专利名称：一种侧墙制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种侧墙制作方法。
背景技术：
在1微米以下的半导体生产工艺中一般都会使用侧墙的结构，侧墙一般用来环绕多晶硅栅，防止更大剂量的源漏注入过于接近沟道以致可能发生源漏穿通。
在一般的0.15微米以上的D形貌的侧墙生产工艺大致如图1所示，首先是用化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，以下简称CVD)的方法在硅表面生长一层二氧化硅薄膜，然后再用CVD方法在二氧化硅薄膜上面生长一层氮化硅薄膜，再进行侧墙刻蚀。成长的一层二氧化硅薄膜可以防止下面生长的氮化硅薄膜直接生长在硅片表面而造成的应力缺陷，而第二步中所生长的氮化硅薄膜是作为侧墙的主要组成部分。
随着半导体工艺的发展，半导体工艺的线宽越来越小，到了0.13微米以下的工艺中，如果采用现有的工艺，就会产生许多的问题。随着多晶硅线条之间距离的越来越窄，CVD填充氮化硅的能力会受到限制，出现中间有空洞的现象。刻蚀之后会引起侧墙整个形貌的变化，从而造成器件的失效。在0.13微米以下的工艺中，若采用已有的工艺，生长氮化硅薄膜之后侧墙的形貌如图2所示，侧墙刻蚀后侧墙的形貌如图3所示。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种侧墙制作方法，应用在0.13微米以下的工艺中，可以得到理想的侧墙形貌。
为解决上述技术问题，本发明一种侧墙制作方法，包括以下步骤，第一步，在硅片表面生长二氧化硅薄膜；第二步，在二氧化硅薄膜上面生长氮化硅薄膜；第三步，侧墙刻蚀；第四步，重复步骤二和三，直至获得宽度为500-800埃的“D”形状的侧墙。
作为本发明一种优选技术方案的一种侧墙制作方法，第一步中最好采用化学气相沉积方法生长二氧化硅薄膜。
作为本发明另一种优选技术方案的一种侧墙制作方法，第二步中最好采用化学气相沉积方法生长氮化硅薄膜。
作为本发明另一种优选技术方案的一种侧墙制作方法，第二步中生长的氮化硅薄膜厚度最好为200-600埃。
作为本发明另一种优选技术方案的一种侧墙制作方法，第三步中的侧墙刻蚀最好为干刻刻蚀。
与已有技术中的化学机械抛光机相比，本发明一种侧墙制作方法，在硅片表面生长二氧化硅薄膜之后，重复第二步的在二氧化硅薄膜上面生长氮化硅薄膜，以及第三步的侧墙刻蚀，使得在0.13微米以下的工艺中，可以得到理想的侧墙形貌。
下面结合附图和实施例对本发明作进一步描述图1为已有工艺的一种侧墙制作方法工艺流程图；图2为已有技术的侧墙制作方法生长氮化硅薄膜后侧墙结构图；图3为已有技术的侧墙制作方法侧墙刻蚀后侧墙结构图；图4为本发明第一次生长氮化硅薄膜后侧墙结构图；图5为本发明进行第一次侧墙刻蚀后侧墙结构图；图6为本发明第二次生长氮化硅薄膜后侧墙结构图；图7为本发明进行第二次侧墙刻蚀后侧墙结构图；图8为本发明一种侧墙制作方法流程图。
具体实施例方式
如图8所示，本发明一种侧墙制作方法，包括以下步骤包括以下步骤，第一步，在硅片表面生长二氧化硅薄膜；第二步，在二氧化硅薄膜上面生长氮化硅薄膜；第三步，侧墙刻蚀；第四步，重复步骤二和三，直至获得宽度为500-800埃的“D”形状的侧墙。
下面进行详细说明，为了防止多晶硅线条之间在用CVD方法生长氮化硅的时候出现空洞，在先用CVD方法生长一层二氧化硅薄膜之后，然后再用CVD方法生长一层氮化硅薄膜，其厚度约为正常生长膜厚厚度的1/2-1/4，即200-600埃。侧墙结构图如图4所示。再进行各向异性的侧墙干刻刻蚀，在增加一些过量的干刻刻蚀后，侧墙结构图如图5所示。然后，再进行清洗，在去除由于刻蚀而产生副生成物之后，再用CVD方法生长一层氮化硅薄膜，其厚度约为正常生长膜厚厚度的1/2-1/4，即200-600埃。侧墙结构图如图6所示。再重复上面的各向异性的侧墙干刻刻蚀，然后再用CVD方法生长一层氮化硅薄膜，进行各向异性的侧墙干刻刻蚀，直到获得理想的侧墙图形，直到侧墙结构图如图7所示。
权利要求
1.一种侧墙制作方法，其特征在于，包括以下步骤，第一步，在硅片表面生长二氧化硅薄膜；第二步，在二氧化硅薄膜上面生长氮化硅薄膜；第三步，侧墙刻蚀；第四步，重复步骤二和三，直至获得宽度为500-800埃的“D”形状侧墙。
2.如权利要求1所述的侧墙制作方法，其特征在于，第一步中采用化学气相沉积方法生长二氧化硅薄膜。
3.如权利要求1所述的侧墙制作方法，其特征在于，第二步中采用化学气相沉积方法生长氮化硅薄膜。
4.如权利要求1所述的侧墙制作方法，其特征在于，第二步中生长的氮化硅薄膜厚度为200-600埃。
5.如权利要求1所述的侧墙制作方法，其特征在于，第三步中的侧墙刻蚀为干刻刻蚀。
全文摘要
本发明公开了一种侧墙制作方法，包括以下步骤，首先生长二氧化硅薄膜；再生长氮化硅薄膜；第三步，侧墙刻蚀；第四步，重复步骤二和三，直至获得宽度为500－800埃的“D”形状的侧墙。本发明公开了一种侧墙制作方法，在硅片表面生长二氧化硅薄膜之后，重复第二步的在二氧化硅薄膜上面生长氮化硅薄膜，以及第三步的侧墙刻蚀，可以在0.13微米以下的工艺中，可以得到理想的侧墙形貌。
文档编号H01L21/336GK1909195SQ20051002853
公开日2007年2月7日 申请日期2005年8月5日 优先权日2005年8月5日
发明者周贯宇, 陈华伦, 钱文生, 陈晓波, 郭永芳 申请人:上海华虹Nec电子有限公司