专利名称：制造快闪存储器卡的方法
技术领域：
本发明的实施例涉及制作快闪存储器卡的方法。
背景技术：
对便携式消费者电子装置的需求的强劲增长正推动对高容量存储装置的需要。非 易失性半导体存储器装置(例如，快闪存储器存储卡)正变得广泛地用于满足对数字 信息存储及交换的不断增长的需求。其便携性、多功能性及坚固的设计连同其较高的 可靠性及大容量已使此类存储器装置理想地用于各种各样的电子装置中。
用于快闪存储器卡的一个实例性标准是所谓的SD快闪存储器卡。SD(安全数字) 卡是一种大约邮票大小的安全快闪存储器。由SanDisk (晟碟)、Toshiba (东芝)及 Matsushita Electronic (松下电器)联合研发，SD卡重约两克且用于各种各样的数字产 品中的存储器存储，包括(例如)数字音乐播放器、蜂窝式电话、手持式PC、数码相 机、数字摄影机、智能电话、汽车导航系统及电子书籍。
在过去，例如SD卡等电子装置已经包括集成电路系统，其由各自操作不同功能 的数个单独封装的集成电路组成，包括用于信息处理的逻辑电路、用于存储信息的存 储器及用于与外界进行信息交换的I/O电路。所述单独封装的集成电路已分离地安装 在衬底(例如，印刷电路板)上以形成所述集成电路系统。在在印刷电路板上包括单 独封装的组件的旧式SD卡中，所述印刷电路板占据所述卡内的全部或几乎全部可用 空间。将所述印刷电路板形成为所述大小，以便包含全部所述单独封装的组件。最近， 己研发出封装内系统("SiP")及多芯片模块("MCM")，其中将多个集成电路 组件封装在一起以在单个封装中提供完整的电子系统。通常，MCM包括多个芯片， 其并排安装在衬底上且然后加以封装。SiP通常包括多个芯片，可将所述多个芯片中 的某些芯片或所有芯片堆叠在衬底上且然后加以封装。
通常在面板上批量处理集成电路，且然后在完成所述制作工艺之后将所述集成电 路单个化为单独的封装。已知数种方法用于从经囊封的集成电路的面板单个化具有不 规则或曲线形状边缘的半导体封装。举例来说，熟知的切割方法包括水刀切割、激光 切割、水引导激光切割、干媒介切割及金刚石涂布线切割。此类切割方法能够实现单 独化的集成电路封装的精巧直线及/或曲线形状。虽然这些方法有效地在单独化的半导 体封装中实现曲线及不规则形状，但这些方法需要精确切割，且增加半导体制作工艺
的复杂性及成本。
发明内容
本发明的实施例涉及一种制造包括半导体封装的快闪存储器卡的方法。在实施例 中，通常可通过冲孔及切割工艺来形成所述封装以界定各种各样所需形状的半导体封 装。制作所述半导体封装的工艺可以衬底面板开始，举例来说其可以是引线框架。首 先通过使用化学蚀刻或冲压工艺在所述引线框架上形成电迹线来在所述面板上形成多 个集成电路。此后，可将无源组件及半导体电路小片安装在所述面板上以形成多个集 成电路。
一旦已在所述面板上形成所述多个集成电路，可通过模制化合物来囊封所述集成 电路的每一者。在所述囊封工艺期间，可遮罩所述面板的部分并使其没有模制化合物。 随后可从所述面板冲孔没有模制化合物的部分。这些经冲孔区域可在成品半导体封装 的外部边缘中界定斜面、凹口或各种其它曲线、直线及/或不规则形状。
在将所述面板冲孔之后，可沿笔直切割线进行锯割来将所述集成电路中的每一者 单个化为多个大体矩形的半导体封装。所述半导体封装包括至少一个外部边缘(例如， 斜面及/或凹口)，其不同于所述经单个化封装的大体矩形形状。通过从所述面板冲孔 区域，且然后沿笔直边缘进行锯割，本发明提供一种用于获得各种所需形状中的任一 形状的成品半导体封装的简单、有效且具成本效率的方法。
图1是根据本发明的实施例的制作快闪存储器卡的方法的流程图。
图2是集成电路面板的一部分在根据本发明的制作工艺期间的俯视图。
图3是穿过图2中的线3-3的截面图。
图4是根据本发明的实施例的模制集成电路的面板在切割为单独的集成电路封装 之前的俯视图。
图5是在用以在所述面板上囊封所述集成电路的模制工艺期间使用的模制工艺冲 模板的仰视透视图。
图6是经囊封集成电路面板的一部分在根据本发明的制作工艺期间的俯视图。
图7是根据本发明的实施例的集成电路封装的俯视图。
图8是根据本发明的实施例的集成电路封装的第一边缘的边缘图。
图9是根据本发明的实施例的集成电路封装的第二边缘的边缘图。
图10是根据本发明的实施例的集成电路封装的第三边缘的边缘图。
图11是根据本发明的实施例的集成电路封装的第四边缘的边缘图。
图12是根据本发明的实施例的集成电路封装的仰视图。
图13是包括图7的集成电路封装的安装在顶部及底部盖子中的快闪存储器卡的
透视图。
图14是包括图7的集成电路封装的安装在顶部及底部盖子中的快闪存储器卡的
俯视图。
图15是包括图7的集成电路封装的安装在顶部及底部盖子中的快闪存储器卡的 仰视图。
具体实施例方式
现在将参照图1至15说明本发明的实施例，其所述图式涉及制造快闪存储器卡 的方法。应了解，本发明可以许多不同的形式来体现且不应被视为限定于本文所论述 的实施例。而是，提供这些实施例以使本揭示内容将详尽且完整，并将向所属领域的 技术人员全面地传达本发明。实际上，本发明既定覆盖这些实施例的替代方案、修改 及等效物，其包括于随附权利要求书所界定的范围及精神内。此外，在本发明的以下 详细说明中，论述许多具体细节，以便提供对本发明的透彻了解。然而，所属领域的 技术人员应清楚，可在无此类具体细节的情况下实践本发明。
现在将参照图1的流程图来说明根据本发明的实施例的用于形成快闪存储器卡的 方法。所述制作工艺在步骤50中以面板100开始，例如部分显示于图2及3中。举例 来说，用于本发明的面板100的类型可以是引线框架、印刷电路板("PCB")、用 于巻带自动接合("TAB")工艺的巻带或在其上装配并囊封集成电路的其它熟知的 基底。
在其中面板100是以引线框架为基础的实施例中，引线框架100可由平面或大体 平面金属片来形成，例如铜或铜合金、镀铜或镀铜合金、合金42 (42Fe/58Ni)或镀铜 钢。引线框架100可由其它金属及用于引线框架的熟知材料来形成。在其中引线框架 100经镀敷的实施例中，引线框架100可镀有银、金、镍钯、铜或其它材料。
在所述集成电路形成在引线框架衬底上的情况下，可在步骤52中通过熟知的制 作工艺(例如，举例来说化学蚀刻)来形成每一引线框架的导电迹线及布局。在化学 蚀刻中，可将光致抗蚀剂膜施加到所述引线框架。然后，可将包含电路小片插板102、 电引线104、接触垫106及槽110的轮廓的图案光掩模放置在所述光致抗蚀剂膜上方。 然后可曝光并显影所述光致抗蚀剂膜以从将要蚀刻的导电层上的区域移除所述光致抗 蚀剂。下一步使用蚀刻剂(例如，氯化铁或类似物)来蚀刻掉所述曝光的区域以在引 线框架100中界定所述图案。然后可移除所述光致抗蚀剂。已知其它化学蚀刻工艺。 所述导电迹线可形成用于所述集成电路组件与外部电子装置之间的电连接的接触垫、 引线指状元件或其它外部连接器。
另一选择为，可使用级进模在机械冲压工艺中形成引线框架100。如所知晓，机 械冲压使用冲模组以在连续的步骤中机械地将金属从金属带移除。在其中面板100是PCB的实施例中，所述PCB可由电介质核心形成，所述电介 质核心具有在所述核心的顶及/或底表面上形成的一个或一个以上导电层。在此种实施 例中，如上所述，可在步骤52中在面板100的所述导电层上形成电导图案，以在安装 在面板IOO上的组件之间建立电连接。
可在批量工艺中在面板IOO上形成多个离散集成电路02以实现规模经济。在实 施例中，如图4所示，可将所述面板形成为50个集成电路的5xl0阵列，但应了解， 在替代实施例中在面板100上形成的集成电路的数量可大于或小于50。如在下文中所 解释，在形成于面板IOO上之后，然后可囊封所述集成电路102中的每一者并加以单 个化以形成多个集成电路封装。
在面板100上形成的每一集成电路102可包括在步骤54中表面安装到面板100 的一个或一个以上无源组件104。无源组件104的类型及数量对于本发明并不关键且 可在替代实施例中广泛地变化。在实施例中，如所属领域的技术人员所熟知，无源组 件104可包括物理并电耦合到面板100的电容器及/或电阻器。
本发明的实施例可进一步包括在步骤56中表面安装到面板100的发光二极管 ("LED" ) 108。 LED108可嵌入到成品封装内且具有从所述成品封装的边缘发出光 的有源端。塔基尔(Takiar)等人在2005年5月13日提出申请且标题为"装配具有 LED的半导体装置的方法(Method Of Assembling Semiconductor Devices With LEDs)" 的第11/129,637号美国实用专利申请案中说明包括此种LED 108的封装，此申请案的 全部内容以引用的方式并入本文中。可在本发明的实施例中省略LED108。
每一集成电路102可进一步包括一个或一个以上半导体电路小片114，其在步骤 58中在熟知的粘着或共熔电路小片接合工艺中使用熟知的电路小片附着化合物安装 到面板IOO。在本发明的替代实施例中，半导体电路小片114的数量及类型可广泛地 变化。在一个实施例中，所述一个或一个以上电路小片114可包括快闪存储器阵列(例 如，NOR、 NAND或其它)、SRAM或DDT、及/或控制器芯片，例如ASIC。涵盖其 它半导体电路小片。可在步骤60中在熟知的导线接合工艺中通过导线接合116将所述 一个或一个以上电路小片114电连接到面板100。所述电路小片可堆叠为SiP布置、 并排地安装为MCM布置或以另一封装配置而粘附。
虽然在图1的流程图中将无源组件104、 LED 108及半导体电路小片114的安装 作为分离的步骤来揭示，但应了解，可按不同次序来执行这些步骤，且可在替代实施 例中组合这些步骤中的一者或一者以上。虽然在图1的流程图上未明确显示，但可在 面板100上的多个集成电路102的上述制作期间进行各种视觉及自动检查。
一旦已在面板100上形成多个集成电路102，便可在步骤62中且如图4所示使用 模制化合物120囊封集成电路102中的每一者。模制化合物120可以是环氧树脂，例 如，举例来说从住友公司(Sumitomo Corp.)及日东电工公司(Nitto Denko Co卬.)购
得的环氧树脂，两个公司总部均在日本。涵盖来自其它制造商的其它模制化合物。可 根据各种工艺(包括通过转移模制或注入模制技术)来施加所述模制化合物以囊封集 成电路102中的每一者。
某些集成电路封装(例如，用于SD卡的那些集成电路封装)具有不规则形状。 举例来说，如图6所示，囊封在面板100上的集成电路封装中的每一者在成品封装中 包括斜面144及大体矩形凹口 146。根据本发明的方面，可使不形成成品半导体封装 的部分的不规则状部分(例如，斜面144及凹口 146)在步骤62的囊封工艺期间没有 模制化合物。可使用各种方法来使面板100的所选择区域没有模制化合物。
举例来说，图5图解说明上及下模帽冲模板160及162。如图所示，上模帽冲模 板160包括突出部分164a及164b,其在形状及位置上分别匹配斜面144及凹口 146 的形状及位置。在所述模制工艺期间，可将面板100 (在图5中从底部观看)放在模 帽冲模板160、 162之间。当将所述冲模板合在一起且将所述模制化合物引入所述板之 间时，突出部分164a及164b接触面板100的上侧并防止模制化合物在对应于斜面144 及凹口 146的区域中沉积。因此，成品经囊封面板IOO在对应于所述斜面及凹口的区 域中无模制化合物。应了解，可在上模帽冲模板160上形成任何突出部分图案以在面 板100上形成任何对应的模制化合物图案。所述无模制化合物的区域可具有直线边缘、 曲线边缘、不规则状边缘或直线、曲线及/或不规则状边缘中的一者或一者以上的组合。 应进一步了解，除上模帽冲模板160上的突出部分之外，可通过方法在面板100上形 成所需的模制化合物图案。
上述及图5中部分显示的模制工艺62可用于模制衬底(例如，印刷电路板)， 印刷电路板可在所述板的一个侧上接纳模制。应了解，举例来说，(例如)在所述衬 底是引线框架的情况下，所述衬底可在所述衬底的两个侧上接纳模制化合物。在此种 实施例中，下冲模板162还可形成有突出部分164a及16b，其是在上冲模板160上形 成的那些突出部分的镜像。因此，在所述衬底的顶及底表面两者上界定上覆区域，其 无模制化合物并可如下文所述加以冲孔。
在模制步骤62之后，可在步骤64中将标记施加到模制化合物120。举例来说， 所述标记可以是印在每一集成电路102的模制化合物120的表面上的标识或其它信息。 举例来说，所述标记可指示装置的制造商及/或类型。可在本发明的替代实施例中省略 标记步骤64。
根据本发明的其它方面，可在步骤66将在步骤62的模制工艺之后未经囊封的区 域冲孔出来，如由图6中的面板100的局部视图中的阴影区域所指示。特定来说，使 用熟知的冲孔及冲模压制，可从所述面板冲孔在所述囊封工艺之后仍暴露的区域以在 成品封装中界定斜面144、凹口 146及/或其它省略的形状。可一次一个、 一次一行或 一列或者一次一个二维阵列地冲孔所述斜面、凹口或其它区域。如在所属技术中所熟
知，可将所述面板向前移动穿过冲孔工具。可通过在面板1oo的外围周围形成的基准 凹口或孔168 (图5)来光学识别将要冲孔区域的位置。
在实施例中，面板100的选择性囊封允许仅在那些无模制组合物的面板区域上执 行所需要的冲孔。即，作为所述选择性囊封工艺的结果，可将所述面板冲孔以在成品 封装中界定斜面144、凹口 146或其它形状而不必冲孔穿过所述面板上的模制化合物。 应了解，在替代实施例中，可能穿过模制化合物来进行某些冲孔，而将要移除的某些 区域可能包括模制化合物。在实施例中，在面板100上冲孔出来的区域的形状及位置 对应于并匹配成品封装的无模制化合物的区域的形状及位置。应了解，在实施例中， 从面板100冲孔出来的区域的形状不必与无模制化合物的区域的形状相同。
虽然将所述冲孔工艺说明为所述集成电路形成并囊封在面板100上之后发生，但 应了解，可在所述集成电路形成在面板100上并加以囊封之前冲孔面板100。在此实 施例中，在步骤52的在面板100上形成电导图案之前、期间或之后，可在冲孔工艺中 移除在面板100上形成斜面144、凹口 146的区域或其它区域。另一选择为，可通过 其它工艺(例如，化学蚀刻所述区域)来移除在面板100上形成斜面144、凹口 146 的区域或将要移除的其它区域。应了解，可在面板100是引线框架、PCB、巻带或上 面可装配并囊封集成电路的其它衬底的情况下执行在面板100内形成用于斜面144、 凹口 146或其它区域的开口的步骤。
下一步可在步骤68中单个化集成电路102中的每一者。单个化步骤68涉及将面 板100上的集成电路102切割为多个单独的集成电路封装，每一单独的集成电路封装 具有大体矩形形状(如本文所使用，矩形包括不相等长度的邻边或相等长度的邻边(即 正方形))。所述半导体封装包括至少一个外部边缘，例如斜面144及/或凹口 146， 其不同于所述经单个化封装的大体矩形形状。可通过沿图6中部分显示的笔直切割线 170锯割进行的切割来单个化每一集成电路。如本文所使用，术语"切割"用于指代 各种切开方法，包括锯割、激光、水刀切割、冲孔或用于将集成电路102分离为单独 的集成电路封装的其它方法。所述切割可具有约0.3mm的锯口，但所述锯口可能窄于 或宽于替代实施例中的锯口。
锯割通常比经常用于在半导体封装中实现不规则或曲线切割形状的其它切割方 法(举例来说，例如水刀切割或激光切割)更低廉，消耗时间更小且需要更少的设备。 然而，通常仅可沿笔直边缘进行锯割。通过从所述面板冲孔多个区域，且然后沿笔直' 边缘进行锯割，所述笔直边缘切割中的至少一者与所述经冲孔区域邻接，本发明提供 一种用于获得各种所需形状中的任一形状的成品半导体封装的简单、有效且具成本效 率的方法。
虽然锯割在降低成本及复杂性方面提供优点，但应了解，在替代实施例中，可通 过各种切割方法(举例来说，例如水刀切割、激光切割、水导引激光切割、干媒介切
割及金刚石涂布线)来单个化面板100。水还可与激光切割一起使用以帮助补充或集 中其效果。在标题为"用于高效地生产可抽换式外围卡的方法(Method For Efficiently Producing Removable Peripheral Cards)"的第2004/0259291号已出版美国申请案中揭 示对从面板切割集成电路及从而可实现的形状的进一步说明，所述申请案受让予本发 明的所有者且所述申请案的全部内容已以引用的方式并入本文中。应了解，在替代实 施例中，可通过上述工艺之外的其它工艺来形成所述单个化的集成电路。
可通过上述工艺获得的集成电路("IC")封装126的实例显示在图7至11中。 图7是IC封装126的俯视图，其从面板100切割而来并包括囊封在上述模制化合物 120内的集成电路102。 IC封装126可包括顶表面132、第一边缘134、第二边缘136、 第三边缘138及所述封装的外围周围的第四边缘140。图8至11分别是封装126的所 述第一至第四边缘的边缘图。图12是IC封装126的底表面142的视图，其显示用于 在所述成品快闪存储器卡内在所述卡与主电子装置之间建立电连接的接触指状元件 143。在IC封装126用于SD卡的情况下，可将IC封装126构建为接点栅格阵列(LGA) 封装。涵盖其它类型的封装，例如引脚栅格阵列(PGA)及球栅阵列(BGA)封装。
如上所解释，斜面144是形成于第一边缘134与第四边缘140之间的角中以符合 如下文更加详细地加以解释的快闪存储器卡盖子中的斜面。凹口 146可形成于第二边 缘136与第三边缘138之间的角中以用于如下文更加详细地加以解释的快闪存储器卡 盖子中的开关的位置。与现有技术中发现的更复杂的制作工艺相比，可仅使用简单的 冲孔及笔直边缘切割工艺来获得包括斜面144及凹口 146的IC封装126的形状。
再次参照图1的流程图及图13-15的视图，可在步骤70中将完成的IC封装126 进一步装进外部封装或盖子(或一对盖子)150内。此种盖子150可提供IC封装126 的外部覆盖并建立外部产品特征。举例来说，如上所示，IC封装126可经成形以用于 具有标准SD卡盖子配置及覆盖区的SD卡152内。在此种实施例中，盖子150在第一 对边缘之间包括斜面154以防止不正确地将所述卡插入主机装置上的标准SD卡插槽 内。特定来说，每一卡插槽将包括有角度角，其在卡152正确插入时与斜面154配合， 但在倚靠所述主插槽内的有角度角来插入卡152的某些其它角的情况下，将会防止卡 152被完全插入。
如上所示，IC封装126包括斜面144。 IC封装126经切割以使斜面144完全匹配 并符合斜面154的大小及形状。同样，标准SD卡形成有开关156，其与所述主机装置 中的机构协作以启用并停用从/到所述卡的读取/写入操作。IC封装126经切割，以使 封装126中的凹口 146经大小调整并定位以在其在其启用与停用位置之间移动时不妨 碍开关156。
在实施例中，IC封装126仅占据卡152内的可用空间的小部分。举例来说，IC 封装126可具有约2cm的最大长度(在第二边缘136与第四边缘140之间)及约lcm
的最大宽度(在第一边缘134与第三边缘138之间)。在这些尺寸下，所述IC封装占 据卡152中少于二分之一的可用空间。应了解，在替代实施例中，IC封装126可占据 卡152内多于二分之一的可用空间。
已说明本发明的实施例，包括适配于标准SD卡的覆盖区内的IC封装。然而，应 了解，本发明的实施例可替代性地在单个封装内形成SiP、 MCM或其它电子系统以适 配于众多其它快闪存储器标准中的外部盖子或外壳内。此类标准包括但不限于小型快 闪、智能媒体、迷你SD卡、MMC、 xD卡、Transflash存储器卡或存储器棒。涵盖其 它装置。
出于例示及说明的目的已提供对本发明的以上详细说明。并非打算包揽无遗或将 本发明限定于所揭示的精确形式。根据以上教示可进行许多修改及变更。选择所说明 的实施例目的在于最好地解释本发明的原理及其实际应用，从而使所属领域的其他技 术人员能够最好地利用各个实施例中的本发明且通过所涵盖的适用于特定用途的各种 修改来最好地利用本发明。本发明的范围既定由本文随附权利要求书来界定。
权利要求
1、一种制作具有大体矩形形状外部外围的半导体封装的方法，所述半导体封装具有不同于所述大体矩形形状的至少一个外部边缘，所述半导体封装是通过以下步骤从面板而形成(a)将所述面板囊封在模制化合物中，同时使至少一个区域没有模制化合物，及(b)从所述面板冲孔所述至少一个区域以在所述半导体封装中界定所述至少一个外部边缘。
2、 如权利要求1所述的制作半导体封装的方法，其进一步包含通过穿过所述面板的笔直边缘切割从所述面板单个化所述半导体封装的步骤，至少一个笔直边缘切割 与所述至少一个外部边缘邻接。
3、 如权利要求2所述的制作半导体封装的方法，所述单个化所述半导体封装的 步骤包含穿过所述面板进行锯割的步骤。
4、 如权利要求1所述的制作半导体封装的方法，所述从所述面板冲孔所述至少 一个区域的步骤(b)在所述半导体封装中将所述至少一个外部边缘形成为斜面。
5、 如权利要求1所述的制作半导体封装的方法，所述从所述面板冲孔所述至少 一个区域的步骤(b)在所述半导体封装中将所述至少一个外部边缘形成为凹口。
6、 如权利要求1所述的制作半导体封装的方法，所述从所述面板冲孔所述至少 一个区域的步骤(b)在所述半导体封装中将所述至少一个外部边缘形成为曲线、直线及 不规则形状边缘中的至少一者。
7、 如权利要求1所述的制作半导体封装的方法，所述从所述面板冲孔所述至少 一个区域的步骤(b)包含穿过引线框架的至少一个未囊封区域进行冲孔的步骤。
8、 如权利要求1所述的制作半导体封装的方法，所述从所述面板冲孔所述至少 一个区域的步骤(b)包含穿过印刷电路板的至少一个未囊封区域进行冲孔的步骤。
9、 如权利要求1所述的制作半导体封装的方法，所述将所述面板囊封于模制化 合物中同时使邻近所述至少一个外部边缘的至少一个区域没有模制化合物的步骤(a) 包含将所述面板放置在一对模帽冲模板之间，所述模帽冲模板中的一者包括用于接触 所述面板以界定所述没有模制化合物的至少一个区域的至少一个突出部分。
10、 一种从集成电路的面板制作半导体封装的方法，其包含以下步骤(a) 囊封所述面板，使所述面板的多个部分无模制化合物；(b) 从所述面板冲孔所述无模制化合物的多个部分以在所述面板中形成通孔；及(c) 从所述面板单个化所述多个半导体封装，在所述从所述面板单个化所述多 个半导体封装的步骤(c)之后，所述多个通孔形成所述多个半导体封装的所述外部外围的区段。
11、 如权利要求10所述的制作半导体封装的方法，所述单个化所述多个半导体 封装的步骤(c)包含穿过所述面板进行锯割的步骤。
12、 如权利要求10所述的制作半导体封装的方法，在所述从所述面板单个化所 述多个半导体封装的步骤(c)之后，所述多个通孔在所述多个半导体封装的所述外部外 围中形成斜面。
13、 如权利要求10所述的制作半导体封装的方法，在所述从所述面板单个化所 述多个半导体封装的步骤(c)之后，所述多个通孔在所述多个半导体封装的所述外部外 围中形成凹口。
14、 如权利要求10所述的制作半导体封装的方法，在所述从所述面板单个化所 述多个半导体封装的步骤(c)之后，所述多个通孔在所述多个半导体封装的所述外部外 围中形成曲线、直线及不规则形状边缘中的至少一者。
15、 如权利要求10所述的制作半导体封装的方法，所述从所述面板冲孔所述至 少一个区域的步骤(b)在所述半导体封装中将所述至少一个外部边缘形成为曲线、直线 及不规则形状边缘中的至少一者。
16、 一种从集成电路的面板制作半导体封装的方法，其包含以下步骤(a)在所述面板的第一部分中形成通孔，所述通孔界定所述半导体封装的外 部边缘的第一区段；及(b) 沿直线切割所述面板的第二部分以界定所述半导体封装的所述外部边 缘的与所述第一区段邻接的第二区段。
17、 如权利要求16所述的从集成电路制作半导体封装的方法，其进一步包含用 模制化合物囊封所述面板的步骤，所述囊封步骤使所述面板的所述第一部分没有模制 化合物。
18、 如权利要求16所述的从集成电路制作半导体封装的方法，所述在所述面板 的第一部分中形成通孔的步骤(a)在所述半导体封装的所述外部边缘中界定斜面。
19、 如权利要求16所述的从集成电路制作半导体封装的方法，所述在所述面板 的第一部分中形成通孔的步骤(a)在所述半导体封装的所述外部边缘中界定凹口 。
20、 如权利要求16所述的从集成电路制作半导体封装的方法，其中所述半导体 封装的所述外部边缘的所述第一区段具有曲线及不规则形状中的至少一者。
21、 如权利要求16所述的从集成电路制作半导体封装的方法，所述在所述面板 的第一区段中形成通孔的步骤(a)包含穿过所述面板进行冲孔的步骤。
22、 如权利要求16所述的从集成电路制作半导体封装的方法，所述在所述面板 的第一区段中形成通孔的步骤(a)包含穿过所述面板进行蚀刻的步骤。
23、 一种快闪存储器卡，其包括从集成电路的面板形成的半导体封装，所述快闪 存储器卡是通过包含以下步骤的工艺而形成(a) 用模制化合物囊封所述面板，使所述面板的一部分无模制化合物；(b) 从所述面板冲孔所述面板的所述无模制化合物的部分以在所述面板中形成 通孔；(c) 从所述面板单个化所述半导体封装，在所述从所述面板单个化所述半导体 封装的步骤(c)之后，所述通孔形成所述半导体封装的所述外部外围的区段；及(d) 将所述半导体封装装入一个或一个以上盖子内。
24、 如权利要求23所述的快闪存储器卡，所述半导体封装包含引线框架。
25、 如权利要求23所述的快闪存储器卡，所述半导体封装包含印刷电路板。
26、 如权利要求23所述的快闪存储器卡，所述快闪存储器卡包含安全数字(SD)卡。
27、 如权利要求23所述的快闪存储器卡，所述快闪存储器卡包含小型快闪、智 能媒体、迷你SD卡、MMC、 xD卡、Transflash存储器卡及存储器棒中的一者。
全文摘要
本发明揭示一种用于通过从集成电路的面板冲孔及切割封装的工艺来形成半导体封装的方法。在用于将所述封装囊封到模制化合物中的囊封工艺期间，可使所述面板的部分没有模制化合物。随后可从所述面板冲孔所述面板的没有模制化合物的部分。这些经冲孔的区域可在成品半导体封装的外部边缘中界定斜面、凹口或各种其它曲线、直线或不规则的形状。在将所述面板冲孔之后，可将所述集成电路单个化。通过从所述面板冲孔区域，且然后沿笔直边缘进行切割，本发明揭示一种用于获得各种所需形状的成品半导体封装的简单、有效且具成本效率的方法。
文档编号H01L21/56GK101341586SQ200680044334
公开日2009年1月7日 申请日期2006年11月1日 优先权日2005年11月2日
发明者什里卡·巴加斯, 赫姆·塔克亚尔, 邱锦泰 申请人:桑迪士克股份有限公司