半导体装置的制造方法
【专利说明】半导体装置
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2013年12月30日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2013-0167052的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
[0003]各种实施例涉及半导体装置，且更具体地涉及用于稳定地产生半导体装置的内部电压的电路。
【背景技术】
[0004]半导体装置可以根据半导体装置内部需要的各种电压电平而从外部供应的外部电源产生内部电压。产生的内部电压可以分别供应至相对应的内部电路。内部电压的种类可以包括核心电压(Vcore)、体偏置电压(Vbb)、泵浦电压(Vpp)等。内部电压发生电路可以被设置成产生各内部电压。
【发明内容】
[0005]在一个实施例中，一种半导体装置的电压发生电路可以包括:第一检测块，被配置成检测输出电压且输出第一检测信号。另外，第二检测块可以被配置成检测输出电压且输出第二检测信号。信号发生块可以被配置成响应于所述第一检测信号和所述第二检测信号而产生控制信号。此外，电压发生块可以被配置成响应于所述控制信号而产生所述输出电压，其中，所述第一检测块和所述第二检测块关于所述输出电压的电平变化的响应速度不同。
[0006]在一个实施例中，一种半导体装置的电压发生电路可以包括第一检测块，被配置成检测输出电压且根据第一检测结果来输出第一检测信号。第二检测块可以被配置成检测输出电压且根据第二检测结果来输出第二检测信号。电压发生块可以基于所述第一检测信号和所述第二检测信号而被配置于接通位置或关断位置。当处于所述接通位置时，电压发生块可以产生所述输出电压。当所述输出电压下降时，所述第一检测信号比所述第二检测信号更早地被禁止，而当所述输出电压升高时，所述第二检测信号比所述第一检测信号更早地被使能。
【附图说明】
[0007]图1是示例性地示出根据一个实施例的半导体装置的电压发生电路的框图；
[0008]图2是详细示出图1中所示的第一检测块和第二检测块的实施例的电路图；
[0009]图3是详细示出图1中所示的信号发生块的电路图；
[0010]图4是解释图1中所示的电压发生电路的操作的时序图；
[0011]图5是详细示出图1中所示的第一检测块和第二检测块的其他实施例的电路图；
[0012]图6是示例性地示出根据一个实施例的半导体装置的电压发生电路的框图；以及
[0013]图7说明根据一个实施例的使用存储器控制器电路的系统的框图。
【具体实施方式】
[0014]在下文中，以下将通过各种实施例参照附图描述半导体装置。为了稳定地产生内部电压，可能需要内部电压发生电路。为此，当内部电压的电平下降至目标电平之下时，内部电压发生电路可以通过控制信号来接通以升高内部电压的电平。当内部电压的电平升高至目标电平之上时，内部电压发生电路可以通过控制信号来关断以降低内部电压的电平。即，内部电压发生电路应该根据内部电压的电平变化被立即接通或关断以稳定地产生内部电压。当满足这样的条件时，半导体装置可以平稳地执行操作，且可以降低不必要的电流消耗。
[0015]图1是示例性地示出根据一个实施例的半导体装置的电压发生电路10的框图。参见图1，示出电压发生块400，所述电压发生块400被配置成:基于被配置成检测输出电压Vout的电平的第一检测块100和第二检测块200的检测结果来产生输出电压Vout。
[0016]电压发生电路10可以包括第一检测块100、第二检测块200、信号发生块300和电压发生块400。
[0017]第一检测块100可以被配置成检测输出电压Vout的电平，且根据检测结果输出第一检测信号detl。例如，第一检测块100可以比较第一参考电压Vrfl和输出电压Vout，且根据比较结果输出第一检测信号detl。
[0018]第二检测块200可以被配置成检测输出电压Vout的电平，且根据检测结果输出第二检测信号det2。例如，第二检测块200可以比较第二参考电压Vrf2和输出电压Vout，且根据比较结果输出第二检测信号det2。
[0019]信号发生块300可以被配置成响应于第一检测信号detl和第二检测信号det2而输出控制信号ctr。例如，信号发生块300可以响应于在具有相同逻辑电平的第一检测信号detl和第二检测信号det2之间转换得更快的一个信号而产生控制信号ctr。
[0020]电压发生块400可以被配置成响应于控制信号ctr而产生输出电压Vout。电压发生块400产生的输出电压Vout可以是半导体装置的内部电压中的任何一个，例如核心电压、体偏置电压和泵浦电压。例如，电压发生块400可以是半导体装置的一般电压泵浦电路。电压发生块400可以通过设置预定的目标电压来产生输出电压Vout。详细地，电压发生块400可以响应于当输出电压Vout的电平比目标电压的电平低预定电平时被使能的控制信号ctr而被接通，且泵浦输出电压Vout。此外，电压发生块400可以响应于当输出电压Vout的电平比目标电压的电平高预定电平时被禁止的控制信号ctr而被关断，且不泵浦输出电压Vout。
[0021]用于控制电压发生块400接通或关断或用于将电压发生块400置于接通或关断位置的控制信号ctr可以基于第一检测信号detl和第二检测信号det2、即第一检测块100和第二检测块200的检测结果来产生。换言之，可以大体基于第一检测信号detl和第二检测信号det2来控制电压发生块400接通或关断。为了最佳地描述实施例，将基于第一检测信号detl和第二检测信号det2产生控制信号ctr的信号发生块300描述为单独的组成元件。应该注意到，信号发生块300可以例如被配置在电压发生块400中。在这种情况下，可以基于第一检测信号detl和第二检测信号det2来控制电压发生块400接通/关断。
[0022]图6是示例性地示出根据一个实施例的半导体装置的电压发生电路1000的框图。参见图6，电压发生电路1000可以包括第一检测块1100、第二检测块1200和电压发生块1400。电压发生块1400可以包括信号发生块1300。电压发生电路1000的配置和操作方法可以与图1的电压发生电路10类似。因此，这里将省略其详细描述。
[0023]再次参见图1，第一检测信号detl和第二检测信号det2与响应输出电压Vout的电平变化的速度相关。
[0024]根据一个实施例的第一检测块100和第二检测块200可以具有关于输出电压Vout的电平变化的不同响应速度。例如，第一检测块100关于输出电压Vout的电平下降的响应速度可以比第二检测块200的响应速度更快。在这种情况下，随着第一检测信号detl可被禁止，电压发生块400可以大体通过第一检测块100的检测结果来接通。因此，第一检测块100可以在“接通特性”方面被描述为优异。反之，第二检测块200关于输出电压Vout的电平升高的响应速度可以比第一检测块100的响应速度更快。在这种情况下，随着第二检测信号det2可被使能，电压发生块400可以大体通过第二检测块200的检测结果来关断。因此，第二检测块200可以在“关断特性”方面被描述为优异。
[0025]在一个实施例中，由于电压发生电路10包括具有关于输出电压Vout的电平变化的不同响应速度的检测块100和检测块200，所以当与仅提供一个检测块的情况相比时，可以有效地控制电压发生块400的接通和关断。为了实现这样的目的，以下将详细描述详细配置、操作方法和由此而来的工作效果。
[0026]图2是详细示出图1中所示的第一检测块100和第二检测块200的实施例的电路图。
[0027]在作出说明之前，应该注意到的是，图2的第一检测块10a和第二检测块200a将通过它们的附图标记中所增加的后缀“a”来与图1的第一检测块100和第二检测块200的其他实施例(在图5中所示)区分开。在图5所示的其他实施例中，将使用后缀“b”。因此，图2中的第一参考电压Vrfl_a和第二参考电压Vrf2_a可以分别是图1的第一参考电压Vrfl和第二参考电压Vrf2的实施例。
[0028]第一检测块10a可以被配置成检测输出电压Vout的电平，且根据检测结果输出第一检测信号detI。第一检测块10a可以被施加有具有逻辑高电平的第一沉入信号(sinksignal) si 1、比较第一参考电压Vrf l_a与输出电压Vout、以及根据比较结果输出第一检测信号detl。例如，当输出电压Vout的电平低于第一参考电压Vrfl_a的电平时，第一检测块10a可以输出被禁止的第一检测信号detl。例如，当输出电压Vout的电平高于第一参考电压Vrfl_