍化合，而在内部形成氧化物。
另一方面，本实施例的软磁性膜中添加的氮化物虽然与氧化物相比其结合能小，但因为磁性元素的铁、钴、镍与氮的结合非常弱，而不用磁性元素制成化合物，所以可以认为不会使磁特性劣化。这个事实表示添加的化合物的结合能如果远大于磁性元素作的同种化合物的结合能的话，就能改善磁特性。
以此类推，虽然用其他化合物，如碳化物、氯化物、氟化物等化合物也可期望改善磁特性，但是预计碳化物会严重污染真空装置，而氯化物和氟化物大多是水溶性的，存在膜的耐腐蚀问题，所以都未进行实验。
另外，为了进行比较，添加锆的膜的矫顽力和各向异性磁场虽然变小，但其饱和磁通密度大幅度地减小到约0.5T。这表示以金属原态添加锆时，使磁性元素的电子状态化很大，但如本发明那样，作为氧化物和氮化物添加则很有效。
以下就呈现软磁性的各种合金中添加氧化锆的本发明的软磁性膜的磁特性加以说明。图7表示在金属磁性体的铁、铁-钴合金和镍-钴合金中分别添加5％氧化锆情况下的软磁性膜的矫顽力、各向异性磁场和饱和磁通密度的值。(此处所谓“添加5％”的意思是添加的氧化锆使锆原子占软磁性膜中全部金属原子的5％)。
铁-钴合金的组成为铁为50原子％其余为钴，镍-钴合金的组成为镍70％原子％其余为钴。
图7所示的本发明的软磁性膜是用溅射法制作的，其溅射靶是在上述磁性金属靶上配置氧化锆基片作成的靶。溅射时的氩气压为2m乇。为了赋以磁各向异性在溅射中要加约40奥斯特的磁场。膜厚制成0.1μm。
为了比较，图7中还表示了未添加氧化锆的情况下的磁特性。表中各向异性磁场项是空栏，表示在M-H环(表示所加磁场和膜的磁化环)上监查不出明确的磁各向异性而不能测定各项异性磁场的情况。
由图7可知，金属磁性体是铁的情况下，不添加氧化锆的膜的矫顽力大到8奥斯特，而见不到明显的磁各向异性。与此相对，添加了氧化锆的本发明的软磁性膜，矫顽力减少为约3奥斯特，可观察到磁各向异性，其各向异性磁场为7奥斯特。铁-钴合金、镍-钴合金的情况下，与不添加氧化锆的情况相比，添加氧化锆的膜的情况下矫顽力减少，可见，由于氧化锆的添加提高了软磁特性。
如上所述，由于把在含有铁、镍、钴之中至少一种元素的金属材料中分散有氧化锆、氧化铝、氧化铪、氧化钛、氧化铍、氧化镁、稀土类氧化物、氮化锆、氮化铪、氮化铝、氮化钛、氮化铍、氮化镁、氮化硅及稀土类氮化物中至少一种化合物的粒子材料构成的软磁性膜用作磁变电阻效应型磁头的软磁性膜，从而使从磁变电阻效应膜中分流到软磁性膜中的电流减小了，而有可能制成重放输出大的磁变电阻效应型磁头。
这种软磁性膜可以用上述溅射方法把铁、钴、镍中至少一种材料的粒子和氧化锆、氧化铝、氧化铪、氧化钛、氧化铍、氧化镁、稀土氧化物、氮化锆、氮化铪、氮化铝、氮化钛、氮化铍、氮化镁、氮化硅、稀土类氮化物之中的至少一种粒子混合，同时沉积而形成。
装配了这种重放输出大的磁变电阻效应型磁头的磁盘装置能高灵敏度地重放磁盘的信号。
在上述实施例中，表示了从基板按顺序配置磁变电阻效应膜14、软磁性膜16、电极17的磁变电阻效应型磁头，但不按这个顺序配置也是可以的。
如上所述，本发明中，由于磁变电阻效应型磁头的偏磁膜中采用电阻高的软磁性膜，所以可以提供输出大的磁变电阻效应型磁头。
权利要求
1.一种磁变电阻效应型磁头具有用磁场改变电阻的磁变电阻效应膜，使电流流到前述磁变电阻效应膜的一对电极和为把横偏磁磁场加于前述磁变电阻效应膜的软磁性膜，其特征在于前述软磁性膜是由含铁、钴和镍中的至少一种元素的金属中分散有氧化锆、氧化铝、氧化铪、氧化钛、氧化铍、氧化镁、稀土类氧化物、氮化锆、氮化铪、氮化铝、氮化钛、氮化铍、氮化镁、氮化硅及稀土类氮化物中的至少一种化合物粒子的材料形成的。
2.根据权权利要求1的磁变电阻效应型磁头，其特征在于前述金属是含前述的铁、钴和镍中至少二种元素的合金。
3.根据权利要求1的磁变电阻效应型磁头，其特征在于前述软磁性膜中所含的前述化合物的氧和氮以外的原子对于构成前述软磁性膜的原子中除氧和氮以外的全部原子是3原子％以上而20％以下。
4.根据权利要求1的磁变电阻效应型磁头，其特征在于前述软磁性膜含氧化锆，前述软磁性膜中含的锆原子对于构成前述软磁性膜的原子中除氧和氮以外的全部原子是3原子％-20原子％。
5.根据权利要求1的磁变电阻效应型磁头，其特征在于前述软磁性膜含氧化铝，前述软磁性膜中所含的铝原子对构成前述软磁性膜的原子中除氧和氮之外的全部原子是3原子％-20原子％。
6.根据权利要求1的磁变电阻效应型磁头，其特征在于前述软磁性膜含氧化钛，前述软磁性膜中所含的钛原子对构成前述软磁性膜的原子中除氧和氮之外的全部原子是3原子％-20原子％。
7.根据权利要求1的磁变电阻效应型磁头，其特征在于前述软磁性膜的比电阻是70μΩcm或更大。
8.根据权利要求2的磁变电阻效应型磁头，其特征在于前述合金是镍-铁合金，前述镍-铁合金是镍78-84原子％，其余是铁。
9.一种磁变电阻效应型磁头的制造方法，包含形成由磁场改变电阻的磁变电阻效应膜、形成使电流流至前述磁变电阻效应膜的一对电极、和形成把横偏磁磁场加至前述磁变电阻效应膜的软磁性膜的工序，其特征在于前述形成软磁性膜的工序是把铁、钴和镍中至少一种材料的粒子与氧化锆、氧化铝、氧化铪、氧化钛、氧化铍、氧化镁、稀土类氧化物、氮化锆、氮化铪、氮化铝、氮化钛、氮化铍、氮化镁、氮化硅及稀土类氮化物中至少一种化合物粒子混合再沉积的工序。
10.一种磁重放装置，具有磁头、支承记录媒体的支承装置、使前述磁头对前述记录媒体相对移动的驱动装置以及处理前述磁头的重放信号的信号处理电路；前述磁头具有由磁场改变电阻的磁变电阻效应膜、使电流流到前述磁变电阻效应膜的一对电极以及把横偏磁磁场加至前述磁变电阻效应膜的软磁性膜；其特征在于前述软磁性膜是由含铁、钴和镍中的至少一种元素的金属中分散有氧化锆、氧化铝、氧化铪、氧化钛、氧化铍、氧化镁、稀土类氧化物、氮化锆、氮化铪、氮化铝、氮化钛、氮化铍、氮化镁、氮化硅及稀土类氮化物中的至少一种化合物粒子的材料形成的。
全文摘要
磁变电阻效应型磁头具有用磁场改变电阻的磁变电阻效应膜14、使电流流到前述磁变电阻膜的一对电极17和为把横偏磁磁场加于前述磁变电阻效应膜的软磁性膜16，其特征是前述软磁性膜16含有铁、钴和镍之中至少一种材料和氧化锆、氧化铝、氧化铪、氧化钛、氧化铍、氧化镁、稀土类氧化物、氮化锆、氮化铪、氮化铝、氮化钛、氮化铍、氮化镁、氮化硅和稀土类氮化物中的至少一种化合物。由于添加化合物，使软磁性膜的电阻上升，由磁变电阻效应膜分流到软磁性膜的电流减少，从而提高了磁变电阻效应型磁头的重放电压。
文档编号G11B5/39GK1117180SQ9510405
公开日1996年2月21日 申请日期1995年3月8日 优先权日1994年3月9日
发明者田所茂, 渡边克朗, 今川尊雄, 田岛康成 申请人:株式会社日立制作所