专利名称：提高直流/直流升压集成电路输出电压精度的工艺方法
技术领域：
本发明涉及集成电路领域，尤其涉及一种提高直流/直流升压集成电路输出电压精度的工艺方法。
背景技术：
随着信息技术的发展，掌上型电子信息产品的发展愈来愈多，与之配套的集成电路迅速发展，其中各种类型的电源管理电路是一个非常重要的部分，直流/直流(DC/DC)升压集成电路就是其中之一。
该类电路是国外90年代后期开始发展并伴随便携式设备的发展迅速的得到推广应用，近年来该类电路产品更是得到迅速发展，主要用于1-4节电池供电的设备升压电路，如·无线鼠标、无线键盘、照相机、摄象机等升压电源部分；·MP3、VCR、PDA、电子字典、POS等便携式设备的升压电源；·手持电话、电动玩具等升压电源；·要求提供电压比电池所能提供电压高的设备的电源部分；·太阳能电池充放电电路；·各色LED光源驱动。
该类电路主要有两大类一种以电容储能方式工作的电荷泵电路；另一种以电感器储能方式的升压器电路。
电荷泵电路有更好的转换效率(可以高达92％)，但缺点是成本高，加工工艺技术难度高，并且输出能力较小；电感型的DC/DC升压集成电路由振荡器、VFM/PWM控制电路、LX低阻开关驱动晶体管、基准电压单元、高速比较放大器、电压采样电阻、LX开关保护电路等部分组成，具有低纹波、高效率等特点和良好的瞬态响应和启动特性，电路成本较低，并且有非常好的驱动能力；特别是近年来随着白色LED等各种光谱新型节能光源的迅速推广，该电路是不可缺少的驱动电路，市场前景非常广阔。
但是，如何精确控制输出电压的精度(主要方法是电路中的多晶电阻的精度)是CMOS升压电路的主要技术难题。
目前，一般的是通过采用激光修正取样电阻的技术方法来调整输出电压的精度。该项技术前期投资非常高，仅激光修正设备就需几十万美金，由于需要对每个芯片进行多次修正，加工成本非常高。
发明内容
本发明需要解决的技术问题是提供了一种提高直流/直流升压集成电路输出电压精度的工艺方法，旨在解决目前激光修正方案成本高的缺陷。
为了解决上述技术问题，本发明是通过调整和控制多晶电阻的方法实现的，主要步骤为在集成电路芯片设计版图时，将输出电压修正点放在划片槽内，测试调整点可分别为2-10个，在探针测试修正输出电压时，通过在划片槽内的测试调整点加电流熔断相应的金属连线；在集成电路工艺加工流程中，采用合金温度为420-480℃，时间为40-100分钟，工艺气体为H2+N2；与现有技术相比，本发明的有益效果是由于采用了从集成电路芯片设计，芯片加工到芯片测试多方案精度修正技术，利用标准半导体平面加工工艺和通用的测试设备，成本大为降低，不需附加设备也达到理想的输出电压精度。
图1是测试调整用电压修正点位置示意图；图2是多晶电阻与合金时间的关系曲线图；具体实施方式
下面结合附图与具体实施方式
对本发明作进一步详细描述实施例1本发明是通过以下步骤实现的在集成电路芯片设计版图时，将输出电压修正点放在划片槽内，测试调整点为2个；由于划片槽的作用是在封装前将芯片分割开，该区域是不能作为有效图形区的，而本发明在芯片分割前利用该压点完成修正输出电压精度，即在探针测试修正输出电压时，通过在划片槽内的测试调整点加电流熔断相应的金属连线达到修正输出电压的目的，划片时该压点已不再起作用，这样可以有效的利用面积；在集成电路工艺加工流程中，采用合金温度为420℃，时间为100分钟，工艺气体为H2+N2 2；实施例2同实施例1，其中步骤1中，测试调整点为10个；步骤2中，温度为480℃，时间为40分钟；实施例3同实施例1，其中步骤1中，测试调整点为4个；步骤2中，温度为460℃，时间为80分钟；本发明有效利用合金过程中，多晶电阻随时间达到饱和值，采用延长合金时间和适当提高温度的方法，使多晶电阻的均匀性和稳定性有明显提高.见图2参考曲线；在集成电路制造过程中，通过延长合金时间，可以使多晶电阻阻值逐步下降并达到稳定值，片内和片间均匀性明显提高。
通过本发明得到的输出电压精度达到了2％，而成本远低于其它公司，如日本理光，TORIX，台湾AIC等著名生产电源管理电路的公司的同类产品的精度均为2.5％，台湾RICHTEK为2％。
权利要求
1.一种提高直流/直流升压集成电路输出电压精度的工艺方法，是通过调整和控制多晶电阻的方法实现的，主要步骤为在集成电路芯片设计版图时，将输出电压修正点放在划片槽内，测试调整点可分别为2-10个，在探针测试修正输出电压时，通过在划片槽内的测试调整点加电流熔断相应的金属连线(1)；在集成电路工艺加工流程中，采用合金温度为420-480℃，时间为40-100分钟，工艺气体为H2+N2(2)。
2.根据权利要求1所述的调整直流/直流升压集成电路输出电压精度的工艺方法，其中步骤(1)中，测试调整点4个；步骤(2)中，温度为460℃，时间为80分钟。
全文摘要
本发明涉及一种提高直流/直流升压集成电路输出电压精度的工艺方法，是通过以下步骤实现的在集成电路芯片设计版图时，将输出电压修正点放在划片槽内，测试调整点可分别为2－10个，在探针测试修正输出电压时，通过在划片槽内的测试调整点加电流熔断相应的金属连线(1)；在集成电路工艺加工流程中，采用合金温度为420－480℃，时间为40－100分钟，工艺气体为H2+N2(2)；本发明的有益效果是由于采用了从集成电路芯片设计，芯片加工到芯片测试多方案精度修正技术，利用标准半导体平面加工工艺和通用的测试设备，成本大为降低，不需附加设备也达到理想的输出电压精度。
文档编号H01L21/70GK1710709SQ20041002519
公开日2005年12月21日 申请日期2004年6月16日 优先权日2004年6月16日
发明者李金林 申请人:上海镭芯微电子有限公司