专利名称：具有增强结合强度的结构和形状的to－220引线框架的制作方法
技术领域：
本实用新型属于半导体分立器件技术领域。
背景技术：
根据中华人民共和国原电子工业部标准SJ/T10585-94，TO-220引线框架的结构如图1所示，它由散热固定部1、芯片部2、中间管脚3和侧管脚4、5构成。散热固定部1和芯片部2为一个连续整体的两部分，不论是正面还是背面，都没有沟槽分界。芯片部2为等腰梯形。中间管脚3与散热固定部1芯片部2三者连为一体。侧管脚4、5在后续的封装工艺中与引线框架主体连为一体。
发明内容
现有技术中的TO-220引线框架与塑封料的接合、密封强度较低，一方面是由于引线框架材料和塑封料材料热物理性能存有无法克服的差异，如热膨胀系数；另一方原因则不论是引线框架各组成部分本身，还是各组成部分的连接，其形状和结构都过于平滑和简单。因此，有必要在现有引线框架上增加各种凸凹结构和形状，以增强塑封料与引线框架的结合强度，增强密封性，从而抗机械冲击、耐热疲劳以及避免湿气、腐蚀性气体对芯片的侵蚀。为此，我们设计了本实用新型之具有增强结合强度的结构和形状的TO-220引线框架。
本实用新型是这样实现的，参见图2，在现有技术之TO-220引线框架基础上，提出如下设计1、在散热固定部1和芯片部2连接处两端开豁口6、7，形成引线框架的颈部8；2、在颈部8正面开双层槽，双层槽左、右各有端部；
3、在芯片部2两腰和底部边缘制有凹凸台；4、在侧管脚4、5根部各开有销孔9、10，均为通孔；5、在中间管脚3、侧管脚4、5根部各划过两条V型划痕11，上面的一条划痕与销孔9、10相割，下面的一条划痕与销孔9、10相离。
塑封料按图2虚线所示轮廓封装芯片，充满豁口6和7、颈部8正面的双层槽、销孔9和10以及两条划痕11，另外，也填充进芯片部2两腰及底部边缘凹凸台的凹处，而凹凸台的凸处则嵌入塑封料中。由于本实用新型对现有TO-220引线框架在结构和形状方面做了上述的五点设计，实现了上述的填充和镶嵌，正是由于这些填充和镶嵌，使得塑封料和引线框加的结合更为牢固，密封更为良好，从而具有更强的抗机械冲击能力、更长的间歇工作寿命和更有效地阻止湿气、腐蚀性气体对芯片的侵蚀。
图1是现有技术中的TO-220引线框架示意图。图2是本实用新型之TO-220引线框架示意图。图3是双层槽的剖面示意图。图4是凹凸台的剖面示意图。图5是V形划痕的剖面示意图。
具体实施方式
参见图2、3、4、5，首先开豁口6、7，形成颈部8。然后在颈部8正面开双层槽，上层为条状沉槽12，下层为燕尾槽13，各深0.15mm，双层槽左、右各有端部，并不贯通颈部8。第三，将梯形芯片部2的两腰和底部制出凹凸台，详见图4，前部凹进，中间尖状凸起，凹部高(h)为0.40mm，凸台宽(w)为0.50mm。第四，在侧管脚4、5根部各开销孔9、10，孔径为0.6mm。最后在各管脚根部正面划两道V型划痕11，划痕深(d)不小于0.05mm，V形夹角(θ)为90°。
权利要求1.一种具有增强结合强度的结构和形状的TO-220引线框架，由散热固定部(1)、芯片部(2)、中间管脚(3)和侧管脚(4、5)构成，芯片部(2)为等腰梯形，前三部分连为一体，侧管脚(4、5)通过后续的封装工艺与引线框架主体相连，其特征在于(1)在散热固定部(1)和芯片部(2)连接处两端开豁口(6、7)，形成引线框架颈部(8)；(2)在颈部(8)正面开双层槽，双层槽左、右各有端部；(3)芯片部(2)的两腰及底部边缘制成凹凸台；(4)在侧管脚(4、5)的根部开有销孔(9、10)，均为通孔；(5)在各管脚(3、4、5)根部划过两条V形划痕(11)，上面的划痕与销孔(9、10)相割，下面的划痕与销孔(9、10)相离。
2.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于双层槽上层为条状沉槽(12)，下层为燕尾槽(13)。
3.根据权利要求1所述的引线框架，其特征在于凹凸台前部凹进，中间呈尖状凸起。
专利摘要具有增强结构强度的结构和形状的TO－220引线框架，属于半导体分立器件技术领域。现有TO－220引线框架其结构和形状过于简单和平滑，塑封料不能与其牢固结合，导致抗机械冲击性差、间歇工作寿命短和密封不良，易使芯片遭受湿气和腐蚀性气体的侵蚀。本实用新型为这种引线框架设计了豁口、双层槽、凹凸台、销孔和V形划痕。这一设计增加了塑封料与引线框架的结合强度。可应用于半导体分立器件的引线框架技术领域。
文档编号H01L23/48GK2618301SQ0324637
公开日2004年5月26日 申请日期2003年4月19日 优先权日2003年4月19日
发明者李军, 邵士成, 佐义忠 申请人:吉林华微电子股份有限公司