种半位元线高电平电压的方块图。如图2A所示，半位元线高电平电压产生器200包含控制模块220、驱动模块240与监测模块260。
[0034]控制模块220用以根据更新信号UP与半位元线高电平电压VB产生第一控制信号VCl与第二控制信号VC2。驱动模块240用以根据第一控制信号VCl与第二控制信号VC2产生半位元线高电平电压VB至存储器装置100。监测模块260用以根据横流电流IC是否流经驱动模块240，并产生更新信号UP以调整驱动模块240，借此降低横流电流1C。
[0035]图2B为根据本发明的一些实施例的一种半位元线高电平电压产生器的示意图。如图2B所示，驱动模块240包含第一切换单元MPl与第二切换单元MNl。第一切换单元MPl的第一端用以接收驱动电压VINT，第一切换单元MPl的第二端用以产生半位元线高电平电压VB，且第一切换单元MPl的控制端用以接收第二控制信号VC2。第二切换单元丽I的第一端电性耦接第一切换单元MPl的第二端，第二切换单元MNl的第二端电性耦接至接地端，且第二切换单元MNl的控制端用以接收第一控制信号VCl。
[0036]以第一切换单元MPl与第二切换单元MNl的功能而言，第一切换单元MPl用以根据第二控制信号VC2而选择性地导通，以产生半位元线高电平电压VB至输出端(例如第一切换单元MPl的第二端)。第二切换单元MNl用以根据第一控制信号VCl而选择性地导通，以产生半位元线高电平电压VB至输出端。在正常操作时，第一切换单元MPl与第二切换单元丽I仅有一者为导通，以产生半位元线高电平电压VB。
[0037]然而，因环境退化因素产生的元件不匹配或偏移电压可能会导致第一切换单元MPl与第二切换单元MNl两者同时导通，进而产生了流经第一切换单元MPl与第二切换单元丽I的横流电流1C。
[0038]在一些实施例中，如图2B所示，控制模块220包含分压单元222、第一放大器224与第二放大器226。分压单元222用以根据更新信号UP而产生第一参考电压VREFl与第二参考电压VREF2，以分别驱动第一放大器224与第二放大器226。第一放大器224用以根据第一参考电压VREFl与半位元线高电平电压VB产生第一控制信号VCl。第二放大器226用以根据第二参考电压VREF2与半位元线高电平电压VB产生第二控制信号VC2。
[0039]值得注意的是，随着固有的工艺过程变异中，前述的不匹配现象或偏移电压可能会存在于第一放大器224与第二放大器226之间。因此,第一放大器224与第二放大器226可能会产生不正确的第一控制信号VCl与第二控制信号VC2，进而使第一切换单元MPl与第二切换单元MNl同时导通。据此，横流电流IC可流经第一切换单元MPl与第二切换单元MNl。
[0040]如图2B所示，监测模块260包含第一复制切换单元MP2、第二复制切换单元MN2、第一电阻单元Rl与第二电阻单元R2。第一复制切换单元MP2的第一端用以接收驱动电压VINT，且第一复制切换单元MP2的控制端用以接收第二控制信号VC2。第一电阻单元Rl的第一端电性耦接第一复制切换单元的第二端，且第一电阻单元Rl的第二端电性耦接至接地端。第二电阻单元R2的第一端用以接收驱动电压VINT。第二复制切换单元MN2的第一端电性耦接第二电阻单元R2的第二端，第二复制切换单元丽2的第二端电性耦接至接地端，且第二复制切换单元MN2的控制端用以接收第一控制信号VCl。
[0041]再者，第一复制切换单元MP2的元件尺寸与第一切换单元MPl的元件尺寸相同，且第二复制切换单元MN2的元件尺寸与第二切换单元MNl的元件尺寸相同。为了产生较理想的匹配特性，第一复制切换单元MP2与第二复制切换单元MN2在布局设计中会放置在邻近于第一切换单元MPl与第二切换单元MNl的位置。
[0042]在此实施例中，第一复制切换单元MP2用以根据第二控制信号VC2选择性地导通。第一电阻单元Rl电性耦接至第一切换单元MP2，以产生第一监测信号ΜΡ0Ν。第二复制切换单元MN2用以根据第一控制信号VCl选择性导通。第二电阻单元R2电性耦接第二复制单元丽2，以产生第二监测信号ΜΝ0Ν。如此，监测模块260可根据第一监测信号MPON与第二监测信号MNON而监测横流电流1C。
[0043]举例而言，当第二控制信号VC2为低电压电平时，第一切换单元MPl与第一复制切换单元MP2会导通而产生具有逻辑I状态的第一监测信号ΜΡ0Ν。同样地，当第一控制信号VCl为高电压电平时，第二切换单元MNl与第二复制切换单元MN2会导通而产生具有逻辑O状态的第二监测信号ΜΝ0Ν。监测模块260可根据第一监测信号MPON与第二监测信号MNON的状态而监测驱动模块240出现横流电流1C。
[0044]在一些实施例中，如图2B所示,监测模块260可进一步包含禁区(dead reg1n)控制单元262。禁区(dead reg1n)代表可用以在驱动模块240中防止横流电流IC产生的电压范围。换句话说，当在第一放大器224与第二放大器在第一放大器224与第二放大器226之间的偏移电压超出禁区，则驱动模块240会产生横流电流1C。
[0045]禁区控制单元262电性耦接至第一电阻单元Rl的第一端与第二电阻单元R2的第二端，以产生更新信号UP。禁区控制单元262用以根据第一监测信号MPON与第二监测信号MNON产生更新信号UP。
[0046]图2C为根据本发明的一些实施例的禁区控制单元的示意图。如图2C所示，当横流电流IC产生时，禁区控制单元262产生具有逻辑I状态的更新信号UP。反之，当驱动模块240中并未具有横流电流IC时，禁区控制单元262产生具有逻辑O状态的更新信号UP。在图2C的致能信号Enable可自外部电路输入。
[0047]图2D为根据本发明的一些实施例的一种分压单元的示意图。如图2D所示，分压单元222包含第一电阻RA、第二电阻RB、第三电阻RC、第四电阻RD与切换单元SW。第一电阻RA的第一端用以接收位元线高电平电压VBLH(例如可为先前所述的系统供应电压VCC)，第一电阻RA的第二端用以产生第一参考电压VREFl。第二电阻RB的第一端电性耦接于第一电阻RA的第二端，第二电阻RB的第二端用以产生第二参考电压VREF2。第三电阻RC电性耦接于第二电阻RC的第二端与接地端之间。第四电阻RD的第一端电性耦接第二电阻RB的第一端。切换单元SW电性耦接于第四电阻RD的第二端与第二电阻RB的第二端之间。
[0048]第四电阻RD与切换单元SW形成修整(trimming)电路,且切换单元SW用以根据更新信号UP选择性地导通。因此，第一参考电压VREFl与第二参考电压VREF2可用以改变第一控制信号VCl与第二控制信号VC2的状态，借此减少横流电流1C。
[0049]图2E为根据本发明的一实施例的横流电流、更新信号、第一参考电压与第二参考电压的波形图。
[0050]在此实施例中，如图2E所示，预设的半位元线高电平电压VB为0.6伏特(V)。而在第一放大器224与第二放大器226之间的偏移电压为6毫伏特(mV),此偏移电压会产生约92微安培(μ