0_~可以由选择信号SEL〈1:N>分别接通/断开。选择信号SEL〈1:N>还可以分别控制联接单元460_1至460_N的接通/断开。传输门470_1至470_N可以分别包括N对NM0S晶体管NT_1至NT_N和PM0S晶体管PT_1至ΡΤ_Ν。每一对PM0S晶体管ΡΤ_1至ΡΤ_Ν和NM0S晶体管ΝΤ_1至ΝΤ_Ν可以在内节点IN和多个放电单元450_1至450_N中的相对应的一个之间以并联形式电联接。
[0063]传输门470_1至470_N可以使在多个放电单元450_1至450_N中未被选择的绝缘，使得没有电流流入未选择的放电单元。因此，当电容器440通过多个放电单元450_1至450_N中选择的一个放电单元来充电或放电时，包括在多个放电单元450_1至450_N中的寄生电容不会影响充电/放电速度。没有多个传输门470_1至470_N，当电容器440充电时，所有放电单元450_1至450_N的寄生电容会影响充电速度，并且当电容器440放电时，未选择的放电单元的寄生电容会影响放电速度。
[0064]图4的振荡器会根据预期的温度变化有效地阻断放电单元450_1至450_N的寄生电容在周期信号0SC的周期上的影响，使得周期信号0SC具有精确的周期。具体来说，周期信号0SC在特定温度可以具有更短的周期。
[0065]图5是分别在图1和4中说明的振荡器的时间与内电压曲线图。图5说明了在特定的温度取决于时间(t)的内电压VIN。作为一个示例，在图1和图4的振荡器中选择的放电单元的数量相同。
[0066]参照图5，t。表示放电单元开始放电操作的时间，并且V INT表示在放电操作的开始时间t。的内电压VIN。如图5所示，上文参照图1描述的振荡器的内电压VIN1总是高于上文参照图4描述的振荡器的内电压VIN2。
[0067]图1的振荡器将内电压从VINT降低至VREF1需要时间(t 2_t。)，该时间比图4的振荡器将内电压从VINT降低至VREF1所需的时间(tft。)更长。因此，在参考电压和温度条件相同的情况下，由图1的振荡器生成的周期信号具有比由图4的振荡器生成的周期信号更长的周期。
[0068]另外，在时间匕-t。)期间，图1和图4的振荡器的内电压分别达到电平VREF1和VERF2 (VREF2>VREF1)。因此，在相同的温度条件下针对周期信号的相同周期，图1的振荡器的参考电压应当使用比图4的振荡器更高的参考电压。
[0069]参考电压越高，包括在放电单元中的晶体管的温度-周期变化特征变得越差。参考电压越高，周期信号的周期变得对温度变化越不灵敏。因此，图4的振荡器可以有效地生成更响应于温度变化的周期信号。
[0070]图6是说明根据本发明的示意性实施例的存储器装置的框图。
[0071 ] 如图6所示，存储器装置可以包括命令输入单元610、命令解码器620、模式设置单元630、第一周期信号生成单元640、第二周期信号生成单元650、地址计数单元660、控制单元670和单元阵列680。单元阵列680可以包括多个字线WL，每个字线联接至一个或更多个存储器单元MC。
[0072]参照图6描述存储器装置。
[0073]命令输入单元610可以接收命令信号CMD。命令信号CMD可以包括多位信号。命令解码器620可以解码通过命令输入单元610接收的命令信号CMD，并且生成刷新命令REF、自刷新进入命令ENTRY，和自刷新退出命令EXIT。命令解码器620可以启用在刷新命令REF、自刷新进入命令ENTRY和自刷新退出命令EXIT当中由输入命令信号CMD的组合表示的命令。
[0074]模式设置单元630可以设置存储器装置的自刷新模式。模式设置单元630可以控制存储器装置以响应于自刷新进入命令ENTRY进入自刷新模式，并且控制存储器装置以响应于自刷新退出命令EXIT从自刷新模式退出。针对此操作，模式设置单元630可以响应于自刷新进入命令ENTRY启用表示自刷新模式的自刷新模式信号SELF_M0DE，并且响应于自刷新退出命令EXIT停用自刷新模式信号SELF_M0DE。
[0075]当启用自刷新模式信号SELF_M0DE时，第一周期信号生成单元640可以生成具有固定周期的第一周期信号0SC1。不管在存储器装置中的温度变化，固定周期可以是恒定的。
[0076]当自刷新模式信号SELF_M0DE被启用时，第二周期信号生成单元650可以生成具有根据温度变化的周期的第二周期信号0SC2。第二周期信号生成单元640可以包括图3或图4的振荡器。自刷新周期可以根据温度确定，并且图3或图4的振荡器可以根据温度更精确地调整其自刷新周期，由此提高存储器装置根据温度的自刷新周期特性。第二周期信号0SC2的周期会随着温度升高变得更短，或随着温度下降变得更长。尽管在图3和图4中没有说明，比较单元310和410以及控制单元470可以接收自刷新模式信号SELF_M0DE。比较单元310和410以及控制单元470可以响应于启用的自刷新模式信号SELF_M0DE被激活以执行上述操作，或响应于停用的自刷新模式信号SELF_M0DE被去活。
[0077]控制单元670可以响应于刷新命令REF刷新单元阵列680。在这种情况下，当自刷新模式信号SELF_M0DE被启用时，控制单元670可以根据在自刷新模式下在第一和第二周期信号0SC1和0SC2之间的较短周期刷新单元阵列680。
[0078]针对上述操作，控制单元670可以包括自刷新信号生成器671、刷新信号生成器672和字线控制器673。当启用自刷新模式信号SELF_M0DE时，自刷新信号生成器671可以比较第一和第二周期信号0SC1和0SC2，并且在对应于具有较短周期的周期信号的周期启用自刷新信号SELF。用于参考，自刷新信号SELF的周期可以等于或划分自第一周期信号0SC1和第二周期信号0SC2中较短的周期。刷新信号生成器672可以响应于刷新命令REF启用刷新信号REFP。当启用自刷新模式信号SELF_M0DE时，刷新信号生成器672可以响应于自刷新信号SELF启用刷新信号REFP。当启用刷新信号REFP时，字线控制器673可以刷新对应于计数地址CNT_ADD的字线WL。
[0079]地址计数单元660可以生成计数地址CNT_ADD，并且每当启用刷新信号REFP，就改变计数地址CNT_ADD的值。每当启用刷新信号REFP时，地址计数单元660可以将计数地址CNT_ADD的值加1。当将计数地址CNT的值加1时，其表示计数信息被改变，使得当先前第K字线WLK被选择时，此次第(K+1)字线被选择。
[0080]当存储器装置不是在自刷新模式下时，存储器装置可以响应于刷新命令REF顺序地刷新包括在单元阵列380中的多个字线WL。在自刷新模式下，存储器装置可以响应于自刷新信号SELF顺序地刷新多个字线WL。
[0081]图7说明使用图1和图4分别所示的振荡器的存储器装置的温度与刷新周期曲线图。图7示出了存储器装置取决于温度T的自刷新周期(t)。
[0082]参照图7，第一曲线L1说明根据图1的振荡器的自刷新周期，第二曲线L2说明根据图4的振荡器的自刷新周期。
[0083]自刷新周期可以根据在图6的第一周期信号0SC1和第二周期信号0SC2间具有较短周期的周期信号的周期来确定。因此，当存储器装置的温度对应于预定温度！\或T 2时，自刷新周期可以由第一周期信号0SC1确定。因此，如〖_所示，低于预定温度TiST”自刷新周期是恒定的。但是，当存储器装置的温度开始等于或大于预定温度!\或T 2时，自刷新周期可以由第二周期信号0SC2确定。因此，自刷新周期可以随着温度升高而减小。
[0084]在虚线L1的情况下，由振荡器生成的周期信号0SC的周期变化对温度相对不敏感，也就是，周期变化的斜率小。因此，周期信号0SC的周期可以从相对低温!\起由第二周期信号0SC2确定。因此，自刷新周期从相对低温!\开始变得更短。
[0085]在实线L2的情况下，由振荡器生成的周期信号0SC的周期变化对温度相对敏感，也就是，周期变化的斜率大。因此，周期信号0SC的周期可以从相对高温1~2起由第二信号0SC2确定。因此，自刷新周期从相对低温1~2开始变得更短。
[0086]当自刷新周期变得更短，执行刷新操作所需的存储器装置的电流消耗和功率消耗会增加。另外，当自刷新周期不是充分响应于温度时，存储器单元MC的保持时间变化可能不会根据温度被补偿并且数据可能会丢失。使用图3或图4的振荡器的存储器装置可以适当地根据温度改变自刷新周期，由此根据存储器装置的温度变化适当地补偿存储器单元MC的保持时间变化，而同时将电流消耗和功率消耗降为最小。
[0087]图8是说明根据本发明的示意性实施例的振荡器的电路图。
[0088]如图8所示，振荡器可以包括比较单元810、反相单元820、上拉驱动单元830、电容器840、多个放电单元850_1至850_N、多个选择元件860_1至860_N和控制单元870。
[0089]比较单元810、反相单元820、上拉驱动单元830和电容器840可以以和参照图1描述的比较单元110、反相单元120、上拉驱动单元130和电容器140相同的方式被配置和操作。
[0090]多个放电