单元850_1至850_N可以被联接至内节点N。当放电单元850_1至850_N中的每一个均被选择，且内节点IN的电压变得比预定电压高时，放电单元可以使电容器840放电。放电单元850_1至850_N中的每一个可以包括串联联接的一个或更多个二极管D1DE。此时，每一个二极管可以包括NM0S晶体管NT，该晶体管的漏极D和栅极G彼此联接。也就是，放电单元850_1至850_N中的每一个可以被设置为如类型1或类型2所示的方式。使内节点IN放电的放电单元850_1至850_N的放电取决于温度而不同。多个放电单元850_1至850_~可以在温度和放电间具有相同的关系，或放电单元850_1至850_N中的一个或更多个可以在温度和放电之间具有不同的关系。
[0091]当相对应的放电单元850_1至850_N被选择时，多个选择元件860_1至860_N可以接通，并且联接在相对应的放电单元850_1至850_N和内节点IN之间或联接在相对应的放电单元850_1至850_~和放电端801之间。图8是说明多个选择元件860_1至860_N是联接在相对应的放电单元850_1至850_N和内节点IN之间的NM0S晶体管NT_1至NT_N的情况。
[0092]图9A至9C是说明根据本发明的示意性实施例的振荡器的电路图。多个选择元件860_1至860_N可以取决于设计分别包括如图9A所示的联接在内节点IN和相对应的放电单元850_1至850_N之间的传输门PG_1至PG_N、如图9B所示的联接在放电端801和相对应的放电单元850_1至850_N之间的NM0S晶体管NT_1至NT_N，或如图9C所示的联接在放电端801和相对应的放电单元850_1至850_N之间的传输门PG_1至PG_N。另选地，多个选择单元860_1至860_N可以分别包括联接在内节点IN和相对应的放电单元850_1至850_N之间的PM0S晶体管或联接在放电端801和相对应的放电单元850_1至850_N之间的PM0S晶体管。这样，多个选择元件的位置和类型可以以多种方式设计。
[0093]当在多个选择信号SEL〈0:N>中的相对应的选择信号被启用至高电平时，可以接通多个选择元件860_1至860_N。当接通多个选择元件860_1至860_1^时，当内节点IN的电压增加至预定电平或以上时，内节点IN可以被放电。在图9A和9C中，对应于传输门PG_1至PG_N的选择信号可以包括选择信号SEL〈0:N>和通过将选择信号SEL〈0:N>反相而获得的选择信号SELB〈0:N>。当启用选择信号SEL〈0:N>时，选择信号SEL〈0:N>可以具有高电平，并且当启用选择信号SELB〈0:N>时，选择信号SELB〈0:N>可以具有低电平。
[0094]控制单元870可以响应于温度信息TEMP_INF在多个放电单元850_1至850_N中选择一个或更多个放电单元。控制单元870可以启用对应于在多个放电单元850_1至850_N中选择的放电单元的选择信号。控制单元870可以根据温度信息TEMP_INF随着温度升高选择较大数量的放电单元或随着温度下降选择较少数量的放电单元。例如，假设振荡器包括三个放电单元并且参考温度由T1和T2表示(T2>T1)。参照温度信息TEMP_INF，当电流温度低于参考温度T1时，控制单元870可以只选择一个放电单元850_1，当电流温度高于参考温度T1并且低于参考温度T2时，选择两个放电单元850_1和850_2，或当电流温度高于参考温度T2时，选择三个放电单元850_1至850_3。
[0095]由于二极管D1DE的放电能力取决于温度而不同，输出至输出节点OUT的周期信号OSC的周期可以根据温度变化。具体来说，由于选择的放电单元的数量基于参考温度T1和T2不同，在温度和周期信号0SC的周期之间的函数关系可以在参考温度T1和T2的左侧和右侧而不同。例如，假设振荡器包括三个放电单元，并且在三个放电单元中选择的放电单元的数量在参考温度T1和T2的左侧和右侧而不同。因此，当前温度T低于参考温度ΤΙ (T<T1)时的温度-周期函数、当前温度高于参考温度T1并且低于参考温度T2 (T2>T>T1)时的温度-周期函数和当前温度T高于参考温度(T>T2)时的温度-周期函数可以不同。
[0096]通过上述配置和操作，振荡器可以根据温度来调整周期。图6的存储器装置的第二周期信号生成单元640可以包括图8、9A、9B或9C的振荡器。使用振荡器，存储器装置可以将整个部分划分成多个部分(例如，T>T1的部分、T2>T>T1的部分和T2〈T的部分)，并且在各部分中根据温度适当地调整自刷新周期。
[0097]根据本发明的实施例，振荡器可以有效地绝缘由电路的内部部件生成的电容，并且生成周期信号，该周期信号在根据温度确定的周期精确地振荡。
[0098]另外，存储器装置可以使用上述振荡器将功率消耗降为最小的同时根据温度优化自刷新周期。
[0099]尽管出于说明的目的，描述了各实施例，但对本领域技术人员而言显而易见的是，在不偏离随附权利要求书限定的本发明精神和范围的情况下，可以进行各种修改和变型。
【主权项】
1.一种振荡器，其包括: 比较装置，其适于通过将内节点的内电压与参考电压进行比较生成比较信号； 反相单元，其适于将所述比较信号反相并且将反相的比较信号传送至输出节点； 上拉驱动单元，其适于响应于所述输出节点的所述电压上拉驱动所述内节点； 放电单元，其适于使所述内节点放电；以及 门单元，其联接在所述内节点和所述放电单元之间，并且响应于所述输出节点的所述电压接通/断开，其中包括在所述振荡器中的电容性负载的至少部分电联接至所述内节点。2.根据权利要求1所述的振荡器，其中所述门单元包括以并联形式电联接的NMOS晶体管和PMOS晶体管。3.根据权利要求1所述的振荡器，其中所述反相单元包括奇数个串联联接的反相器。4.根据权利要求1所述的振荡器，其中所述放电单元包括一个或更多个串联联接的NMOS晶体管，并且其中每个所述NMOS晶体管均用作二极管。5.根据权利要求1所述的振荡器，其中所述上拉驱动单元和所述门单元响应于所述输出节点的所述电压被交替地启用。6.根据权利要求1所述的振荡器，其进一步包括联接单元，所述联接单元联接在所述放电单元和接地电压之间，并且响应于所述输出节点的所述电压操作。7.根据权利要求1所述的振荡器，其中所述放电单元的放电速度随着其温度下降而减慢，并且随着温度升高而加快。8.一种振荡器，其包括: 比较装置，其适于通过将内节点的内电压与参考电压进行比较生成比较信号； 反相单元，其适于将所述比较信号反相并且将反相的比较信号传送至输出节点； 上拉驱动单元，其适于响应于所述输出节点的所述电压上拉驱动所述内节点； 选择单元，其适于响应于选择信息和所述输出节点的所述电压生成控制信号； 多个放电单元，每一个均响应于所述控制信号操作并且适于使所述内节点放电；和多个门单元，其联接在所述内节点和在所述多个放电单元中的相对应的放电单元之间，并且响应于所述控制信号接通/断开； 其中包括在所述振荡器中的电容性负载的至少部分电联接至所述内节点。9.一种存储器装置，其包括: 单元阵列，其包括多个存储器单元； 第一信号生成单元，其适于生成具有固定周期的第一信号； 第二信号生成单元，其适于生成具有可变周期的第二信号；和控制单元，其适于在自刷新模式下，根据所述固定周期和可变周期之中较短的一个刷新所述存储器单元， 其中所述第二信号生成单元包括: 多个放电单元，其适于使内节点放电；和 多个门单元，其分别电联接在所述内节点和所述多个放电单元之间，并且当选择所述多个放电单元中的相对应的一个时，每一个门单元均根据所述第二信号操作， 其中所述可变周期对应于由所述多个放电单元中被选择的放电单元使所述内节点放电的速度，其中包括在所述振荡器中的电容性负载的至少部分电联接至所述内节点。10.一种振荡器，其包括: 比较装置，其适于通过将内节点的内电压与参考电压进行比较生成比较信号； 反相单元，其适于使所述比较信号反相并且将反相比较信号传送至输出节点； 上拉驱动单元，其适于响应于所述输出节点的所述电压上拉驱动所述内节点；和 多个放电单元，其适于使所述内节点当被选择时放电，其中包括在所述振荡器中的电容性负载的至少部分电联接至所述内节点。
【专利摘要】本发明涉及一种振荡器，该振荡器包括：比较装置，其适于通过将内节点的内电压与参考电压进行比较生成比较信号；反相单元，其适于将比较信号反相并且将反相的比较信号传送至输出节点；上拉驱动单元，其适于响应于输出节点的电压上拉驱动内节点；放电单元，其适于使内节点放电；以及门单元，其联接在内节点和放电单元之间，并且响应于输出节点的电压接通/断开，其中包括在振荡器中的电容性负载的至少部分电联接至内节点。
【IPC分类】G11C11/406
【公开号】CN105261388
【申请号】CN201410844624
【发明人】李莹旭, 金胜燦
【申请人】爱思开海力士有限公司
【公开日】2016年1月20日
【申请日】2014年12月30日
【公告号】US9378802, US20150371699