专利名称：半导体工艺处理系统及其处理方法
技术领域：
本发明关于半导体制造设备技术领域，尤其涉及一种半导体工艺处理系统及其处理方法。
背景技术：
目前有两种常用的半导体工艺处理系统，一种是对工艺件进行批量处理的系统，而另一种则对工艺件进行单片处理。在批量处理系统中，多片工艺件被同时水平地或垂直地放置并进行处理。
由于装置内同时处理多片工艺件，因此工艺件之间的间距是极为有限的。这就需要以低气压处理来消除气体压力梯度，一般而言，在工艺件间距大于其厚度四分之一的情况下，压力应当小于500毫托，而这时的沉积速率会小于100A/min。这意味着需要更长的加工时间。
虽然单片处理系统在产品处理均一性、热效应以及单批加工速度方面具有优势，但是其低产能以及昂贵的生产成本显然是难以克服的致命缺陷。
为了解决以上问题美国专利第5855681号的背景部分提供了一种批量处理的系统。如图12所示，这种批量处理系统101具有处理腔室102，处理腔室中102具有多个处理平台103，这样处理腔室102就可以同时一次处理多片工艺件，而不必考虑工艺件之间的间距问题。
但是这类系统也同样存在一些问题，而影响工艺件的处理速度和品质，不能有效地进行大批量工艺件的同时处理。其中，主要影响处理品质的问题在于各个处理平台的处理条件的均一性。处理条件的均一性主要有两方面的影响，即反应气体和温度。一般如果处理平台之间密闭的话，则形成平台之间的热隔绝，各处理平台之间的温度均一难以控制；如果处理平台之间不密闭，则各处理平台之间的反应气体可能形成相互串扰，影响各处理平台之间处理气氛的均一性。
因此，目前的包含多个处理平台的处理腔室仍不能均一地进行大批量工艺件的同时处理。
此外，美国专利第6860965号提供了另一种工艺件批量处理系统。如图13所示，该系统简化了传送室111，实现了机台更小的占地面积。但是该系统装载系统112复杂，工艺件装载速度较慢，工序中需要留出一段时间用于等待工艺件的装卸，影响了生产效率。这就需要提供一种快速的工艺件装卸装置及方法，以减少装卸过程的等待时间，加快工艺件处理效率。
同时该专利中的工艺件处理装置只能拥有一个处理腔室113。因此减小了每个机台能够同时处理的工艺件的数量，增加了生产成本。
除此以外，现有的工艺件批量处理装置还存在着一个共同的问题，即机械结构复杂，不易维护，且传送装置在装卸或交换工艺件时，传送成本较高，使得单位产能下降。
发明内容
本发明的目的在于提供一种解决目前工艺件量产装置可靠性不高、机械结构复杂的问题的半导体工艺处理系统。
本发明是通过以下技术方法实现的一种半导体工艺处理系统，包括传送室和处理腔室，传送室设有传送装置，处理腔室具有装卸口，该传送装置具有至少两个可以分别伸缩的传送臂，该传送臂可以同时指向该处理腔室的同一装卸口，并且可以分别在竖直方向调整至正对所述的同一装卸口的位置，以完成工艺处理件的取放。
其中所述的两个传送臂处于指向装卸口的上下位置。该两个传送臂可以在传送室和处理腔室之间的水平面上旋转，并且传送装置的两个传送臂可以随传送装置的主轴上下移动；传送装置的每个传送臂都可以自由地前后伸缩。
所述的半导体工艺处理系统还包括至少一真空锁，该真空锁设有多个工艺件架，该传送臂可以同时指向真空锁的不同工艺件架的位置，以完成工艺处理件的取放。每个真空锁设有两个或四个工艺件架。真空锁分为上下两层，处于下层的工艺件架设有易于散热的垫片用以增强散热效果。
本发明的另一目的在于提供一种解决目前工艺件量产装置处理均一不高、不能高质量地进行工艺件批量处理的问题的半导体工艺处理系统。
本发明是通过以下技术方法实现上述目的的一种半导体处理腔室，包括多个处理平台，处理平台周围设有用于排气的放射状的槽，处理腔室周围设有排气通道，处理腔室的排气通道和处理平台的放射状的槽相连通，构成一个排气系统。
其中，所述的处理腔室包括腔室顶盖和腔室基盘，一抽气隔离板设置于腔室顶盖和腔室基盘之间，其中腔室顶盖具有若干个凸起的喷淋头，该抽气隔离板上具有与该喷淋头对应的若干个抽气隔离孔，在抽气隔离板下方的腔室基盘中具有与每个抽气隔离孔相对应的加热基座，该对应的喷淋头、抽气隔离孔和加热基座形成处理平台。抽气隔离板的周边设有多个放射状的槽。所述的放射状的槽的分布为靠近抽气隔离板周边的一侧较靠近抽气隔离盘中心的一侧疏。抽气隔离板周围还设置有与腔室顶盖的凹陷部的延伸部相对应的多个排气口。
在腔室基盘上设有至少一个用于排气的排气槽，且排气槽与抽气隔离板的排气口相连通。腔室基盘底部设有与该排气槽相通的排气通道，该排气通道与排气装置相连。
处理平台周围排出的气流形成的气幕形成过程为气体由本发明的喷淋头送入每个处理平台，由于进气系统的气压以及排气装置对气体的抽取，气体从每个处理平台的放射状槽中流出，由于气压的作用，气体的流速可以很快，在处理平台周围形成气幕。加热基座周围设有向上喷射的惰性气体气幕。
另一技术方案为一种半导体处理腔室，包括多个处理平台，还包括一个抽气隔离板放置在处理平台上，该抽气隔离板具有多个与处理平台对应的抽气隔离孔，在半导体处理过程中，通过抽气隔离孔使得各处理平台的反应环境相互隔离。
其中，该半导体处理腔室还包括腔室顶盖和腔室基盘，处理平台设置于腔室基盘内，抽气隔离板设置于腔室顶盖和腔室基盘之间。其中腔室顶盖具有若干个凸起的带有细孔的喷淋头。该抽气隔离板上的抽气隔离孔与该喷淋头相对应，并且在半导体工艺件处理过程中，喷淋头紧靠抽气隔离板的抽气隔离孔。在抽气隔离板下方的腔室基盘中具有与每个抽气隔离孔相对应的加热基座，该对应的喷淋头、抽气隔离孔和加热基座形成处理平台。抽气隔离孔的周边设有若干个放射状槽，该放射状的槽的分布为靠近抽气隔离板周边的一侧较靠近抽气隔离板中心的一侧疏。抽气隔离板周围还设置有与腔室顶盖的凹陷部的延伸部相对应的多个排气口。抽气隔离板的周围设有多个对称的排气口。在腔室基盘上靠近抽气隔离板周围设有至少一个用于排气的排气槽。腔室基盘底部设有与该排气槽相通的排气通道，该排气通道与排气装置相连。
所述的处理腔室中气流流向为反应气体由喷淋头送入每个处理平台，对放置在加热基座上的半导体工艺件进行处理，由于进气系统的气压以及排气装置对反应气体的抽取，反应气体从每个处理平台的抽气隔离板的放射状槽中流出，进入腔室顶盖的凹陷部，并向凹陷部的延伸部流动，经抽气隔离板的周围的排气口流至腔室基盘的排气槽中，再通过与排气槽相通的排气通道进入排气装置。
腔室基盘正对传送室一侧设有用于装卸工艺件的装卸口。加热基座底部通有惰性气体以防止微粒尘埃在加热基座下方沉积和薄膜生长。
本发明的再一目的在于提供一种解决目前工艺件量产装置工艺件装卸速度慢，工艺件处理效率低的问题的处理系统。
本发明是通过以下技术方法实现上述目的的一种半导体工艺处理系统的工艺件的传递方法，所述半导体工艺处理系统包括传送室和处理腔室，传送室内设置有传送装置，该传送装置具有至少两个位于上下位置且可以分别沿水平方向伸缩的传送臂，所述方法包括(1)传送装置的一个传送臂从处理腔室内的一个工艺处理件装卸口取出一片工艺处理件；(2)紧跟步骤(1)完成后，传送装置的另外一个传送臂将另外一片工艺处理件通过该工艺处理件装卸口放入处理腔室内。
其中，所述的传送装置可以在传送室内的水平面上旋转。传送装置的两个传送臂可以随传送装置的主轴上下移动。传送装置每次通过工艺件的装卸口装入或卸出一片工艺件。半导体工艺处理系统还包括真空锁，传送装置每次在真空锁中可取出两片工艺件。
本发明的另一技术方案为一种半导体工艺处理系统的工艺件装载方法，所述的半导体工艺处理系统包括真空锁、传送室、具有n个处理平台的处理腔室，处理腔室内设置有工艺件交换平台，其中传送室具有指向同一方向并且位于上下位置的至少两个传送臂的传送装置，在处理腔室内没有工艺件的情况下装载工艺件的步骤如下(1)传送装置利用其两个传送臂从真空锁中拿出两片工艺件；(2)将两个传送臂旋转至处理腔室的装卸口处，其中第一传送臂正对装卸口，将该第一传送臂所持的工艺件放在工艺件交换平台上，工艺件交换平台旋转n分之一圈；(3)传送装置的第二传送臂调整至正对装卸口处，将该第二传送臂所持的工艺件放在工艺件交换平台上；(4)两个传送臂返回真空锁再取两片工艺件，工艺件交换平台旋转n分之一圈；(5)重复上述步骤(2)、(3)、(4)，直至处理腔室装满。
其中，处理平台的个数n为自然数。处理腔室的数目为两个或三个。真空锁设有上下两层结构，其中上层是交换层用于工艺件的传送和交换，而下层则设有易于散热的垫片用以散热。真空锁内容纳两片或四片工艺件。
在步骤(5)完成后且等待所有的工艺件经过处理后，还进一步包括工艺件交换步骤，所述的工艺件交换步骤包括a.传送装置返回真空锁，并从真空锁中用第一传送臂取出一片未处理的工艺件；b.旋转传送装置，使其返回处理腔室位置，并使第二传送臂正对处理腔室的装卸口处；c.传送装置用第二传送臂通过装卸口从工艺件交换平台取出一片处理后的工艺件；d.调整传送装置位置，使第一传送臂正对装卸口，传送装置用第一传送臂通过装卸口向工艺件交换平台放入一片未处理的工艺件；e.传送装置的第二传送臂返回真空锁，并将第二传送臂取得的处理后的工艺件放入真空锁。
工艺件交换平台设有n对传送臂，其中工艺件交换平台可旋转使得每对传送臂与一个处理平台相对应。
一种半导体工艺处理系统的工艺件卸载方法，所述的半导体工艺处理系统包括真空锁、传送室、具有n个处理平台的处理腔室，处理腔室内设置有工艺件交换平台，其中传送室具有指向同一方向并且位于上下位置的至少两个传送臂的传送装置，在处理腔室是满的情况下卸载工艺件的步骤如下(1)传送装置用第一传送臂通过装卸口从工艺件交换平台取出一片工艺件；(2)工艺件交换平台旋转n分之一圈，调整第二传送臂位置使其正对装卸口；(3)传送装置用第二传送臂通过装卸口从工艺件交换平台取出一片工艺件；(4)传送装置的第二传送臂返回真空锁并将取得的两片工艺件放入真空锁；(5)重复上述步骤，直至处理腔室卸载完毕。
其中，处理平台的个数n为4自然数。处理腔室的数目为两个或三个。真空锁设有上下两层结构，其中上层是交换层用于工艺件的传送和交换，而下层则设有易于散热的垫片用以散热。工艺件交换平台设有n对传送臂，其中工艺件交换平台可旋转使得每对传送臂与一个处理平台相对应。
一种半导体工艺处理系统的工艺件交换方法，所述的半导体工艺处理系统包括真空锁、传送室、具有n个处理平台的处理腔室，处理腔室内设置有工艺件交换平台，其中传送室具有指向同一方向并且位于上下位置的至少两个传送臂的传送装置，在处理腔室有工艺件的情况下交换工艺件的步骤如下(1)传送装置返回真空锁，并从真空锁中用第一传送臂取出一片未处理的工艺件；(2)旋转传送装置，使其返回处理腔室位置，并使第二传送臂正对处理腔室的装卸口处；(3)传送装置用第二传送臂通过装卸口从工艺件交换平台取出一片处理后的工艺件；(4)调整传送装置位置，使第一传送臂正对装卸口，传送装置用第一传送臂通过装卸口向工艺件交换平台放入一片未处理的工艺件；(5)传送装置的第二传送臂返回真空锁，并将第二传送臂取得的处理后的工艺件放入真空锁。
其中，处理平台的个数n为4自然数。处理腔室的数目为两个或三个。真空锁设有上下两层结构，其中上层是交换层用于工艺件的传送和交换，而下层则设有易于散热的垫片用以散热。真空锁内容纳两片或四片工艺件。工艺件交换平台设有n对传送臂，其中工艺件交换平台可旋转使得每对传送臂与一个处理平台相对应。
本发明采用独特的传送装置工艺件传送结构，可以更加迅速地装卸工艺件，提高产能。本发明的处理腔室采用特殊设计的进排气系统，使得各处理平台之间形成反应气体幕障，可以提升各平台之间的均一度，避免了不同处理平台之间的反应气体串扰。
图1是本发明半导体工艺处理系统的立体结构示意图。
图2为本发明半导体工艺处理系统在省略处理腔室顶盖时的俯视图。
图3为本发明半导体工艺处理系统的处理腔室的结构分解示意图。
图4为本发明半导体工艺处理系统的一个处理腔室在腔室顶盖打开状态时的示意图。
图5为本发明半导体工艺处理系统的腔室基盘的底面示意图。
图6为本发明处理腔室的抽气隔离板的结构示意图。
图7为图4中所示的腔室基盘沿I-I线剖开的剖视图。
图8为本发明真空锁及传送室的结构示意图。
图9为本发明的传送装置位于处理腔室内的俯视图。
图10为本发明的工艺件交换平台位于处理腔室内的俯视图。
图11为本发明的半导体工艺件装载过程示意图。
图12为一种现有半导体工艺处理系统的示意图。
图13为另一种现有半导体工艺处理系统的示意图。
具体实施例方式
请参阅图1，图1是本发明半导体工艺处理系统的立体结构示意图。本发明由一个标准的工厂界面1、两个真空锁2、一个传送室3、一个或多个处理腔室4构成。其中，工厂界面1与真空锁2相邻。传送室3位于真空锁2和处理腔室4之间。多个处理腔室4可围绕传送室3设置。每一个处理腔室4中包含有多个处理平台5，每个处理平台5可处理一片半导体工艺件。在如图1所示的实施例中，半导体工艺处理系统包括两个处理腔室4，两个处理腔室4围绕传送室3设置。每一个处理腔室4上方均设置有一个腔室顶盖8，为了便于本发明的说明，其中一个处理腔室4的腔室顶盖8处于闭合状态，另一个腔室顶盖8处于打开状态。从闭合状态的腔室顶盖8上可以看到，处理腔室4的腔室顶盖8上设有一个反应气体供应装置6，该反应气体供应装置6可以通过进气管从腔室顶盖8的顶部向处理腔室4内不同的处理平台5输入反应气体。从打开着的腔室顶盖8中可以看到，腔室顶盖8内部具有一个凹陷部9，凹陷部9四周各有一个延伸部10。在凹陷部9中具有与处理平台1的个数相同的多个凸起的喷淋头11，喷淋头11上设有若干个均匀密布的细孔12以供反应气体供应装置6提供的反应气体输入处理平台5内。另外，在处理腔室4的支架侧边还设有进行工艺件处理所需的控制、排气以及动力装置7，为简洁起见，此处不详述。本发明每一处理腔室4可以共用一套清洁源及反应气体提供装置、排气泵和终端探测器。在等离子体化学气相沉积的情况下，同一处理腔室4的处理平台5之间还可以共用一套射频能量输入装置。
请参阅图2，图2是本发明半导体工艺处理系统在缺省处理腔室顶盖时的俯视图。图2中的实施例中，传送室3是五边形的，可以在其周围最多设置三个处理腔室4，图2的实施例中设置了两个，当然也可以只有一个处理腔室4。在其他一些实施例中，传送室3也可以是其他不同的形状，例如六边形。相应的，传送室3周围最多可设置的处理腔室4的数目也可以不同。如图2所示的实施例中处理腔室4是具有带有四个倒角的四边形，其内部设置有四个处理平台5。当然在其他的一些实施例中，处理腔室4也可以拥有其他不同的形状以及不同数目的处理平台5。
请参阅图3，图3为本发明半导体工艺处理系统中的处理腔室的结构分解示意图。在图3中，处理腔室包括腔室顶盖8、抽气隔离板13、工艺件交换平台25、加热基座19以及腔室基盘18。其中，加热基座19通过其中心轴31安装在腔室基盘18的轴孔31’中，抽气隔离板13、工艺件交换平台25和腔室基盘18沿如图所示的共同的轴心线上下安装在一起，腔室顶盖8与腔室基盘18机械连接在一起并且可以打开或闭合。当腔室顶盖8盖在腔室基盘18上时，腔室顶盖8和腔室基盘18内部形成一个密闭的工艺件处理腔室。需要说明的是，本发明中的处理腔室内部可以设置有多个工艺件处理平台，为了便于说明，在图3所示的实施例中，仅以四个工艺件处理平台为例。
腔室顶盖8向内凹陷，形成一个凹陷部9，该凹陷部9四周有延伸的突起状的延伸部10。当处理半导体工艺件时，腔室顶盖8与腔室顶盖合上，内部形成一个密闭反应腔体，反应气体会在凹陷部9内流动，并最终排出处理腔室(容后详述)。腔室顶盖8的凹陷部9内设置有四个从凹陷部9凸起的喷淋头11，喷淋头11上均匀分布着供反应气体输入的细孔12。
抽气隔离板13上设置有与喷淋头11的个数及位置相对应的若干个抽气隔离孔16。抽气隔离孔16的孔径上宽下窄，对应地，腔室顶盖8上的喷淋头11直径小于该抽气隔离孔16的上端直径，大于该抽气隔离孔16的下端直径，这种设置使得当腔室顶盖8盖在腔室基盘18时，喷淋头11和抽气隔离孔16有较紧密的接触。另外，抽气隔离板13周围还设置有四个与腔室顶盖8的凹陷部9的延伸部10相连通的排气口14。
工艺件交换平台25用于在各处理平台5之间传送工艺件，其具有一转轴孔33及沿转轴孔33外围均匀设置的与工艺件平台数目相对应对数的可开合的传送臂37，每一对传送臂37上用于放置工艺件。工艺件交换平台25可以旋转，并可以使每一对传送臂37正好位于一处理平台5的上方。本实施例中，抽气隔离板排气口工艺件交换平台25具有四对可开合的传送臂37与抽气隔离板13的抽气隔离孔16相对应。
加热基座19具有一个呈圆形的加热平台，加热平台下面的中心位置处有一个支撑杆31，可以在腔室基盘18中沿轴孔31’上下升降。加热平台上放置用于处理的工艺件。为了配合工艺件交换平台25在加热基座19上取放工艺件，加热基座19上还设有多个可沿腔室基盘18的轴孔20’上下移动的顶针20。顶针20的个数及排列方式可以有多种，在如图3所述的实施例中，每个加热基座19上具有三个呈三角形分布的顶针20。
结合参考图3和图4，腔室基盘18中间设有一个与工艺件交换平台25的转轴孔33共轴心的轴孔33’，工艺件交换平台25通过一转动机构(未图示)安装在腔室基盘18中的轴孔33’上。腔室基盘18内设置有4个工艺件处理平台5，每一个工艺件处理平台里面设置一个轴孔31’和三个轴孔20’，加热基座19的支撑杆31可在轴孔31’内上下升降，顶针20可在轴孔20’内上下升降。腔室基盘18正对一个工艺件处理平台5的一侧设置有一个供工艺件进出的工艺件装卸口23。腔室基盘18上在工艺件装卸口23相对两侧各设置有一个用于排气的排气槽17。腔室基盘18底部还设置有与排气通道21相连通的排气装置22。请再结合参考图7，图7是图4中所示的腔室基盘18沿I-I线剖开的剖视图。由图7可知，排气槽17和排气通道21之间通过一连接槽27使二者连通在一起。因此，排气槽17、排气通道21和排气装置22相互连通。
图6是本发明的抽气隔离板13的结构示意图，如图6所示，抽气隔离板13的抽气隔离孔16的周边设有若干个放射状的槽24，抽气隔离板13周围还设置有与腔室顶盖8的凹陷部9的延伸部10相连通的多个排气口14。
请结合参考图3，在工艺件处理时，腔室顶盖8盖在腔室基盘18上形成一个处理腔，在处理腔内，抽气隔离板13放置在腔室基盘18上，并且抽气隔离板13的每一个抽气隔离孔16正好位于加热基座19的上方，腔室顶盖8的喷淋头11与抽气隔离板13的抽气隔离孔16紧靠，加热基座19与抽气隔离板13紧靠，被处理的工艺件放在加热基座19与抽气隔离板13之间，工艺件交换平台25的传送臂37可以通过各种方式的设置使传送臂37位于不阻挡加热基座19的位置，从而不影响从喷淋头11上喷出的反应气体直接喷射到位于加热基座19上的工艺件上。由此，喷淋头11、抽气隔离板13和加热基座19形成一个处理平台5。反应气体供应装置6从腔室顶盖8的顶部通过喷淋头11上的细孔12给处理平台5输入反应气体。反应气体从喷淋头11上喷出来，对放置在加热基座19上的半导体工艺件进行处理，由于抽气隔离板13上设置有放射状槽24，使得腔室顶盖8上的喷淋头11与抽气隔离板13不能完全密闭，从喷淋头11上的密布的细孔12上进入处理平台5的反应气体在处理过工艺件后，经过由这些放射状槽24构成的抽气隔离板孔隙漏出，进入腔室顶盖8向内凹陷的凹陷部9，并向凹陷部9的延伸部10流动，由于延伸部10与抽气隔离板13的多个排气口14相连通，再由于排气装置22的作用，漏出的气体自动流至抽气隔离板13上的多个排气口14处，因为多个排气口14与设置在腔室基盘18上的排气槽17相连通，且由于排气槽17和排气通道21相连通，气体就由此通路进入了排气通道21，最终被排气装置22抽出，形成一个完整的进气排气系统。由于反应气体供应装置6的气压以及排气装置22对反应气体的抽取，整个进气排气系统的反应气体的流速可以很快，在处理平台5周围形成气幕，使得各个平台之间的反应气体不至于互相干扰。
进一步地，考虑到处理腔室4内部气压大小的不同而对反应气体的流速产生的影响，本发明将放射状槽24的分布设置为靠近抽气隔离板13周边的一侧较靠近抽气隔离板13中心轴孔35的一侧疏。这样对于每个放射状槽24中流出的反应气体流到排气装置22的难易程度是一致的，因而气流也就更加均匀。
由于处理腔室4内的处理平台5是对称设置的，每个处理平台5排出的反应气体所受到的阻碍是一致的。本发明通过靠近抽气隔离板13周围设置在腔室基盘18上的排气槽17使得排出的气体被均匀、迅速地被抽出，保证了多片工艺件之间的处理均一性。而且本发明采用了喷淋头11与抽气隔离板13之间的由放射状槽14构成的孔隙来作为处理平台5的排气口，使得处理平台5中的气流更为均匀，而且排出的气体形成了气幕，在腔室内部开放的条件下形成了气幕隔离，使得各处理平台的处理环境相对独立。此外还可以在加热基座19周围设有向上喷射的惰性反应气体气幕，进一步防止反应气体从加热基座19与抽气隔离板13之间的缝隙泄漏或进入。通过这些措施，可以有效地避免处理平台5之间反应气体的相互干扰。
请参考图2，图2为本发明半导体工艺处理系统在省略处理腔室顶盖时的俯视图。工艺件由工艺件匣经流水线送至本发明的半导体工艺处理系统，工厂界面1从工艺件匣中取出工艺件放置到真空锁2中。传送室3中设有一传送装置15，该传送装置15具有至少两个可以分别伸缩的传送臂(容后详述)。在图中所示的实施例中，传送装置15是一个具有两个传送臂的双臂机器人，当然也可以是包括两个以上传送臂的机器人。该传送装置15将工艺件自真空锁2中取出，放置到处理腔室4中的处理平台5里。在一个处理腔室4的所有处理平台5内放置完工艺件时，该处理腔室4就可以进行工艺件处理。处理完以后，再由传送室3中的传送装置15取出处理完的工艺件，同时在原位放入未处理的工艺件再进行下一批次的处理。取出的工艺件放入真空锁2中冷却。冷却完后再经由工厂界面1将其放置到流水线上的工艺件匣中送入下一个工艺步骤进行处理。
请参阅图8，图8是本发明的真空锁2及传送室3的结构示意图。本发明具有两个真空锁2，真空锁2位于五边形传送室3靠近工厂界面1的两个相邻边。其中每个真空锁2被分隔成四个槽，每个槽中可容纳一片工艺件。真空锁2及其每个槽可以被抽成真空。工厂界面1可以一次或多次地将真空锁2中的四个槽里的工艺件装上或取走。在另外一些实施例中真空锁2可以被分割成交换层和冷却层，前者用于工艺件在真空锁2和处理腔室4之间的转送，而后者则用于冷却处理完的工艺件，并将其送至非真空环境中以供工厂界面1取走。
如图8中的传送室3是一个五边形的真空腔室。在传送室3内具有一个传送装置15，传送装置15的两个传送臂可以在水平面上同步旋转或独立旋转各自角度(比如，两个传送臂可以旋转成相互呈180度)，以及在竖直方向各自沿主轴上下移动，并可以在水平方向上前后伸缩。工作时，工厂界面1从工艺件传送盒中提取工艺件至真空锁2中，再由传送室3中的传送装置15将工艺件装入处理腔室4。
图9为本发明的传送装置位于处理腔室内的俯视图，该传送装置15具有两个传送臂151、152，该两个传送臂151、152位于同一主轴的上下位置。传送装置15的两个传送臂151、152可以在真空锁2(图2)和处理腔室4(图2)之间的水平面上同步旋转或独立旋转。传送装置15每次由某一个传送臂(传送臂151或传送臂152)向一个处理腔室通过其工艺件的装卸口23装入或卸出一片工艺件，且传送装置15每次在一个或多个真空锁2中可取出两片工艺件。传送装置15的每一个臂151、152可以随传送装置15的主轴在竖直方向上下移动调整位置，并且传送装置15的每一个臂151、152都可以自由地在水平方向上前后伸缩。传送装置15的两个传送臂151、152可以同时指向某一个方向，比如，同时指向同一个真空锁或同一个处理腔室，也可以各自单独旋转指向不同的方向，比如，两个传送臂分别指向同一个真空锁的两个不同的工艺架，或分别指向不同的两个真空锁的工艺架；或者，一个传送臂指向一个真空锁，用于向该真空锁内取或放半导体工艺件，而另一个传送臂指向一个处理腔室，用于向该处理腔室内取或放半导体工艺件；或者，两个传送臂分别指向设置于传送室边上的两个不同的处理腔室，用于分别向两个处理腔室内取或放半导体工艺件。因此，本发明的传送装置的多个传送臂可以灵活地单独执行半导体工艺件的取放动作，可以同时从一个或多个真空锁内装载或卸载两片半导体工艺件，也可以连续地无等待时间地向一个或多个处理腔室内完成半导体工艺件的装载、卸载或交换动作，尤其适用于集成有多个真空锁或处理腔室的半导体工艺处理系统，因而整个半导体工艺处理系统的生产量(throughput)被大大提高。因此，本发明的传送装置15在工艺件交换或装卸过程中，只需要通过调整传送装置15的传送臂151、152的竖直位置，真空锁2工艺件支架与和处理腔室4中的工艺件交换平台25在竖直位置固定，只通过传送装置15的运动完成工艺件交换。
请参阅图10，抽气隔离板13与加热基座19之间设有与每个抽气隔离孔16相对应的工艺件交换平台25。在如图10所示的实施例中，该工艺件交换平台25共有四对传送臂37与四个抽气隔离孔16相对应。该工艺件交换平台25可以旋转使其每一对传送臂37位于处理平台5的上方，传送臂37上方用以放置半导体工艺件，通过配合图3中的顶针19的动作，可以很容易地将半导体工艺件从工艺件交换平台25的传送臂37上放置到加热基座19上，或反之，将半导体工艺件从加热基座19上放置到工艺件交换平台25的传送臂37上，这种工艺件的传递动作在现有技术中很普遍，可以有多种方式，此处不详述。该工艺件交换平台25还可以旋转使得其中一对与装卸口23正对，以配合传送室3内的传送装置15将工艺件放置于工艺件交换平台25的一对传送臂37上或从传送臂37上卸载工艺件。
处理完毕后，再将工艺件取出腔室。先配合图3中的顶针19的动作，使工艺件落置于工艺件交换平台25上的四对传送臂37上。通过转动工艺件交换平台25，使工艺件交换平台25上的每一对传送臂37依次移至正对工艺件装卸口23的一侧，再由传送装置15的传送臂通过工艺件装卸口23从每一对传送臂37上取出处理过的工艺件，并传送至真空锁2。
下面结合附图介绍一下传送装置装卸工艺件的流程。如图11所示，这里以两个真空锁201、202、一个含有传送装置15的传送室3以及两个处理腔室401、402的结构为例。在本实施例中两个真空锁201、202各有四个槽(未图示)。传送装置15具有两个传送臂151、152；两个处理腔室401和402分别具有一个装卸口231、232正对传送室3，处理腔室401、402内分别具有四个处理平台，即处理平台511、512、513、514以及处理平台521、522、523、524。
一开始真空锁201、202内各有四片工艺件，两个处理腔室401、402内没有工艺件。传送装置15利用其两个传送臂151、152分别从真空锁201的两个槽中拿出一片工艺件，此时两个传送臂151、152处于上下竖直位置。再将两个传送臂151、152在水平方向上旋转至面向处理腔室401的装卸口231处，接着调整传送臂151的竖直位置，使其正对装卸口231，并通过前后伸缩传送臂151将传送臂151所持的工艺件放在工艺件交换平台25上的一对传送臂73上，工艺件交换平台25旋转四分之一圈；接下来传送装置15的另外一个传送臂152在竖直方向上调整至正对装卸口231处，将传送臂152所持的工艺件放在工艺件交换平台25上的下一对传送臂37上，工艺件交换平台25再旋转四分之一圈。尔后传送装置15再返回原位，从真空锁201的另外两个槽中取出两片工艺件，并将传送臂151、152旋转至正对装卸口231处。重复前述过程，将工艺件先后放在工艺件交换平台25上，工艺件交换平台25旋转一周后，四对传送臂37上都承载有工艺件，再通过工艺件交换平台25的上下升降及配合顶针20的动作将工艺件一起放在处理平台511、512、513、514上。如此完成一个处理腔室401的工艺件装载工作。再将传送装置15退至真空锁202的位置，重复上述步骤完成处理腔室402的工艺件装载工作。
装载完成后，真空锁201、202可以通过需要从工艺件匣中重新装载工艺件。以上实施例中，真空锁201、202中的工艺件取放的顺序是自由的，并不一定需要自上而下或自下而上。
处理腔室401、402处理完成后，需要将处理腔室401、402中的已处理过的工艺件取出，并换上未处理的工艺件。具体过程如下传送装置15从真空锁201中用其传送臂152从真空锁201中的一个槽中取出一片未处理的工艺件，将传送装置15旋转至处理腔室401的装卸口231处。此时假设传送臂152在传送臂151下方，传送臂151正对装卸口231。传送臂151从工艺件交换平台25上正对装卸口231的一对传送臂37上取出一片处理过的工艺件，取走后，正对装卸口231的一对传送臂37上没有工艺件，可以等待放入一片新的未处理的工艺件，接着，传送臂152上升到正对装卸口231的位置，并将其从真空锁中取出的一片新的未处理的工艺件放在工艺件交换平台25上刚取走处理过的工艺件的一对传送臂37上，从而可以只通过传送装置15的上下传送臂151、152的动作，在工艺件交换平台25的同一对传送臂37上用一片新的未处理的工艺件来换上一片处理过的工艺件。然后，工艺件交换平台25再旋转四分之一圈。传送装置15返回原位，其传送臂151将其从工艺件交换平台25上取到的工艺件放在真空锁201中的槽中，传送臂152再从真空锁201中的另一个槽中取出一片工艺件。重复以上步骤，直到一个处理腔室的四片工艺件全部交换完成后，工艺件交换平台25再统一将工艺件放置到处理平台上。紧接着再进行处理腔室402的工艺件交换工作。
真空锁设计的另外一个较佳实施例是将真空锁设计成两层，其中上层是交换层用于工艺件的传送和交换，而下层则设有易于散热的石英垫，这样的设计可以加快工艺件的冷却速度。假定有4片工艺件在处理腔室中处理。工厂界面1会放置一个未处理的工艺件在交换层，传送装置15用传送臂152从真空锁的交换层中取出未处理的工艺件并旋转至处理腔室401的装卸口231位置。传送臂151正对装卸口231，传送臂152在传送臂151下方。传送臂151将工艺件交换平台25上处理完的工艺件取出，然后传送臂152上升至正对装卸口231的位置，将其从真空锁中取出的工艺件放在工艺件交换平台25上，工艺件交换平台25转动四分之一。传送装置15旋转至真空锁202，传送臂151将处理完的工艺件放入其冷却层，传送臂152从真空锁202的交换层中拣起一处新的未处理的工艺件。真空锁201和202的交换层从工厂界面1取得新的未处理工艺件。真空锁202的冷却层冷却该工艺件并送至非真空环境中以便工厂界面1拾取。以上完成了一片工艺件的交换。接着传送装置15在完成交换后又返回真空锁201。重复同样的步骤，直至处理腔室401中的工艺件交换完成，再进行处理腔室402的工艺件交换过程。
以上实施例中仅介绍了具有四个处理平台的处理腔室，对于每个处理腔室具有其他数目个处理平台的半导体工艺处理系统也可以依上例简单类推出其装卸方法。
由于本发明的传送装置具有至少两个位于上下位置关系的传送臂，并且传送臂可以沿传送装置主轴在竖直方向上调节其上下位置，因此，在传送装置从真空锁或处理腔室内拾取工艺件时，可以只通过传送装置的运动，而不需要真空锁或处理腔室在竖直方向调整，即可完成工艺件装卸或交换动作。详言之，半导体工艺处理系统在工艺件装卸或交换的过程中，只需要调节传送装置的多个传送臂在竖直方向的位置，而不需要像现有技术中的半导体工艺处理系统要调整真空锁或处理腔室在竖直方向的位置。并且，只通过传送装置的上下传送臂的动作，使之分别对准处理腔室的装卸口，可以很容易地在处理腔室内的工艺件交换平台的同一对传送臂上用一片新的未处理的工艺件来换上一片处理过的工艺件，从而可以更加迅速及低成本地装卸和交换工艺件，提高产能。
本发明运用上述的传送装置于半导体工艺处理系统中，具有很多优点和现有技术的双刀片双臂(dual blades dual arms)的传送装置相比，本发明的传送装置的制作成本更低，且在传送半导体工艺件的过程中，定位更灵活且准确度更高；另外，本发明的传送装置的至少两个传送臂是沿主轴上下设置的，不同于现有技术的传送装置的双臂是依水平方向设置的，因而本发明的传送室可以设置得很小，不仅便于传送室的设计，而且使整个半导体工艺处理系统的占地面积变小，大大降低制造成本和维护成本。再者，本发明的传送装置的多个传送臂可以灵活地单独执行半导体工艺件的取放动作，可以同时从一个或多个真空锁内装载或卸载两片半导体工艺件，也可以连续地无等待时间地向一个或多个处理腔室内完成半导体工艺件的装载、卸载或交换动作，尤其适用于集成有多个真空锁或处理腔室的半导体工艺处理系统，因而整个半导体工艺处理系统的生产量被大大提高。
以上介绍的仅仅是基于本发明的几个较佳实施例，并不能以此来限定本发明的范围。任何对本发明的装置作本技术领域内熟知的部件的替换、组合、分立，以及对本发明实施步骤作本技术领域内熟知的等同改变或替换均不超出本发明的揭露以及保护范围。
权利要求
1.一种半导体工艺处理系统，包括传送室和处理腔室，传送室设有传送装置，处理腔室具有装卸口，其特征在于该传送装置具有至少两个可以分别伸缩的传送臂，该传送臂可以同时指向该处理腔室的同一装卸口，并且可以分别在竖直方向调整至正对所述的同一装卸口的位置，以完成工艺处理件的取放。
2.根据权利要求1所述的半导体工艺处理系统，其特征在于所述的两个传送臂处于指向装卸口的上下位置。
3.根据权利要求1所述的半导体工艺处理系统，其特征在于所述的两个传送臂可以在传送室和处理腔室之间的水平面上旋转。
4.根据权利要求1所述的半导体工艺处理系统，其特征在于所述的传送装置的两个传送臂可以随传送装置的主轴上下移动。
5.根据权利要求1所述的半导体工艺处理系统，其特征在于所述的传送装置的每个传送臂都可以自由地前后伸缩。
6.根据权利要求1所述的半导体工艺处理系统，其特征在于所述的半导体工艺处理系统还包括至少一真空锁，该真空锁设有多个工艺件架，该传送臂可以同时指向真空锁的不同工艺件架的位置，以完成工艺处理件的取放。
7.根据权利要求6所述的半导体工艺处理系统，其特征在于所述的每个真空锁设有四个工艺件架。
8.根据权利要求6所述的半导体工艺处理系统，其特征在于所述的每个真空锁设有两个工艺件架。
9.根据权利要求6所述的半导体工艺处理系统，其特征在于所述的真空锁分为上下两层，处于下层的工艺件架设有易于散热的垫片用以增强散热效果。
10.一种半导体工艺处理系统的工艺件的传递方法，所述半导体工艺处理系统包括传送室和处理腔室，传送室内设置有传送装置，该传送装置具有至少两个位于上下位置且可以分别沿水平方向伸缩的传送臂，所述方法包括(1)传送装置的一个传送臂从处理腔室内的一个工艺处理件装卸口取出一片工艺处理件；(2)紧跟步骤(1)完成后，传送装置的另外一个传送臂将另外一片工艺处理件通过该工艺处理件装卸口放入处理腔室内。
11.根据权利要求10所述的半导体工艺处理系统的工艺件的传递方法，其特征在于所述的传送装置可以在传送室内的水平面上旋转。
12.根据权利要求10所述的半导体工艺处理系统的工艺件的传递方法，其特征在于所述的传送装置的两个传送臂可以随传送装置的主轴上下移动。
13.根据权利要求10所述的半导体工艺处理系统的工艺件的传递方法，其特征在于所述的传送装置每次通过工艺件的装卸口装入或卸出一片工艺件。
14.根据权利要求10所述的半导体工艺处理系统的工艺件的传递方法，其特征在于所述的半导体工艺处理系统还包括真空锁，传送装置每次在真空锁中可取出两片工艺件。
15.一种半导体处理腔室，包括多个处理平台，其特征在于处理平台周围设有排气的放射状的槽，处理腔室周围设有排气通道，处理腔室的排气通道和处理平台的放射状的槽相连通，构成一个排气系统。
16.根据权利要求15所述的半导体处理腔室，其特征在于所述的处理腔室包括腔室顶盖和腔室基盘，一抽气隔离板设置于腔室顶盖和腔室基盘之间，其中腔室顶盖上设置有若干个凸起的喷淋头，该抽气隔离板上具有与该喷淋头对应的若干个抽气隔离孔，若干个放射状的槽设置在抽气隔离孔的周边，在抽气隔离板下方的腔室基盘中具有与每个抽气隔离孔相对应的加热基座，该对应的喷淋头、抽气隔离孔和加热基座形成处理平台。
17.根据权利要求16所述的半导体处理腔室，其特征在于所述的放射状的槽的分布为靠近抽气隔离板周边的一侧较靠近抽气隔离盘中心的一侧疏。
18.根据权利要求16所述的半导体处理腔室，其特征在于所述的腔室顶盖上设置有凹陷部，且凹陷部周边设有延伸部。
19.根据权利要求18所述的半导体处理腔室，其特征在于所述的抽气隔离板周围还设置有与腔室顶盖的凹陷部的延伸部相连通的排气口。
20.根据权利要求19所述的半导体处理腔室，其特征在于在腔室基盘上设有至少一个用于排气的排气槽，且排气槽与抽气隔离板的排气口相连通。
21.根据权利要求20所述的半导体处理腔室，其特征在于所述的腔室基盘底部设有与该排气槽相通的排气通道，该排气通道与排气装置相连。
22.根据权利要求16所述的半导体处理腔室，其特征在于加热基座周围设有向上喷射的惰性气体气幕。
23.一种半导体处理腔室，包括多个处理平台，其特征在于还包括一个抽气隔离板放置在处理平台上，该抽气隔离板具有多个与处理平台对应的抽气隔离孔，在半导体处理过程中，通过抽气隔离孔使得各处理平台的反应环境相互隔离。
24.根据权利要求23所述的半导体处理腔室，其特征在于处理腔室还包括腔室顶盖和腔室基盘，处理平台设置于腔室基盘内，抽气隔离板设置于腔室顶盖和腔室基盘之间。
25.根据权利要求24所述的半导体处理腔室，其特征在于其中腔室顶盖具有若干个凸起的带有细孔的喷淋头。
26.根据权利要求25所述的半导体处理腔室，其特征在于该抽气隔离板上的抽气隔离孔与该喷淋头相对应，并且在半导体工艺件处理过程中，喷淋头紧靠抽气隔离板的抽气隔离孔。
27.根据权利要求26所述的半导体处理腔室，其特征在于在抽气隔离板下方的腔室基盘中具有与每个抽气隔离孔相对应的加热基座，该对应的喷淋头、抽气隔离孔和加热基座形成处理平台。
28.根据权利要求23所述的半导体处理腔室，其特征在于抽气隔离孔的周边设有若干个放射状槽，该放射状的槽的分布为靠近抽气隔离板周边的一侧较靠近抽气隔离板中心的一侧疏。
29.根据权利要求24所述的半导体处理腔室，其特征在于所述的腔室顶盖上设置有凹陷部，且凹陷部周边设有延伸部。
30.根据权利要求29所述的半导体处理腔室，其特征在于所述的抽气隔离板周围还设置有与腔室顶盖的凹陷部的延伸部相连通的排气口。
31.根据权利要求30所述的半导体处理腔室，其特征在于抽气隔离板的周围设有多个对称的排气口。
32.根据权利要求24所述的半导体处理腔室，其特征在于在腔室基盘上靠近抽气隔离板周围设有至少一个用于排气的排气槽。
33.根据权利要求32所述的半导体处理腔室，其特征在于腔室基盘底部设有与该排气槽相通的排气通道，该排气通道与排气装置相连。
34.根据权利要求33所述的半导体处理腔室，其特征在于所述的处理腔室中气流流向为反应气体由喷淋头送入每个处理平台，对放置在加热基座上的半导体工艺件进行处理，由于进气系统的气压以及排气装置对反应气体的抽取，反应气体从每个处理平台的抽气隔离板的放射状槽中流出，进入腔室顶盖的凹陷部，并向凹陷部的延伸部流动，经抽气隔离板的周围的排气口流至腔室基盘的排气槽中，再通过与排气槽相通的排气通道进入排气装置。
35.根据权利要求34所述的半导体处理腔室，其特征在于加热基座底部通有惰性气体以防止微粒尘埃在加热基座下方沉积和薄膜生长。
36.一种半导体工艺处理系统的工艺件的装载方法，所述的半导体工艺件处理系统包括真空锁、传送室、具有n个处理平台的处理腔室，处理腔室内设置有工艺件交换平台，其中传送室具有指向同一方向并且位于上下位置的至少两个传送臂的传送装置，在处理腔室内没有工艺件的情况下装载工艺件的步骤如下(1)传送装置利用其两个传送臂从真空锁中拿出两片工艺件；(2)将两个传送臂旋转至处理腔室的装卸口处，其中第一传送臂正对装卸口，将该第一传送臂所持的工艺件放在工艺件交换平台上，工艺件交换平台旋转n分之一圈；(3)传送装置的第二传送臂调整至正对装卸口处，将该第二传送臂所持的工艺件放在工艺件交换平台上；(4)两个传送臂返回真空锁再取两片工艺件，工艺件交换平台旋转n分之一圈；(5)重复上述步骤(2)、(3)、(4)，直至处理腔室装满。
37.根据权利要求36所述的半导体工艺处理系统的工艺件的装载方法，其特征在于处理平台的个数n为自然数。
38.根据权利要求36所述的半导体工艺处理系统的工艺件的装载方法，其特征在于处理腔室的数目为两个或三个。
39.根据权利要求36所述的半导体工艺处理系统的工艺件的装载方法，其特征在于所述的真空锁设有上下两层结构，其中上层是交换层用于工艺件的传送和交换，而下层则设有易于散热的垫片用以散热。
40.根据权利要求36所述的半导体工艺处理系统的工艺件的装载方法，其特征在于真空锁内容纳两片或四片工艺件。
41.根据权利要求36所述的半导体工艺处理系统的工艺件的装载方法，其特征在于在步骤(5)完成后且等待所有的工艺件经过处理后，还进一步包括工艺件交换步骤，所述的工艺件交换步骤包括a.传送装置返回真空锁，并从真空锁中用第一传送臂取出一片未处理的工艺件；b.旋转传送装置，使其返回处理腔室位置，并使第二传送臂正对处理腔室的装卸口处；c.传送装置用第二传送臂通过装卸口从工艺件交换平台取出一片处理后的工艺件；d.调整传送装置位置，使第一传送臂正对装卸口，传送装置用第一传送臂通过装卸口向工艺件交换平台放入一片未处理的工艺件；e.传送装置的第二传送臂返回真空锁，并将第二传送臂取得的处理后的工艺件放入真空锁。
42.根据权利要求36所述的半导体工艺处理系统的工艺件的装载方法，其特征在于工艺件交换平台设有n对传送臂，其中工艺件交换平台可旋转使得每对传送臂与一个处理平台相对应。
43.一种半导体工艺处理系统的工艺件的卸载方法，所述的工艺件处理系统包括真空锁、传送室、具有n个处理平台的处理腔室，处理腔室内设置有工艺件交换平台，其中传送室具有指向同一方向并且位于上下位置的至少两个传送臂的传送装置，在处理腔室是满的情况下卸载工艺件的步骤如下(1)传送装置用第一传送臂通过装卸口从工艺件交换平台取出一片工艺件；(2)工艺件交换平台旋转n分之一圈，调整第二传送臂位置使其正对装卸口；(3)传送装置用第二传送臂通过装卸口从工艺件交换平台取出一片工艺件；(4)传送装置的第二传送臂返回真空锁并将取得的两片工艺件放入真空锁。(5)重复上述步骤，直至处理腔室卸载完毕。
44.根据权利要求43所述的半导体工艺处理系统的工艺件的卸载方法，其特征在于处理平台的个数n为4自然数。
45.根据权利要求43所述的半导体工艺处理系统的工艺件的卸载方法，其特征在于处理腔室的数目为两个或三个。
46.根据权利要求43所述的半导体工艺处理系统的工艺件的卸载方法，其特征在于所述的真空锁设有上下两层结构，其中上层是交换层用于工艺件的传送和交换，而下层则设有易于散热的垫片用以散热。
47.根据权利要求43所述的半导体工艺处理系统的工艺件的卸载方法，其特征在于真空锁内容纳两片或四片工艺件。
48.根据权利要求43所述的半导体工艺处理系统的工艺件的卸载方法，其特征在于工艺件交换平台设有n对传送臂，其中工艺件交换平台可旋转使得每对传送臂与一个处理平台相对应。
49.一种半导体工艺处理系统的工艺件的交换方法，所述的半导体工艺处理系统包括真空锁、传送室、具有n个处理平台的处理腔室，处理腔室内设置有工艺件交换平台，其中传送室具有指向同一方向并且位于上下位置的至少两个传送臂的传送装置，在处理腔室有工艺件的情况下交换工艺件的步骤如下(1)传送装置返回真空锁，并从真空锁中用第一传送臂取出一片未处理的工艺件；(2)旋转传送装置，使其返回处理腔室位置，并使第二传送臂正对处理腔室的装卸口处；(3)传送装置用第二传送臂通过装卸口从工艺件交换平台取出一片处理后的工艺件；(4)调整传送装置位置，使第一传送臂正对装卸口，传送装置用第一传送臂通过装卸口向工艺件交换平台放入一片未处理的工艺件；(5)传送装置的第二传送臂返回真空锁，并将第二传送臂取得的处理后的工艺件放入真空锁。
50.根据权利要求49所述的半导体工艺处理系统的工艺件的交换方法，其特征在于处理平台的个数n为4自然数。
51.根据权利要求49所述的半导体工艺处理系统的工艺件的交换方法，其特征在于处理腔室的数目为两个或三个。
52.根据权利要求49所述的半导体工艺处理系统的工艺件的交换方法，其特征在于所述的真空锁设有上下两层结构，其中上层是交换层用于工艺件的传送和交换，而下层则设有易于散热的垫片用以散热。
53.根据权利要求49所述的半导体工艺处理系统的工艺件的交换方法，其特征在于真空锁内容纳两片或四片工艺件。
54.根据权利要求49所述的半导体工艺处理系统的工艺件的交换方法，其特征在于工艺件交换平台设有n对传送臂，其中工艺件交换平台可旋转使得每对传送臂与一个处理平台相对应。
全文摘要
一种半导体工艺处理系统，其包括真空锁、传送室、以及一个或多个处理腔室；其中，传送室位于真空锁和处理腔室之间，处理腔室可围绕传送室设置；传送室内设有传送装置。本发明可以只通过传送装置的运动，而不需要真空锁或处理腔室在竖直方向调整位置，即可完成工艺件装卸或交换动作，从而可以更加迅速及低成本地装卸和交换工艺件，提高产能。本发明还公开了一种采用特殊设计的进排气系统的处理腔室，使得处理腔室内的各处理平台之间形成反应气体幕障，可以提升各处理平台之间的均一度，避免了不同处理平台之间的反应气体串扰。
文档编号H01L21/68GK1909182SQ20051002856
公开日2007年2月7日 申请日期2005年8月5日 优先权日2005年8月5日
发明者陈爱华 申请人:中微半导体设备(上海)有限公司