专利名称：补强型薄膜覆晶封装构造的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种集成电路封装构造，特别是涉及一种可以防止在接合 晶片的凸块至该些引脚的内接合部时软质介电层塌陷，使点涂胶体能够顺 利充填在电路薄膜与晶片之间不会发生气泡现象的补强型薄膜覆晶封装构造(Chip-0n-Film package)。
技术背景在以往的集成电路封装构造中， 一种薄膜覆晶封装构造是针对长矩形 的显示器驱动晶片而设，其分别在晶片两长侧边的输入端与输出端上均设 有一金凸块，并经施予压合与加热，以接合至一电路薄膜的引脚。当晶片 的加热温度传递至该电路薄膜，常会导致该电路薄膜受热塌陷，而导致变 形，使得后续涂胶困难，优良品率降低。尤其是在封装高密度的显示器驱动 晶片时，由于晶片的输出端数量增多，无法全部在配置在晶片的其中一长 侧边，故部分的晶片输出端(凸块)会配置于晶片的其中两短侧边，而会影 响了点涂"交体的流动速率。请参阅图l所示，是现有习知的薄膜覆晶封装构造的截面示意图。 一种 现有习知的薄膜覆晶封装构造IOO，是包含一电路薄膜IIO、 一晶片120以 及一点涂胶体130。该晶片120具有复数个凸块121,以接合至该电路薄膜 110。该点涂胶体130是在粘晶之后以点涂方式形成并经毛细流动，以填充 在该晶片120与该电路薄膜110之间。请参阅图1及图2所示，图2是现有习知的薄膜覆晶封装构造的底面 透视图。该电路薄膜110具有一软质介电层111、复数个长侧引脚112、复 数个短侧引脚113以及一防焊层114。该防焊层114具有一开孔115,以显 露该些长侧引脚112的复数个内接合部112A、该些短侧引脚113的复数个 内接合部113A以及该，欠质介电层lll对应于该晶片120的中央位置。并且 该晶片120的该些凸^ 121是排列于一主动面的四周边(如图2所示)，以热 压合方法接合至该些长侧引脚112的内接合部112A与该些短侧引脚113的 内接合部113A。因此，请参阅图3所示，是现有习知的薄膜覆晶封装构造在晶片接合 时的截面示意图。该l驢介电层111对应于该晶片120的主动面中央下方 处为单层型态，缺乏足够的支撑，在该晶片120的接合过程中会受热而导
致塌陷(如图3所示的塌陷处11U)，进而导致该晶片120的主动面中央与 该电路薄膜110的间隙小于该晶片120的主动面周边与该电路薄膜110的 间隙，故该点涂胶体130在后续的点涂过程中会在不同的位置产生不同的 流动速率，特别是在该塌陷处111A与该晶片120之间会产生气泡131 (如图 1所示)，由于该点涂胶体130的填充不实，而导致封装的优良品率降低。本申请原申请人在中国台湾专利公告第505315号曾揭示了一种"薄膜 覆晶封装构造"，其一导流条是形成于一软质薄膜的上表面，以导引一底部 填充材(即点涂胶体)的流动，为了达到导流效杲，该导流条的配置方向是 与一晶片的较长侧边为垂直，而无法达到明显的支撑效果，故该软质薄膜 仍会受热而塌陷。由此可见，上述现有的薄膜覆晶封装构造在结构与使用上，显然仍存 在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题,相关 厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但是长久以来一直未见适用的设计被 发展完成，而一般产品又没有适切的结构能够解决上述问题，此显然是相 关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新的补强型薄膜覆晶封装构 造，实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。有鉴于上述现有的薄膜覆晶封装构造存在的缺陷，本发明人基于从事 此类产品设计制造多年丰富的实务经验及专业知识，并配合学理的运用，积 极加以研究创新，以期创设一种新的补强型薄膜覆晶封装构造，能够改进 一般现有的薄膜覆晶封装构造，使其更具有实用性。经过不断的研究、设 计，并经过反复试作样品及改进后，终于创设出确具实用价值的本发明。发明内容本发明的主要目的在于，克服现有的薄膜覆晶封装构造存在的缺陷，而 提供一种新的补强型薄膜覆晶封装构造，所要解决的技术问题是使其一 电 路薄膜是定义有一概呈矩形的覆晶接合区并具有在一软质介电层上的复数 个引脚以及复数个补强条(stiffening bar)，使得在该电路薄膜与该晶片 之间维持有可供胶体顺利流动的一致间隙，因此在后续制程中点胶形成的 点涂胶体能够顺利充填在该电路薄膜与该晶片之间，不会发生气泡，且兼具 有导热与电性屏障的^效，非常适于实用。本发明的次一目的在于，提供一种新的补强型薄膜覆晶封装构造，所要 解决的技术问题是使其中该些补强条上电镀有一硬质金属层，可增强该些 补强条能用于支撑该软质介电层以防止塌陷的能力，从而更加适于实用。本发明的还一目的在于，提供一种新的补强型薄膜覆晶封装构造，所要 解决的技术问题是使其中部份的该些补强条与相邻的该些短侧引脚为一体 连接，故可作为一接地或电源层并可与该些引脚由同一铜荡蚀刻形成，不会
增加元件成本，此外还能够增进该些补强条在该软质介电层上的贴附性，从 而更加适于实用。本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的一种补强型薄膜覆晶封装构造，其包含 一电路薄膜，其具有 一软质介电层、复数个长側引脚、复数个短侧引脚以及复数个补强条;一晶 片，其具有复数个凸块，其是接合至该些长侧引脚与该些短侧引脚；以及一 点涂胶体，其形成于该电路薄膜与该晶片之间；其中，该电路薄膜定义有 一对应于该晶片且概呈矩形的覆晶接合区，该些长侧引脚的复数个内接合 部是排列于该覆晶接合区的两较长侧，该些短侧引脚的复数个内接合部是 排列于该覆晶接合区的两较短侧，该些补强条是形成于该覆晶接合区的中 央且与该覆晶接合区的两较长侧为平行，以防止在接合该些凸块至该些长 侧引脚与该些短側引脚时该软质介电层的塌陷，以利于该点涂胶体的充填。 本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。 前述的补强型薄膜覆晶封装构造，其中所述的该些补强条上电镀有一 硬质金属层。前述的补强型薄膜覆晶封装构造，其中部份的该些补强条是与相邻的 该些短侧引脚为一体连接。前述的补强型薄膜覆晶封装构造，其另包含有一防焊层，其形成于该软 质介电层上并局部覆盖该些长侧引脚与该些短侧引脚，并且该防焊层具有 一开孔，其为显露该些长侧引脚与该些短侧引脚的该些内接合部以及该些 补强条。前述的补强型薄膜覆晶封装构造，其中所述的点涂胶体是密封该些凸 块、该些长侧引脚的该些内接合部、该些短侧引脚的该些内接合部与该些 补强条。本发明的目的及解决其技术问题还采用以下技术方案来实现。依据本 发明提出的一种补强型薄膜覆晶封装构造，其包含 一电路薄膜，其具有 一软质介电层、复数个引脚以及复数个补强条； 一晶片，其具有复数个凸 块，其是接合至该些引脚的复数个内接合部；以及一点涂胶体，其形成于 该电路薄膜与该晶片之间；其中，该电路薄膜定义有一对应于该晶片且概 呈矩形的覆晶接合区，'该些引脚的该些内接合部是排列于该覆晶接合区的 周边，该些补强条是形成于该覆晶接合区的中央且与该覆晶接合区的两较 长侧为平行，以防止在接合该些引脚与该些凸块时该软质介电层的塌陷，以 利于该点涂胶体的充填。本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。 前述的补强型薄膜覆晶封装构造，其中所述的该些补强条的宽度是大 于该些引脚的该些内接合部的宽度。
前述的补强型薄膜覆晶封装构造，其中所述的该些补强条的表面电镀 有一硬质金属层。前述的补强型薄膜覆晶封装构造，其另包含有一防焊层，其形成于该软 质介电层上并局部覆盖该些引脚，并且该防焊层具有一开孔，其为显露该些 引脚的该些内接合部以及该些补强条。前述的补强型薄膜覆晶封装构造，其中所述的点涂胶体是密封该些补 强条。本发明与现者技术相比具有明显的优点和有益效杲。由以上可知，为了 达到上述目的，依据本发明的一种薄膜覆晶封装构造，主要包含一电路薄 膜、 一晶片及一点涂胶体。该电路薄膜具有一软质介电层、复数个引脚以 及复数个补强条。该晶片具有复数个凸块，其是接合至该些引脚。该点涂 胶体是形成于该电路薄膜与该晶片之间。其中，该电路薄膜定义有一对应 于该晶片且概呈矩形的覆晶接合区，该些引脚的复数个内接合部是排列于 该覆晶接合区的周边，该些补强条是形成于该覆晶接合区的中央且与该覆 晶接合区的两较长侧为平行，以防止在接合该些凸块至该些引脚时该软质 介电层的塌陷，以利于该点涂胶体的充填，不会发生气泡。借由上述技术方案，本发明补强型薄膜覆晶封装构造至少具有下列优点1、 本发明是在一电路薄膜定义有一概呈矩形的覆晶接合区，并具有在 一^t介电层上的复数个引脚以及复数个补强条(stiffening bar)，该些引 脚的内接合部是排列于该覆晶接合区的周边，该些补强条是形成于该覆晶 接合区的中央且与该覆晶接合区的两较长侧为平行，可以防止在接合一晶 片的凸块至该些引脚的内接合部时该软质介电层的塌陷，而使得在该电路 薄膜与该晶片之间维持有可供胶体顺利流动的一致间隙。因此,在后续制程中点胶形成的点涂胶体能够顺利充填在该电路薄膜与该晶片之间，不会发 生气泡，且兼具有导热与电性屏障的功效，非常适于实用。2、 本发明借由在该些补强条上电镀有一硬质金属层，可以增强该些补 强条能用于支撑该软质介电层以防止塌陷的能力，从而更加适于实用。3、 本发明其中部份的该些补强条是与相邻的该些短側引脚为一体连接 结构，故可作为一接地或电源层并可与该些引脚由同一铜箔蚀刻形成，即该 些补强条是选自于原本蚀刻形成引脚时的铜箔废料部位，而不会增加元件 成本，适于产业应用。此外，还能够增进该些补强条在该软质介电层上的 贴附性，从而更加适于实用。综上所述，本发明是有关于一种补强型薄膜覆晶封装构造，主要包含 有一电路薄膜、 一凸块化晶片以及一点涂胶体，该电路薄膜定义有一对应 于该晶片且概呈矩形的覆晶接合区并具有一软性介电层与复数个引脚及复数个补强条，该些引脚的复数个内接合部是排列于该覆晶接合区的周边，该 些补强条是形成于该覆晶接合区的中央且与该覆晶接合区的两较长侧为平 行，可以防止在接合该晶片的凸块至该些引脚的内接合部时该软质介电层 的塌陷。因此，该点涂胶体能够顺利充填在该电路薄膜与该晶片之间，不会 发生气泡现象。本发明具有上述诸多优点及实用价值，其不论在产品结构 或功能上皆有较大的改进，在技术上有显著的进步，并产生了好用及实用的 效果，且较现有的薄膜覆晶封装构造具有增进的突出功效，从而更加适于 实用，并具有产业'的广泛利用价值，诚为一新颖、进步、实用的新设计。上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的 技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述和 其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附 图，详细i兌明i口下。
图l是现有习知的薄膜覆晶封装构造的截面示意图。图2是现有习知的薄膜覆晶封装构造的底面透视图。 图3是现有习知的薄膜覆晶封装构造在晶片接合时的截面示意图。 图4是依据本发明第一较佳实施例的一种薄膜覆晶封装构造的截面示 意图。图5是依据本发明第一较佳实施例的薄膜覆晶封装构造的底面透视图。 图6是依据本发明第一较佳实施例的薄膜覆晶封装构造在晶片接合时 的截面示意图。图7是依据本发明第二较佳实施例的另一薄膜覆晶封装构造的底面透 视图。100:薄膜覆晶封装构造110电路薄膜111:软质介电层111A:塌陷处112:长侧引脚112A:内接合部113:短侧引脚113A:内接合部114:防焊层 .115开孔120:晶片121凸块130:点涂胶体131气泡200:薄膜覆晶封装构造210电路薄膜210A:覆晶接合区210B:较长側211:软质介电层212长側引脚212A:内接合部213短侧引脚213A:内接合部214补强条215:防焊层 217:硬质金属层 221:凸块 310:电路薄膜 310B: 4交长侧 311A:内接合部 312A:内接合部 314:连接条216:开孔 220:晶片 230:点涂月交体 310A:覆晶接合区 311:长侧引脚 312:短侧引脚 313:补强条具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功 效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的补强型薄膜覆晶封装 构造其具体实施方式
、结构、特征及其功效，详细说明如后。请参阅图4所示，是依据本发明第一较佳实施例的一种薄膜覆晶封装 构造的截面示意图。依据本发明的第一具体实施例揭示了一种薄膜覆晶封 装构造，该薄膜覆晶封装构造200，主要包含一电路薄膜210、 一晶片220 以及一点涂胶体230。该晶片220是接合于该电路薄膜210上，该电路薄膜 210是定义有一对应于该晶片220且概呈矩形的覆晶接合区210A(如图5所 示)。请参阅图4与图5所示，图5是依据本发明第一较佳实施例的薄膜覆晶 封装构造的底面透视图。上述的电路薄膜210，具有一软质介电层211、复 数个长侧引脚212、复数个短侧引脚213以及复数个补强条214。通常该软 质介电层211的材质是可为聚酰亚胺(polyimide, PI)，作为该些长侧引脚 212、该些短側引脚213与该些补强条214的载膜，以利于巻带式传输。而 在硬度上，该些补强条214是高于该软质介电层211，可为金属材质，例如 铜(Cu)。其中，如图5所示，该些长侧引脚212的复数个内接合部212A是排 列于该覆晶接合区210A的两较长侧，该些短侧引脚213的复数个内接合部 213A是排列于该覆晶接合区210A的两较短侧，该些补强条214是形成于该 覆晶接合区210A的中来且平行于该覆晶接合区210A的两较长侧210B。较 佳地，该些补强条214的宽度是大于该些短侧引脚213的该些内接合部213A 的宽度，可以确保适当的补强、散热与电性屏障的性能。在本实施例中，该电路薄膜210另包含有一防焊层215,例如液态感光 性焊罩层(liquid photoimagable solder mask, LPI)、 感光性覆盖层 (photoimagable cover layer, PIC)、或可为一般非感光性介电材质的非 导电油墨或覆盖层(cover layer)。该防焊层215是形成于该软质介电层211 上并局部覆盖该些长側引脚212与该些短侧引脚213，并且该防焊层215是
具有一开孔216，其是显露该些长側引脚212的该些内接合部212A与该些 短侧引脚213的该些内接合部213A以及该些补强条214。上述的晶片220，具有复数个凸块221，其是设于该晶片220的一主动 面的周边。该些凸块221是接合至该些长侧引脚212的该些内接合部212A 与该些短侧引脚213的该些内接合部213A。上述的点涂胶体230，是形成于该电路薄膜210与该晶片220之间。通 常该点涂胶体230是为一底部填充胶，在点涂时具有良好流动性，藉由毛细 作用填满于该电膝薄膜210与该晶片220之间。在本实施例中，该点涂胶 体230是密封该些凸块221、该些长侧引脚212的该些内接合部212A、该 些短侧引脚213的该些内接合部213A与该些补强条214。在该晶片220接合至该电路薄膜210的过程，会施加压合力与加热该 晶片220与该电路薄膜210,使该些凸块221键合至该些长侧引脚212的该 些内接合部212A与该些短侧引脚213的该些内接合部213A。请参阅图6所示，是依据本发明第一较佳实施例的薄膜覆晶封装构造 在晶片接合时的截面示意图。该些补强条214会支撑住受热的该软质介电 层211，不使其过度塌陷。故在该些凸块221接合之后，该些补强条214与 该晶片220之间是能够保持一致的间隙，在后续的点胶步骤中，该点涂胶 体230能充填在该晶片220与该电路薄膜210之间，而不会发生气泡的现 象。请再参阅图4所示，较佳地，该些补强条214上是电镀有一硬质金属 层217,例如镍或，合金，其硬度更高于该些补强条214，可以进一步增 强该些补强条214能用于支撑该软质介电层211以防止塌陷的能力。请再参阅图5所示，在本实施例中，部份的该些补强条214是与相邻 的该些短侧引脚213为一体连接。故该些补强条214可作为一接地或电源 的连接并可与该些引脚由同一铜箔蚀刻形成，即该些补强条214是选自于 原本蚀刻形成引脚时的铜箔废料部位，不会增加元件成本。此外，还能够 增进该些补强条214在该软质介电层211上的贴附性。请参阅图7所示，是依据本发明第二较佳实施例的另一薄膜覆晶封装 构造的底面透视图。在第二具体实施例中，揭示了另一种薄膜覆晶封装构 造，主要包含一电路薄膜、 一晶片以及一点涂胶体，其中该晶片与点涂胶体 可与第一具体实施例相同，故不再绘示及说明。如图7所示，该电路薄膜 310亦定义有一概呈矩形的覆晶接合区310A，并具有在一软质介电层(图未 绘出)上的复数个长側引脚311、复数个短侧引脚312以及复数个补强条 313，该些长側引脚311的复数个内接合部311A是排列于该覆晶接合区310A 的两较长侧，该些短侧引脚312的复数个内接合部312A是排列于该覆晶接 合区310A的两较短侧，该些补强条313是形成于该覆晶接合区310A的中 央且平行于该覆晶4妻合区310A的两较长侧310B,可以防止晶片接合时该软 质介电层受热塌陷，而影响了点涂胶体的充填。在本实施例中，该些补强 条313是以复数个连接条314相互连接成环形，可以增加该些补强条313 的韧度，防止在热震试—睑(thermal shock test)中该些补强条313与该软 质介电层发生分层剥离。以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式 上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发 明，任何熟悉本专'业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利 用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但 凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例 所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围 内。
权利要求
1、一种补强型薄膜覆晶封装构造，其特征在于其包含一电路薄膜，其具有一软质介电层、复数个长侧引脚、复数个短侧引脚以及复数个补强条；一晶片，其具有复数个凸块，其是接合至该些长侧引脚与该些短侧引脚；以及一点涂胶体，其形成于该电路薄膜与该晶片之间；其中，该电路薄膜定义有一对应于该晶片且概呈矩形的覆晶接合区，该些长侧引脚的复数个内接合部是排列于该覆晶接合区的两较长侧，该些短侧引脚的复数个内接合部是排列于该覆晶接合区的两较短侧，该些补强条是形成于该覆晶接合区的中央且与该覆晶接合区的两较长侧为平行，以防止在接合该些凸块至该些长侧引脚与该些短侧引脚时该软质介电层的塌陷，以利于该点涂胶体的充填。
2、 根据权利要求1所述的补强型薄膜覆晶封装构造,其特征在于其中 所述的该些补强条上电镀有一硬质金属层。
3、 根据权利要求1所述的补强型薄膜覆晶封装构造，其特征在于其中 部份的该些补强条是与相邻的该些短侧引脚为一体连接。
4、 根据权利要求l所述的补强型薄膜覆晶封装构造，其特征在于其另 包含有一防焊层，其形成于该软质介电层上并局部覆盖该些长侧引脚与该 些短侧引脚，并且该防焊层具有一开孔，其为显露该些长侧引脚与该些短 侧引脚的该些内接合部以及该些补强条。
5、 根据权利要求1或4所述的补强型薄膜覆晶封装构造，其特征在于 其中所述的点涂胶体是密封该些凸块、该些长侧引脚的该些内接合部、该 些短侧引脚的该些内接合部与该些补强条。
6、 一种补强型薄膜覆晶封装构造，其特征在于其包含 一电路薄膜，其具有一软质介电层、复数个引脚以及复数个补强条； 一晶片，其具有复数个凸块，其是接合至该些引脚的复数个内接合部；以及一点涂胶体，其形成于该电路薄膜与该晶片之间；其中，该电路薄膜定义有一对应于该晶片且概呈矩形的覆晶接合区，该 些引脚的该些内接合部是排列于该覆晶接合区的周边，该些补强条是形成 于该覆晶接合区的中央且与该覆晶接合区的两较长侧为平行，以防止在接 合该些引脚与该些凸块时该软质介电层的塌陷，以利于该点涂胶体的充填。
7、 根据权利要求6所述的补强型薄膜覆晶封装构造，其特征在于其中 所述的该些补强条的宽度是大于该些引脚的该些内接合部的宽度。
8、 根据权利要求6所述的补强型薄膜覆晶封装构造，其特征在于其中 所述的该些补强条的表面电镀有一硬质金属层。
9、 根据权利要求6所述的补强型薄膜覆晶封装构造，其特征在于其另 包含有一防焊层，其形成于该软质介电层上并局部覆盖该些引脚，并且该 防焊层具有一开孔，其为显露该些引脚的该些内接合部以及该些补强条。
10、 根据权利要求6所述的补强型薄膜覆晶封装构造，其特征在于其中 所述的点涂胶体是密封该些补强条。
全文摘要
本发明是有关于一种补强型薄膜覆晶封装构造，其主要包含有一电路薄膜、一凸块化晶片以及一点涂胶体，该电路薄膜定义有一对应于该晶片且概呈矩形的覆晶接合区并具有一软性介电层与复数个引脚及复数个补强条，该些引脚的复数个内接合部是排列于该覆晶接合区的周边，该些补强条是形成于该覆晶接合区的中央，且与该覆晶接合区的两较长侧为平行，而可以防止在接合该晶片的凸块至该些引脚的内接合部时该软质介电层的塌陷，因此，该点涂胶体能够顺利充填在该电路薄膜与该晶片之间，不会发生气泡现象。
文档编号H01L23/28GK101118897SQ20061009958
公开日2008年2月6日 申请日期2006年8月1日 优先权日2006年8月1日
发明者刘孟学, 潘玉堂 申请人:南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司