专利名称：：聚噻吩电子器件的制作方法
技术领域：
：本公开内容一般性涉及在此说明的化学式/结构式的半导体和制备其的方法及其用途。更具体地，在实施方案中，本/>开内容涉及如在此说明的化学式的TFT聚合物，并且更具体地涉及许多稳定的聚噻吩，其中在噻吩单元的3-取代基的卩和/或y位将比c(2.55)电负性更高的例如0(3.44,Pauling's电负性)和N(3.04)的原子引入聚噻吩，并且得到的聚噻吩比聚(3-烷基噻吩)类，例如聚(3-己基噻吩)(P3HT)更稳定，并且可以选择该公开的聚噻吩作为聚合薄膜晶体管的半导体，以及可以选择其作为有机电子器件，例如薄膜晶体管中的溶液可加工和基本稳定的通道半导体，并且该晶体管在空气中稳定，当暴露于氧气时经过一定时间段基本不退化。虽然不希望受理论限制，但是据信例如O和N的原子的诱导效应和可忽略的谐振(或内消旋)效应以及这种原子在p和/或y位的诱导效应和可忽略的谐振(或内消旋)效应将在聚合物主链上具有吸电子特性，使聚噻吩聚合物的HOMO(最高已占分子轨道)能级降低，由此导致相对于氧气的稳定性升高和晶体管性能，例如场效应迁移率增强。更具体地，据信虽然O和N原子比碳(C)具有更大的电负性，但是当它们直接连接到噻吩的芳族部分时，因为它们的释电子共振效应，含O或N的取代基，例如OH、OR的纯极化效应为释放电子(给予)的，由此聚(3-烷氧基噻吩)通常比聚(3-烷基p塞吩)对光诱导氧气掺杂更敏感。为部分之间插入例如一个或两个亚曱基，因为O和N将不涉及噻吩环的共轭。但是，在一定程度上仍将保持对噻吩环的吸电子诱导效应。这些取代基的纯极化效应将比烷基取代基较少释放电子，并且因此与聚(3-烷基噻吩)相比，该聚合物的HOMO能级较低，由此提高这些聚合物对由氧导致的氧化掺杂的稳定性。1
背景技术：
：0002]需要由在此说明的化学式的半导体制造的电子器件，例如薄工的；并且这些器件具有机械耐久性和结构柔韧性特征，这些特征是在许多基材，例如塑料基材上制造柔性TFTs所需要的。柔性TFTs使电子器件的结构可以具有结构柔韧性和机械耐久性特征。塑料基材与在此说明的化学式的半导体一起使用可以将传统上的硬质硅TFT转变为机械上更耐久和结构上柔初的TFT结构。这一点对于大面积器件，例如大面积图像传感器、电子纸和其它显示介质可能特别有价值。此外，在实施方案中，选择在此说明的化学式的半导体具有低端微电子器件，例如智能卡、射频识别(RFID)标签和记忆/存储器件的集成电路逻辑元件的扩展结合，并且增强它们的机械耐久性，和因此提高它们的有效寿命。据信当暴露于空气时，许多半导体材料并不稳定，因为它们由于导致电导率增加的环境氧气而变为氧化掺杂的。结果是断开电流较大，并因此由这些材料制造的器件的电流通/断比低。因此，对于许多这些材料，在材料加工和器件制造过程中，通常进行严格的预防，以排除环境氧气，避免氧化掺杂或使其最小化。这些预防措施增加了制造成本，由此抵消了某些半导体TFTs作为特别是用于大面积设备的无定形硅技术的经济替代方案的吸引力。在本公开内容的实施方案中避免了这些和其它缺点或使其最小化。此外，当用作TFTs中的通道半导体时，已知并苯，例如并五苯、杂并苯及其衍生物具有可接受的高场效应迁移率。但是，这些材料可能由于例如光线下的空气氧而快速氧化，并且并不认为这种化合物在环境条件下可加工。此外，当选择用于TFTs时，未取代的并苯基本不可溶，因此它们基本上不可溶液加工；因此这种化合物已经由真空沉积法进行加工，其导致高成本，被用在此说明的半导体制造的TFTs所排除或最小化。虽然一些取代的并苯可溶于有机溶剂，但是它们通常具有不良的形成薄膜特性，并因此不适于溶液加工大面积电子器件。在此公开如下实施方案。方案1.一种电子器件，包括以下化学式/结构式(I)的半导体(I)其中X为O或NR'之一；m表示亚曱基的数目；M为共辄部分；R和R'选自氬、合适的烃和合适的含杂原子基团的至少一种；a表示3-取代的RX噻吩单元的数目；b表示共轭部分的数目，和n表示聚合物重复单元的数目。方案104艮据方案1的器件，其中所述n为5到约200;所述a为1;所述b为零、1或2;所述R为选自曱基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基、羟曱基、羟乙基、羟丙基、羟丁基、羟戊基、羟己基、羟庚基、雍辛基、羟壬基、羟癸基、羟基十一烷基、羟基十二烷基、曱氧基乙基、甲氧基丙基、曱氧基丁基、甲氧基戊基、甲氧基辛基、三氟曱基、全氟乙基、全氟丙基、全氟丁基、全氟戊基、全氟己基、全氟庚基、全氟辛基、全氟壬基、全氟癸基、全氟十一烷基或全氟十二烷基的烷基或取代烷基。方案14.根据方案1的器件，其中所述共轭部分选自<formula>formulaseeoriginaldocumentpage20</formula>方案15.—种薄膜晶体管，由基材、栅极、栅极介电层、源极和漏极、及与源/漏极和栅极介电层接触的半导体层组成，该半导体层由选自以下那些的聚合物组成<formula>formulaseeoriginaldocumentpage21</formula>(I)其中X为O或NR';m表示亚曱基的数目；M为共轭部分；R和R'为氩、合适的烃和合适的含杂原子基团的至少一种；a表示3-取代的噻吩单元的数目；b表示共轭部分的数目，和n表示聚合物重复单元的数目。0024方案16.根据方案15的薄膜晶体管，其中所述n表示约2到约5,000;所述m表示l到约2;所述a为l到约20;和所述b为零(O)到约20。0025方案17.根据方案15的薄膜晶体管，其中所述n表示约5到约1,000;所述m表示l或2;所述a为l到约10;和所述b为零(O)到约10。方案19.根据方案15的薄膜晶体管，其中所述合适的烃由烷基、芳基、杂芳基及其取代衍生物的至少一种组成。方案20.根据方案15的薄膜晶体管，其中所述合适的烃为具有约1到约25个碳原子的烷基，和具有6到约42个碳原子的芳基的至少一种。0029方案21.根据方案15的薄膜晶体管，其中所述杂芳基为噻吩基、呋喃基、吡啶基、"恶唑基、吡咯基、三嗪基、咪唑基、嘧啶基、吡。秦基、p恶二唑基、p比峻基、三唑基、p塞唑基、，塞二唑基、会淋基、p奎峻啉基、萘啶基或寸唑基；和所述烃为选自苯基、萘基、曱基苯基(曱苯基)、乙基苯基、丙基苯基、丁基苯基、戊基苯基、己基苯基、庚基苯基、辛基苯基、壬基苯基、癸基苯基、十一烷基苯基、十二烷基苯基、十三烷基苯基、十四烷基苯基、十五烷基苯基、十六烷基苯基、十七烷基苯基和十八烷基苯基的芳基。方案22.根据方案15的薄膜晶体管，其中所迷X为O或NH;所述n为5到约500;所述a为l;所述b为O、1或2;所述R为选自曱基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基、羟甲基、羟乙基、羟丙基、羟丁基、羟戊基、羟己基、羟庚基、羟辛基、羟壬基、羟癸基、羟基十一烷基、羟基十二烷基、曱氧基乙基、曱氧基丙基、甲氧基丁基、曱氧基戊基、甲氧基辛基、三氟曱基、全氟乙基、全氟丙基、全氟丁基、全氟戊基、全氟己基、全氟庚基、全氟辛基、全氟壬基、全氟癸基、全氟十一烷基或全氟十二烷基的烷基或取代烷基；和所述R'为氢、选自曱基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基、羟曱基、羟乙基、羟丙基、羟丁基、羟戊基、羟己基、羟庚基、雍辛基、羟壬基、羟癸基、羟基十一烷基、羟基十二烷基、曱氧基乙基、甲氧基丙基、甲氧基丁基、甲氧基戊基、甲氧基辛基、三氟曱基、全氟乙基、全氟丙基、全氟丁基、全氟戊基、全氟己基、全氟庚基、全氟辛基、全氟壬基、全氟癸基、全氟十一烷基或全氟十二烷基的烷基或取代烷基。方案23.根据方案15的薄膜晶体管，其中所述共轭部分M选自以下化学式/结构式之一<formula>formulaseeoriginaldocumentpage22</formula>并且其中R"为氢、烷基、芳基和杂芳基的至少一种。方案27.根据方案15的薄膜晶体管，其中所述半导体由旋涂、印才莫印刷、丝网印刷或喷印的溶液法沉积。方案28.根据方案15的薄膜晶体管，其中所述n为约5到约1,000,约5到约800,或约5到约200;其中所述聚合物的数均分子量(Mn)为约500到约400,000，或约l，OOO到约150,000,并且重均分子量(Mw)为约600到约500,000,或约1,500到约200,000，两者均由使用聚苯乙烯标准物的凝胶渗透色谱法测量。方案32.根据方案1的器件，其中所述合适的烃为丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、苯基、甲基苯基、乙基苯基、丙基苯基或丁基苯基；所述合适的含杂原子基团为5-甲基-2-遙吩基、3-曱基-2-噻吩基、5-氯-2-噻吩基、3-氯-2-噻吩基、5-氟-2-噻吩基、3-氟-2-噻吩基、5-曱基-2-呋喃基、3-曱基-2-呋喃基、5-氯-2-呋喃基、3-氯-2-呋喃基、5-曱基-2-吡啶基、5-氯-2-吡啶基、N-曱基-5-氟-吡咯基、6-甲基-3-咔唑基、6-氯-3-咔唑基、6-氟-3-咔唑基；和所述M为以下的至少一种本公开内容的一个特征是提供在此说明的化学式的半导体，其可用于微电子器件应用，例如TFT器件。本公开内容的另一个特征在于提供电子器件，例如TFTs,其具有如说明的化学式的p-型聚噻吩半导体，并且该半导体层具有例如约10-4到约l(T9S/cm(西门子/厘米)的电导率。0046此外，在本^^开内容的另一个特征中，提供新的在此说明的化学式的p-型半导体及其器件，并且该器件显示对氧气副作用的抵抗性增强，也即这些器件显示较高的电流通/断比，并且其性能基本上不像用区域有规的聚(3-烷基噻吩)或并苯制造的类似装置那样迅速退化。另外，在本公开内容的另一个特征中，提供一类新的具有独特结构特征的如在此说明的化学式的半导体，其在合适的加工条件下有助于分子自动调准，并且该结构特征还使器件性能的稳定性提高。适当的分子调准可以允许更高的薄膜中分子结构有序，这可能对有效的载荷子迁移有价值，并且因此允许更高的电气性能。M的实例由以下可选化学式/结构式表示，其可以或不可以进一步被一种或多种以下基团取代例如烷基或芳基的烃基，例如硝基、氰基的含杂原子基团，例如噻吩基、呋喃基、吡啶基、嚐、唑基、吡咯基、三嗪基、咪唑基、嘧啶基、吡嗪基、喁二唑基、吡唑基、三唑基、噻唑基、瘗二唑基、喹啉基、喹唑啉基、萘咬基、呻唑基和取代衍生物，例如5-曱基-2-噻吩基、3-曱基-2-噻吩基、5-氯-2-噻吩基、3-氯-2-噻吩基、5-氟-2-p塞吩基、3-氟-2-噻吩基、5-曱基-2-呋喃基、3-曱基-2-吹喃基、5-氯-2-呋喃基、3-氯-2-呋喃基、5-甲基-2-吡啶基、5-氯-2-吡啶基、N-曱基-5-氟-吡咯基、6-曱基-3-咕唑基、6-氯-3-啼唑基、6-氟-3-咔唑基，其混合物等的杂芳基，或者氟、氯、溴和碘的卣素，其中R"为氢，例如烷基和芳基的合适的烃；或者含杂原子基团在卩或y位含有氧或氮的聚*吩的实例包括例如以下化学式/结构式的那些R<formula>formulaseeoriginaldocumentpage40</formula><image>imageseeoriginaldocumentpage41</image><formula>formulaseeoriginaldocumentpage42</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage43</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage44</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage44</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage44</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage44</formula><table>tableseeoriginaldocumentpage45</column></row><table><formula>formulaseeoriginaldocumentpage46</formula>(26)其中各R"'或R""表示具有例如约1到约35个碳原子的烷基或取代烷基，例如甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基、羟曱基、羟乙基、羟丙基、羟丁基、羟戊基、羟己基、羟庚基、羟辛基、羟壬基、羟癸基、羟基十一烷基、羟基十二烷基、甲氧基乙基、曱氧基丙基、曱氧基丁基、曱氧基戊基、甲氧基辛基、三氟曱基、全氟乙基、全氟丙基、全氟丁基、全氟戊基、全氟己基、全氟庚基、全氟辛基、全氟壬基、全氟癸基、全氟十一烷基或全氟十二烷基；n表示聚合物重复单元的数目，并且可以为例如2到约5,000，约5到约2,500,和更具体地约5到约1,000,约5到约800,或约5到约200。聚p塞吩聚合物的数均分子量(Mn)可以为例如约500到约400,000，包括约1,000到约150,000，并且其重均分子量(Mw)可以为约600到约500,000,包括约1,500到约200,000，均由使用聚苯乙烯标准物的凝胶渗透色谱法测定。在此说明的化学式的聚噻吩聚合物可以由许多合适的方法制备，例如参考以下反应历程1说明的方法。更具体地，3-噻吩曱醇(购自Sigma-Aldnch)首先与氬化钠(NaH)在无水N,N-二曱基曱酰胺(DMF)中反应形成作为中间体的3-噻吩甲醇钠，随后添加l-淡丁烷(C4H9Br)，通过亲核取代形成3-丁氧基曱基噻吩。使用1摩尔当量N-溴琥珀酰亚胺(NBS)将得到的3-丁氧基曱基噻吩溴化，产生2-溴-3-丁氧基曱基噻吩。通过使用i)二异丙基胺化锂(LDA)和li)溴化镁乙醚合物(MgBr2.Et20)首先形成3-丁氧基曱基-2-噻吩基溴化镁，然后在催化量的二(二苯基膦基)丙烷二氯镍(II)(Ni(dppp)Cl2)存在下进行偶联反应，进行2-溴-3-丁氧基曱基噻吩的聚合，得到聚(3-丁氧基甲基噻吩)(la)。聚(3-丙氧基乙基噻吩)2a可以类似地从3-p塞吩乙醇(购自Sigma-Aldrich)和1-溴丙烷(C3H7Br)开始合成。反应历程1合成聚合物la和2a<formula>complexformulaseeoriginaldocumentpage47</formula>此外，在实施方案中，聚p塞吩可以用类似于R.D.McCullough等人，J.Am.Chem.Soc.1993,119,11608-11609中说明的方法原理制备，在此将其全部公开内容引入作为参考。图4示意性说明一种薄膜晶体管构造70，其由基材76、栅极78、源极80、漏极82、在此说明的化学式的p-型半导体，并且更具体地由其中n为148的聚(3-丁氧基曱基噻吩)(la)组成的半导体层72以及绝缘介电层74组成。在实施方案中并且进一步参考本公开内容和附图，基材层通常可以为包括各种适当形式的硅的硅材料、玻璃板、塑料膜或片材、金属片材等，取决于预期应用。对于结构柔性设备，可以选择塑料基材，例如聚酯、聚碳酸酯、聚酰亚胺片材，或金属片材，例如铝片等。基材的厚度可以为例如约10微米到超过10毫米，特别是对于软质塑料基材，具体厚度为约50到约100微米，对于硬质基材，例如玻璃或硅，具体厚度为约1到约IO毫米。0065]可以将栅极与源极和漏极分隔，并且与半导体层接触的绝缘介电层通常可以为无机材料膜、有机聚合物膜或有机-无机复合膜。介电层的厚度为例如约10纳米到约5微米，和更具体的厚度为约100纳米到约1,000纳米。适合作为介电层的无机材料的说明性实例包括氧化硅、氮化硅、氧化铝、钛酸钡、钛酸锆酸钡等；用于介电层的有机聚合物的说明性实例包括聚酯、聚碳酸酯、聚(乙烯基苯酚)、聚酰亚胺、聚苯乙烯、聚(甲基丙烯酸酯)、聚(丙烯酸酯)、环氧树脂等；无机-有机复合材料的说明性实例包括分散在例如聚酯、聚酰亚胺、环氧树脂等聚合物中的纳米尺度的金属氧化物颗粒。绝缘介电层通常具有约50纳米到约500纳米的厚度，取决于使用的介电材料的介电常数。更具体地，介电材料具有例如至少约3的介电常数，因此约300纳米的合适的介电厚度可以提供例如约10力到约1(TF/cm2的理想电容。体层，其由在此说明的化学式的p-型半导体组成，并且其中该层的厚度通常为例如约10纳米到约1微米，或约40到约100纳米。该层通常可以由溶液法，例如旋涂、流延、丝网印刷、印模或喷印本公开内容的p-型半导体的溶液制造。栅极可以为薄金属膜、导电聚合物膜、由导电油墨或糊产生的导电膜，或基材本身(例如重质掺杂的硅)。栅极材料的实例包括但不局限于铝、金、银、铜、镍、铬、氧化铟锡、导电聚合物，例如聚苯乙烯磺酸盐掺杂的聚(3,4-亚乙基二氧基噻吩)(PSS/PEDOT)，由聚合物基料中的炭黑/石墨或胶态银分散体组成的导电油墨/糊，例如购自AchesonColloidsCompany的ELECTRODAG,和购自NoelleIndustries的银填充的导电性热塑性油墨等。栅极层可以通过真空蒸发，金属或导电金属氧化物溅射，由旋涂、流延或印刷从导电聚合物溶液或导电油墨或分散体涂布制备。栅极层的厚度为例如约IO纳米到约IO微米，并且对于金属膜，具体厚度为例如约10到约200纳米，以及对于聚合物导体，具体厚度为约1到约10微米。料制造。适合用作源极和漏极的典型材料包括例如金、银、镍、铝、柏，导电聚合物和导电油墨的那些栅极材料。该层的典型厚度为例如约40纳米到约1微米，和更具体地约100到约400纳米。该TFT器件包含宽度W和长度L的半导体通道。半导体通道宽度可以为例如约IO微米到约5毫米，具体的通道宽度为约100微米到约1毫米。半导体通道长度可以为例如约l微米到约1毫米，其中更具体的通道长度为约5微米到约100微米。源极是接地的，并且当向栅极施加通常为约+10伏到约-80伏的电压时，向漏极施加通常为例如约0伏特到约-80伏特的偏压以收集穿过半导体通道所输送的载荷子。对于本公开内容的TFT器件的各种组件，在实施方案中也可以选择在此并未具体描述的许多已知材料。实施例I合成聚(3-丁氧基曱基噻吩)1)3-丁氧基曱基噻吩[0072向搅拌的无水N,N-二曱基甲酰胺(DMF)(15毫升)中的氢化钠(NaH)(2.63克，66mmol，油中的60%分散体)悬浮液中滴加DMF(15毫升)中的3-噻吩曱醇(5.105克，43.8mmol)溶液。搅拌反应混合物直到氢停止逸出(约0.5小时)。向得到的悬浮液中滴加DMF(15毫升)中的1-溴丁烷(10.3克，75mmo1)，然后在室温下搅拌4小时。将反应混合物倒入水(200毫升)中并用乙醚/己烷(v/v,100毫升/IOO毫升)萃取，和用盐水洗涤。得到的有机层经硫酸镁(MgS04)千燥并过滤。去除DMF溶剂之后，得到浅黄色液体，首先使用己烷(约400毫升以去除矿物油)，然后使用己烷/CH2Cl2(二氯曱烷)0"=1/1;1,200毫升)，在硅胶上对该浅黄色液体进行柱色谱法。蒸发溶剂之后，得到无色液体。产率6.17克(81%)。力NMR(CDCl3中)7.29(dd,J「4.9Hz,J2=3.0Hz,1H)，7.20(m，1H)，7.07(dd，J=4.9Hz,J2=1.3Hz，1H)，4.50(s，2H),3.46(t,J=6.6Hz，2H),1.60(m,2H)，1.40(m,2H)，0.91(t，J=7.3Hz,3H)ppm。2)2-溴-3-丁氧基甲基噻吩0073将3-丁氧基曱基p塞吩(6.17克，36.24mmol)溶于100毫升CH2Cl2中，然后添加100毫升乙酸(AcOH)。然后在搅拌下向得到的混合物中分部分添加N-溴琥珀酰亚胺(NBS)(6.45克，36.24mmol)。然后在约23。C到约27匸的室温下搅拌得到的混合物24小时。由^NMR确定反应完成。然后通过抽真空去除溶剂。将残余剩余物溶于己烷，并使可溶部分经过短硅胶柱(IO厘米x3厘米)。去除溶剂之后，通过使用己烷/CH2C12(3/2,v/v)的柱色谱法，然后通过减压下蒸馏提纯得到的无色液体。产率6.75克(74.8%)。)H丽R(CDCl3中)7.24(d，J=5.6Hz，1H),6,98(d，J=5.6Hz,1H),4.44(s，2H),3.46(t，J=6.5Hz，2H)，1.59(m，2H),1.40(m,2H),0.91(t,J=7.3Hz，3H)ppm。3)聚(3-丁氧基甲基噻吩)通过重复以上步骤并在以下相同条件下制造使用市售区域有规聚(3-己基噻吩)(Sigma-Aldrich)作为半导体层的TFTs,得到如下器件性能迁移率10—4cm2/V.s电流通/断2[0080以上TFT结果表明，与区域有规聚(3-己基噻吩)相比，聚O丁氧基曱基噻吩)(1a)对环境氧气具有改善的空气稳定性。权利要求1.一种电子器件，包括以下化学式/结构式(I)的半导体其中X为O或NR′之一；m表示亚甲基的数目；M为共轭部分；R和R′选自氢、合适的烃和合适的含杂原子基团的至少一种；a表示3-取代的噻吩单元的数目；b表示共轭部分的数目，和n表示聚合物重复单元的数目。2.—种薄膜晶体管，由基材、栅极、栅极介电层、源极和漏极、及与源/漏极和栅极介电层接触的半导体层组成，该半导体层由选自以下那些的聚合物组成<formula>seeoriginaldocumentpage2</formula>(I)其中X为O或NR';m表示亚甲基的数目；M为共辄部分；R和R'为氢、合适的烃和合适的含杂原子基团的至少一种；a表示3-取代的p塞吩单元的数目；b表示共轭部分的数目，和n表示聚合物重复单元的数目。3.根据权利要求2的薄膜晶体管，其中所述n表示2到约500;所述m为1;所述a为1到约5;所述b为0到约7，和所述X为氧原子。4.根据权利要求2的薄膜晶体管，其中所述共辄部分M选自以下化学式/结构式之一<formula>seeoriginaldocumentpage3</formula>并且其中R"为氢、烷基、芳基和杂芳基的至少一种。5.根据权利要求2的薄膜晶体管，其中所述半导体聚合物选自:<formula>seeoriginaldocumentpage3</formula><formula>seeoriginaldocumentpage4</formula><formula>seeoriginaldocumentpage5</formula>(9)<formula>seeoriginaldocumentpage5</formula>(10)<formula>seeoriginaldocumentpage5</formula>(11)<formula>seeoriginaldocumentpage5</formula>(12)<formula>seeoriginaldocumentpage6</formula>(13)<formula>seeoriginaldocumentpage6</formula>(14)<formula>seeoriginaldocumentpage6</formula>(15)<formula>seeoriginaldocumentpage6</formula>(16)<formula>seeoriginaldocumentpage7</formula><formula>seeoriginaldocumentpage7</formula><formula>seeoriginaldocumentpage7</formula><formula>seeoriginaldocumentpage7</formula><formula>seeoriginaldocumentpage8</formula>(21)<formula>seeoriginaldocumentpage8</formula>(22)<formula>seeoriginaldocumentpage8</formula>(23)<formula>seeoriginaldocumentpage8</formula>(24)<formula>seeoriginaldocumentpage8</formula>(25)和<formula>seeoriginaldocumentpage9</formula>(26)其中R"'和R""各自独立地表示选自曱基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基、羟曱基、羟乙基、羟丙基、羟丁基、羟戊基、羟己基、羟庚基、羟辛基、羟壬基、羟癸基、羟基十一烷基、羟基十二烷基、甲氧基乙基、曱氧基丙基、曱氧基丁基、曱氧基戊基、甲氧基辛基、三氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟丁基、全氟戊基、全氟己基、全氟庚基、全氟辛基、全氟壬基、全氟癸基、全氟十一烷基或全氟十二烷基的烷基或取代烷基；和n为2到约5,000。6.—种薄膜晶体管，由基材、栅极、栅极介电层、源极和漏极、及与源极/漏极和栅极接触的含半导体的层组成，该含半导体的层由以下化学式/结构式包括的聚p塞吩聚合物组成<formula>seeoriginaldocumentpage9</formula>(2)<formula>seeoriginaldocumentpage10</formula>(3)<formula>seeoriginaldocumentpage10</formula>(4)<formula>seeoriginaldocumentpage10</formula>(5)<formula>seeoriginaldocumentpage10</formula>(6)<formula>seeoriginaldocumentpage10</formula>(7)<formula>seeoriginaldocumentpage11</formula>(8)<formula>seeoriginaldocumentpage11</formula>(9)<formula>seeoriginaldocumentpage11</formula>(10)<formula>seeoriginaldocumentpage11</formula>(11)<formula>seeoriginaldocumentpage12</formula>(12)<formula>seeoriginaldocumentpage12</formula>(13)<formula>seeoriginaldocumentpage12</formula>(14)<formula>seeoriginaldocumentpage12</formula>(15)<formula>seeoriginaldocumentpage13</formula><formula>seeoriginaldocumentpage14</formula><formula>seeoriginaldocumentpage15</formula>(25)<formula>seeoriginaldocumentpage15</formula>(26)其中R'"和R""独立地表示苯基、曱基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、壬基、癸基、十一烷基、十二烷基、十三烷基、十四烷基、十五烷基、十六烷基、十七烷基、十八烷基、十九烷基、二十烷基、羟甲基、羟乙基、羟丙基、羟丁基、羟戊基、羟己基、羟庚基、羟辛基、羟壬基、羟癸基、羟基十一烷基、羟基十二烷基、曱氧基乙基、曱氧基丙基、甲氧基丁基、曱氧基戊基、甲氧基辛基、三氟甲基、全氟乙基、全氟丙基、全氟丁基、全氟戊基、全氟己基、全氟庚基、全氟辛基、全氟壬基、全氟癸基、全氟十一烷基或全氟十二烷基；和n为2到约5,000。全文摘要本发明公开了一种电子器件，其具有右(I)的半导体层，其中X为O或NR′；m表示亚甲基的数目；M为共轭部分；R和R′选自氢、合适的烃和合适的含杂原子基团的至少一种；a表示3-取代的噻吩单元的数目；b表示共轭部分的数目，和n表示聚合物重复单元的数目。文档编号H01L51/00GK101207181SQ200710199558公开日2008年6月25日申请日期2007年12月13日优先权日2006年12月14日发明者B·S·翁,Y·李申请人:施乐公司