错误处理方法、存储器储存装置与存储器控制电路单元的制作方法_4

文档序号:8488642阅读:来源:国知局
存储器接口 206会判断此完成事件是否为失败事件。例如,失败事件可能表示读取失败、写入失败或抹除失败,本发明并不限制完成事件与失败事件的内容。若上述的完成事件为失败事件,存储器接口 206会停止第一通道的运作,并且对第一通道所对应的一计数值执行第一更新运算。若此完成事件不是失败事件,存储器接口 206会维持第一通道所对应的计数值不变。在一范例实施例中,第一更新运算是用以增加计数值,而此计数值是用以表示第一通道所对应的失败事件有几个尚未被处理完。存储器管理电路202会处理上述的完成事件。若所处理的完成事件不是失败事件,则表示该完成事件所对应的指令已经成功地被执行,藉此存储器管理电路202可以执行后续的操作。若所处理的完成事件是失败事件,则表示该完成事件所对应的指令并没有成功地被成行,此时存储器管理电路202会执行对应的错误处理(error handling)。然而,每当存储器管理电路202处理第一通道所对应的一个失败事件时,存储器管理电路202都会对第一通道所对应的计数值执行一第二更新运算。在一范例实施例中,第二更新运算是用以减少计数值,并且存储器管理电路202会在计数值符合一临界条件时恢复第一通道的运作。例如,在恢复第一通道的运作以后,存储器接口 206便可以通过第一通道对可复写式非易失性存储器模块106下达指令。换言之,通过第一通道所对应的计数值,存储器管理电路202可以知道第一通道是否还有尚未处理的失败事件,藉此可以及时地恢复第一通道的运作,进而增加效能。
[0079]在上述的范例实施例中,第一更新运算是用以增加计数值,而第二更新运算是用以减少计数值。然而,在另一范例实施例中,第一更新运算也可以是用以减少计数值,而第二更新运算可以是增加计数值,本发明并不在此限。在以下的范例实施例中,是以队列的数据结构来管理完成事件。然而,在另一范例实施例中,也可以用任意的数据结构来管理完成事件,本发明并不在此限。
[0080]图5是根据一范例实施例绘示完成事件队列的示意图。
[0081]请参照图5,在图5的范例实施例中,每一个通道都有一个计数单元,用以更新该通道所对应的计数值。此计数单元可以用硬件或是软件的方式来实作,本发明并不在此限。例如,计数单元可以被实作为存储器接口 206中的电路;或者,存储器管理电路202可在缓冲存储器252中配置计数单元(可以是一段程序码或是一个变量)的空间。
[0082]此外,所有通道的执行中事件队列都会对应到同一个完成事件队列510,用以储存这些通道所产生的完成事件。此完成事件队列510也可以用硬件或是软件的方式来实作。例如,存储器管理电路202可在缓冲存储器252中配置完成事件队列510的空间。具体来说,在存储器接口 206取得一个完成事件时,会将此完成事件加入至完成事件队列510当中。并且,若所加入的完成事件是失败事件,存储器接口 206会停止对应的通道的操作,并且对应的计数单元会增加该通道的计数值(例如,加上1,即上述的第一更新运算)。例如,完成事件511?516上的号码表示该完成事件是对应至哪一个通道,并且完成事件511与516为失败事件。存储器接口 206是先将完成事件511加入至完成事件队列510,接着依序加入完成事件512?516。由于完成事件511是失败事件,因此在把完成事件511加入至完成事件队列510时,存储器接口 206便会停止第一通道的运作(例如,停止通过第一通道对可复写式非易失性存储器模块106下达指令),并且第一通道的计数单元会对应地增加第一通道所对应的计数值。在把完成事件512加入至完成事件队列510时,由于完成事件512不是失败事件,因此第二通道会持续运作,并且第二通道的计数单元会维持第二通道所对应的计数值不变。对于完成事件513?516可类推,在此不再赘述。因此,在完成事件511?516被加入以后,第一通道所对应的计数值为2,第二通道与第三通道所对应的计数值为O。换言之,每一个计数值表示在完成事件队列510中,对应通道的失败事件的总数。
[0083]存储器管理电路202会从完成事件队列510中取得完成事件,并且作对应的处理。具体来说,存储器管理电路202先取得完成事件511,并且判断完成事件511是否为失败事件。由于完成事件511是失败事件,因此存储器管理电路202会减少第一通道所对应的计数值(例如,减少1,即上述的第二更新运算),并且执行一错误处理。在一范例实施例中,存储器管理电路202会在第一通道处于一个稳态以后才减少第一通道所对应的计数值。此稳态表示第一通道目前并没有执行任何的指令,因此存储器接口 206无法更改第一通道所对应的计数值。在减少第一通道所对应的计数值以后,存储器管理电路202还会判断第一通道所对应的计数值是否符合临界条件。例如,存储器管理电路202会判断计数值是否等于一临界值(例如为O),若是则判断符合临界条件。在图5的范例实施例中,处理完成事件511以后第一通道所对应的计数值为I (不符合临界条件),表示完成事件队列510中还有第一通道的失败事件尚未被处理,因此存储器管理电路202会持续停止第一通道的运作。
[0084]接下来存储器管理电路202会取得完成事件512?515。由于完成事件512?515不是失败事件,因此存储器管理电路202会维持第二通道与第三通道所对应的计数值不变。接着,存储器管理电路202会取得完成事件516,并将第一通道所对应的计数值减去I。由于处理完成事件516以后第一通道所对应的计数值为O (符合临界条件),表示完成事件队列510中已经没有第一通道的失败事件,因此存储器管理电路202会恢复第一通道的运作。
[0085]图6A与图6B是根据一范例实施例绘示错误处理方法的流程图。
[0086]请参照图6A,在步骤S601中,取得对应第一通道的完成事件。在步骤S602中,判断完成事件是否为失败事件。若上述的完成事件不是失败事件,在步骤S603中,维持第一通道所对应的计数值不变。若上述的完成事件是失败事件,在步骤S604中,停止第一通道的运作,并且对第一通道所对应的计数值执行第一更新运算。
[0087]请参照图6B,在步骤S605中,从完成事件队列中取得完成事件。在步骤S606中,判断完成事件是否为失败事件。若所取得的完成事件不是失败事件,在步骤S607中,维持对应的计数值不变。若所取得的完成事件是失败事件,在步骤S608中,对所对应的计数值执行第二更新运算。在步骤S609中,判断计数值是否符合临界条件。若计数值符合临界条件,在步骤S610中,恢复通道的运作。
[0088]然而,图6A与图6B中各步骤已详细说明如上,在此便不再赘述。值得注意的是,图6A与图6B中各步骤可以实作为多个程序码或是电路,本发明并不在此限。此外,图6A与图6B的方法可以同时实施,可以搭配以上实施例使用,也可以单独使用,本发明并不在此限。
[0089]综上所述,本发明范例实施例所提出的错误处理方法、存储器储存装置与存储器控制电路单元,可以通过计数值来计算尚未处理的失败事件有几个,藉此可以及时的恢复通道的运作,进而增进可复写式非易失性存储器模块的存取效能。
[0090]虽然本发明已以实施例揭露如上,然其并非用以限定本发明,任何所属技术领域中具有通常知识者,在不脱离本发明的精神和范围内,当可作些许的更动与润饰,故本发明的保护范围当视所附的权利要求范围所界定者为准。
【主权项】
1.一种错误处理方法,用于一存储器控制电路单元,其中多个通道电性连接在该存储器控制电路单元与一可复写式非易失性存储器模块之间,其特征在于,该错误处理方法包括: 取得对应该多个通道中的一第一通道的一完成事件; 判断该完成事件是否为一失败事件; 若该完成事件为该失败事件,停止该第一通道的一运作,并且对该第一通道所对应的一计数值执行一第一更新运算; 若该完成事件不是该失败事件,维持该第一通道所对应的该计数值不变;以及 处理该完成事件,其中处理该完成事件的步骤包括: 若该完成事件为该失败事件,对该第一通道所对应的该计数值执行一第二更新运
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