使用烧结温度低的含锡无机材料进行气密性密封的制作方法

专利名称：：使用烧结温度低的含锡无机材料进行气密性密封的制作方法
技术领域：
：本发明涉及一种使用含Sn2+无机材料作为薄防渗透层来抑制氧和水分渗入器件的方法以及由此方法制得的器件。器件的例子包括发光器件(如有机发光二极管(0LED)器件)、光电器件、薄膜传感器、攸逝波导传感器、食物容器和药品容器。
背景技术：
：氧和/或水通过层压或密封材料转运并接着侵蚀器件内物质是许多器件中多种常见的劣化机制中的两种，所述器件包括发光器件(如0LED器件)、光电器件、薄膜传感器、攸逝波导传感器、食物容器和药品容器。关于与氧和水渗入0LED和其它器件的内层(阴极和电发光材料)相关的一些问题的详细讨论可参见以下文献Aziz，H.,P叩ovic'Z.D.,Hu，N.X.，Hor,A.H.和Xu，G.，"基于小分子的有机发光器件的劣化机制"(DegradationMechanismofSmallMolecule-BasedOrganicLight-EmittingDevices)，Science,283,第1900—1902页，(1999);Burrows,P.E.,Bulovic.，V.，Forrest,S.R.，Sapochak,LS.,McCarty，D.M.，Thompson,M.E.，"有机发光器件的可靠性和劣化"(ReliabilityandDegradationofOrganicLightEmittingDevices)，AppliedPhysicsLetters,65(23),第2922—2924页；Kolosov,D.等人，"劣化期间有机发光器件中发生的结构变化的直接观察"(Directobservationofstructuralchangesinorganiclightemittingdevicesduringdegradation)，JournalofAppliedPhysics,2001.90(7);Liew，F.Y.等人，"有机发光器件中黑斑位点的研究"(Investigationofthesitesofdarkspotsinorganiclight-emittingdevices)，AppliedPhysicsLetters,2000.77(17);Chatham,H.，"综述聚合物基底上透明氧化物的防氧扩散性"(Review:OxygenDiffusionBarrierPropertiesofTransparentOxideCoatingsonPolymericSubstrates)，78，第1—9页，(1996)。已知除非己采取了某些措施将氧和水对OLED器件的渗入减到最小，否则它们的工作寿命将受到严重限制。因此，已付出了很多努力来将氧和水向OLED器件的渗入减到最小，以使OLED器件的工作寿命能达到40000小时，这一工作寿命通常认为是必需的，这样OLED器件才能超越较老的器件技术如LCD指示器。关于这些内容，可见以下文献中的讨论-Forsythe，Erie,W.，"有机发光器件的操作"(OperationofOrganic-BasedLight-EmittingDevices)，在信息器件(SID)协会第40届年会研讨会的讲稿中，第1巻，M5研讨会，Hynes会议中心，马萨诸塞州波士顿，2002年5月20日和24日。迄今为止己釆取的较为突出的延长OLED器件的寿命的努力包括真空技术、包封以及各种密封技术。实际上，目前一种常见的密封OLED器件的方法是施用和热处理(或UV加热)不同类型的环氧树脂、无机材料和/或有机材料，以在OLED器件上形成密封。例如，维特科系统公司(VitexSystems)制造和销售商品名为Bari^的涂层，这是一种基于复合材料的方法，其中使用无机材料和有机材料的交替层来密封OLED器件。虽然这些类型的密封提供了一定程度的气密性，但是它们非常昂贵，而且仍然存在随着时间推移它们无法阻止氧和水扩散进入OLED器件的情况。为了解决这种密封问题，本发明的受让人开发了几种不同的低液相线温度无机材料，这些材料可用来气密性密封OLED器件(或其它类型的器件)。所述低液相线无机材料比例锡-氟磷酸盐材料、硫属元素化物材料、亚碲酸盐材料、硼酸盐材料和磷酸盐材料。关于这些低液相线温度无机材料以及如何将它们沉积在器件上、然后进行热处理以气密性密封该器件的方法的详细讨论可参见2005年8月18日提交的美国专利申请系列号11/207691，发明名称为"抑制氧和水分劣化器件的方法及由此获得的器件"(公开号为US2007/004050A1，本文将其全文纳入作为参考)。虽然这些低液相线温度无机材料能很好地气密性密封OLED器件(或其它类型的器件)，但仍需要开发新的和改进的可用于气密性密封OLED器件(或其它类型的器件)的密封材料和密封技术。本发明满足了这些特定的需求和其它需求。
发明内容本发明涉及一种使用含Sn2+的无机材料在0LED器件(或其它类型的器件)上形成气密性密封的方法。在一个实施方式中，将含Sn2+的无机材料沉积到0LED器件(或其它类型的器件)上，然后在相对较低的温度(如低于IO(TC)独立地烧结/热处理，从而在该OLED器件(或其它类型的器件)上形成气密性薄膜防渗透层。优选的含Sn"无机材料例如包括SnO、混合的SnO和含P205粉末、以及混合的SnO和BP04粉末(注意沉积的SnO材料并不一定需要被烧结/热处理以气密性粉末该器件)。已在85"C、85%相对湿度的环境中通过1000小时钙斑贴试验证实了含Sn2+无机材料对水汽和氧侵蚀的气密性不透过性，这表明这些防渗透层适用于使密封的器件在正常的环境条件下工作至少5年(这意味着该热处理的含S,无机材料的氧透过性远远低于0.01cc/m7atm/天，水透过率低于0.01g/m7天)。结合下文详细描述以及附图会对本发明有更完整的理解，其中，所述附图包括图1是阐述本发明使用含Sn2+无机材料在器件上形成气密性密封的方法的步骤的流程图。在图1中，各数字编号的含义如下102—一将含Sn2+无机材料沉积在位于器件载体(基底)上的内层上；104—一在不损坏位于器件载体(基底)上的内层的温度和环境下热处理该沉积的Sn2+无机材料。图2是受本发明含Sn2+无机材料保护的器件的横截面侧视图。图3是以图表形式阐述两种示例性含Sn2+无机材料(即SnO和80Sn0:20P205)(见黑点)和6种示例性低液相线温度(LLT)材料(见黑方块)的组成差别的图表。图4是85°〇/85%湿度加速老化室/烘箱的图，提供该图来帮助解释各种钙斑贴试验的设置和操作，其中实施所述试验以分析由本发明几种不同的含Sn2+无机材料制成的薄膜防渗透层的性能。图5A—5F是两种Sn0包涂的器件、Sn02包涂的器件(不认为是本发明的一部分)、两种SnO/PA包涂的器件和SnO/BP04包涂的器件的照片。制备并测试所有这些器件，以确定它们是否能在85°0/85%湿度加速老化室/烘箱中抑制氧和水分渗透。图6是以图表形式阐述钙斑贴测试和市售获得的MOCOMtm装置是如何很好地测量(或不测量)OLED器件上密封层的防水分渗透性的图表。此图的横轴是H20渗透速率(g/m7天，在25°C)，6.1是MOCON测量的极限，603是OLED的要求。具体实施方式在本文中，无机材料可以是氧化物、盐、复合材料以及它们的组合和/或混合物。例如用SnO十P205表示的无机材料可以是通式为SnOx*(P205)^的盐和/或氧化物，其中x是材料中SnO的摩尔分数。参见图l一2，它们分别表示抑制氧和水分劣化器件200的方法100的流程图和本发明被保护的器件200的横截面侧视图。方法100包括将含Sn"无机材料沉积在载体/基底206顶部上一个或多个层204上的步骤102(见图2)。可采用下述多种方法中的任一种沉积该含Sn2+无机材料202，所述方法例如包括溅射法、闪蒸法、喷射法、浇注法(pouring)、玻璃料一沉积法、汽相沉淀法、浸涂法、涂染(painting)法、辊涂法(例如，含Sn2+无机材料202的膜)、旋涂法、共蒸发方法、烟灰枪喷雾法(sootgunsprayingprocess)、反应性溅射法、激光消融法，或其任意组合。方法100还包括步骤104，其中将经沉积的含S,无机材料202包封的器件200退火、强化或热处理(如在IO(TC下低于3小时)。实施热处理步骤104是为了消除/最大程度地减少沉积步骤102过程中在含Sn2+无机材料202内可能形成的缺陷(如孔)(注意如果含Sr^无机材料202是SnO，那么溅射沉积步骤102本身可提供烧结该沉积的无机材料202所需的所有热量)。如果需要，沉积步骤102和热处理步骤104可都在惰性气氛或真空中实施，以确保在整个密封过程中维持无水和无氧的条件。这种类型的加工环境对于帮助确保器件200内有机电子元件104能可靠、长时间地操作是重要的。可由所述含Sn2+无机材料保护的不同器件200的例子包括发光器件(如0LED器件)、光电器件、薄膜传感器、攸逝波导传感器、食物容器和药品容器。如果器件200是0LED器件，那么内层204包括阴极和电致发光材料，这两种材料将位于基底206上。例如，如果将阴极和电致发光材料204加热到100—125'C以上的温度，则它们可能会被损坏。因此，如果将传统材料(如碱石灰玻璃)沉积在OLED器件200上的话，热处理步骤104在这种特定的情况下是不可能进行的，因为除去传统材料(如碱石灰玻璃)中的缺陷所需的温度(如600°C)太高，且会严重损坏OLED器件的内层204。但是，在本发明中，可在此特定应用中实施该热处理步骤104，因为除去/最大程度地减少沉积的含5:12+无机材料202中缺陷所需的温度(如IO(TC或更低)相对较低，从而不会损坏OLED器件的内层204。再次，如果该含Sn"无机材料202例如是SnO，则甚至可不需要该热处理步骤104(见图5A)。含Sn"无机材料202的使用使这成为可能，因为这种类型的材料在相对低的温度下固化时能够形成保护器件200的气密性包封涂层。含Sn2+无机材料202与氟磷酸锡材料(前述美国专利申请系列号11/207691中公开的LLT材料之一)存在几个方面的不同。首先，含Sn2+无机材料202可在比氟磷酸锡材料更低的温度下进行热处理(注意氟磷酸锡材料已在12(TC的温度下进行热处理)。其次，含Sn"无机材料202不含有氟。再次，一些含Sn"无机材料202(如SnO)的熔点超过1000。C，这大于LLT材料的最大熔点IOO(TC。第四，含Sn2+无机材料202的组成与氟磷酸锡材料的不同(例如，见图3，它以图表形式阐述两种示例性含Sn2+无机材料(基SnO和80SnO:20PA)(见黑点)和6种示例性低液相线温度(LLT)材料(见黑方块)的组成差别)(注意共同转让的美国专利申请11/207691公开和要求保护这6种氟磷酸锡材料以及图3所示的所有可能的氟磷酸锡材料)。而且，本发明的受让人已提交了另一美国专利申请系列号11/509445(发明名称为"磷酸锡防渗透膜、方法及装置")，该申请公开了如何使用电阻加热元件将低液相线温度(LLT)无机材料如含60到约85摩尔百分比的氧化锡的磷酸锡LLT蒸发沉积到器件上、然后热处理以气密性密封该器件。共同转让的美国专利申请11/509445于2006年8月24日提交，发明名称为"磷酸锡防渗透膜、方法及装置"。此文献的内容纳入本文作为参考。本文所述的含Sn2+无机材料202例如包括如下组成Sn0粉末、混合的Sn0/含P力5粉末、和混合的Sn0/BP04粉末。但是，含Sr^无机材料202还可包括已熔融形成适当的溅射耙的混合组成(如80%SnO+20%P205)。在一个实施方式中，含Sn2+的无机材料202含有〉50%的氧化亚锡(更优选〉70%的氧化亚锡，更优选>80%的氧化亚锡)。此外，含Sn2+无机材料202可在〈400。C(优选地<200°C，更优选地〈10(TC，更优选地〈5(TC)的温度进行热处理。下文参照表1和图4一6讨论了四种不同类型的含Sn2+无机材料202的测试结果以及由这些实验得到的结论。表l列出了四种用于测试低温烧结性能(该性能是本发明的一个重要方面)的代表性含Sn2+无机材料202。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table>*该SnO在可见光波长范围内是不透明的**该SnO+P205和SnO+BP04在可见光波长范围内都是透明的***压制的粉末靶被用于沉积多种膜。将压制粉末(Goldschmidt，PA，USA)拌合在一起，以获得特定的摩尔比(如100XSnO粉末、或80%SnO+20%P205),加入刚好足量的异丙醇，以促进其压实到浅的铜盘中(将其机械加工以使其适合3"磁控管溅射枪)。之后，施加压力，以压紧并紧紧地将该浆料限制在铜盘的凹口中，然后将铜盘置于干燥器中保存。****熔化的靶是指80%SnO和20^P205的拌合(batched)粉末混合物，它在600'C加热形成部分熔体，然后被注入上述浅的铜盘中，该铜盘适合于标准的3"溅射枪。候选的含Sr^无机材料202都进行"钙斑贴"测试，以确定它们能否很好地抑制氧和水分渗入器件200中。具体而言，在85。C和85%相对湿度环境中进行钙斑贴测试1000小时，以确定该含Sr^无机材料202是否适合用作用于密封器件200的气密性防渗透层(如0LED显示器200应能在正常的环境条件下工作至少5年)。关于如何设置和实施钙斑贴测试以分析不同含Sn2+无机材料202的详细讨论将在下文结合图4进行。参见图4，提供该图帮助解释几种钙斑贴试验的设置和操作，其中实施所述试验以分析由本发明几种不同的含Sn2+无机材料制成的薄膜防渗透层的性能。钙斑贴测试涉及使用烘箱402(如85匸/85%加速老化室/烘箱402)，该烘箱含有测试器件200，该器件包括沉积的含Sn"无机材料202、两层内层204(Al和Ca)以及基底206(康宁公司的1737玻璃基底)。在此实验中，把四个由不同含Sn2+无机材料202包封的器件200放置在烘箱402中，并在固定温度85"C和85%的相对湿度("85/85测试")进行环境老化。在各测试器件200中，Ca层204最初是高度反射的金属镜。如果水和氧渗入含Sn"无机材料202的顶部包封层，则金属Ca204将发生反应，并变成不透明的白色薄片外壳，这用光学测量值对其进行定量，以评估包封的器件200理论上可在环境条件下工作的时间(见图5A—5F)。如下文所述对4种包封了四种不同类型的Sn2+无机材料202的器件200进行钙斑贴测试(注意也对包涂了Sn02的器件进行钙斑贴测试，该Sn02是含Sn"的无机材料)。首先，将100nm的Ca膜204蒸发到玻璃(康宁公司的编号为1737的玻璃)基底206上。接着，将150nm的Al层204蒸发到该Ca膜204上。使用该A1层204来模拟阴极条件，该阴极通常用来产生内部(in-house)高分子发光二极管(PLED)。使用"双船"(dualboat)定制的Cressington蒸发器，在Ca和Al蒸发沉积步骤中将1737玻璃基底206维持在13(TC和大约10—6T0rr。冷却到室温后，解除真空，取出钙斑贴片，并放在真空干燥器中运输到RF溅射系统，然后过夜抽真空至lO,orr。然后在相对温和的RF粉末沉积条件下(30W正向RF功率/lW反射RF功率)和低氩气压力(19sccm)下使用ONYX-3溅射枪将测试的含Sn2+无机材料202溅射到Al和Ca层204上(见图1中的步骤102)。溅射3—6小时，获得2—3nm的膜厚度(室压力10—3Torr)。沉积速率估计为l-5A/秒。应注意的是，含Sn2+的无机材料202可根据所选的沉积条件制成所需要的厚度。沉积后，在不同温度(如90-14(TC)下热处理所产生的三个器件200，然后将其转移到固定在真空环境中的加热块上，用于固化溅射的含Sn"无机材料202(见图1的步骤104)。但是，所产生的一个器件200(其被100%SnO包封)不用加热块的电阻加热进行单独加热，但它在溅射步骤过程中确实达到了室温(注意在这种情况下不进行热处理步骤104，但在溅射步骤102过程中仍产生了少量的热)。接着，解除真空，然后将热处理器件200和未进行热处理的SnO器件200都置于烘箱402中并维持在85。C和85%相对湿度的条件下。在此期间，以固定的时间间隔拍摄图片，这些图片之后用来定量水蒸气和氧转移过测试器件200的薄膜防渗透层202(如果有的话)的相对速率(见图5A—5F)(注意关于钙斑贴测试以及如何将测量的渗透速率转换成指示器件在正常环境条件下的理论工作寿命的时间的详细描述，请参见前述美国专利申请系列号11/207691)。参见图5A—5C，它们分别阐述了未退火的Sn0包涂的器件200a、退火的Sn0包涂的器件200b和退火的Sn02包涂的器件200c(注意此器件不是本发明的一部分，因为Sn02是含Sn"的无机材料)的照片。测试的器件200a、200b和200c通过由Sn0和Sn02压制粉末靶溅射沉积的Sn0或Sn(^薄膜制得。这些照片表明，在85°〇/85%加速老化室402中，Sn0包涂的器件200a和200b具有气密性性能，而Sn02包涂的器件200c则不具有气密性性能。未退火的Sn0包涂的器件200a未被加热，但溅射沉积步骤102过程中它所粘附的基底的温度则从最初的6"C的基底温度开始浮动，到最高到15'C。因此，未退火的SnO包涂的器件200a的局部温度保守估计将不超过4(TC，它在85卩/85%加速老化室402中仍能存在1000小时以上。退火的Sn0包涂的器件200b在真空中在140'C加热2小时，它在85'C/85X加速老化室402中仍能存在1000小时以上。此外，退火的Sn02包涂的器件200c在14(TC加热2小时，但是其照片显示，尽管使用了与退火的Sn0包涂的器件200b(存在超过1000小时)相同的退火条件，但在不到50小时时间内该防渗透层就出现了损坏。这些结果表明，在含Sn无机材料202中使用二价锡(Sn2+)的重要性。此外，退火的Sn02包涂的器件200c发生了明显的分层(见到大而清晰的环)，而Sn0包涂的器件200a和200b都没有发生，这也是Sn02包涂的钙斑贴片200c缺少持久性的另一指示。参见图5D—5E，它们分别显示了第一退火的Sn0/P20s包涂的器件200d、第二退火的SnO/PA包涂的器件200e和退火的SnO/BP04包涂的器件200f的照片。第一退火的Sn0/P20s包涂的器件200d使用80XSn0+20XP205溅射沉积压制的粉末靶制备，并在14(TC烧结2小时，从图中可以看出，它在85°C/85%加速老化室402中放置1000小时后仍具有气密性性能(见表1和图5D)。第二退火的Sn0/PA包涂的器件200e用80XSn0+20XP205溅射沉积熔融靶制得，并在90。C烧结2小时，从图中可以看出，它在85°。/85%加速老化室402中放置1000小时后仍具有气密性性能(见表1和图5E)。然而，退火的SnO/BP04包涂的器件200e用90XSnO+10XBP04溅射沉积压制粉末靶制备，并在140°C烧结2小时，从图中可以看出，它在85"/85%加速老化室402中放置1000小时后仍具有气密性性能(见表1和图5F)。这些结果表明，使用本发明的含Sn"无机材料202包涂的器件200具有成功的气密性性能。l丐斑贴测试已成为业界表征水蒸气和氧转移通过器件的预期防渗透层的相对速率的标准筛选工具。需要这种类型的高敏感性检测法是因为极低量的湿气和氧会破坏0LED器件200。此外，使用钙斑贴测试来测试防渗透层对湿气和氧的不透过性的重要性在于最近授权的专利，如美国专利6720097B2，称赞了它们的防渗透涂层的优点。但是，所宣称的这些气密性性能都基于采用市售系统如MOCON设备(PE體ATRAN和OXYTRAN系统)所获得的测量值，这些系统的敏感性不足以支持他们的特定防渗透层所宣称的气密性性能，尤其是当将这些防渗透层用于OLED器件时。具体而言，周知OLED防渗透层对湿气的防渗透性能需要为〈10—6gm水/m7天，这一值远低于MOCONTM的最小检测范围5X10—3g/m2/天(在25-38°C)。这一特定事实图示在图6中，并在下述文献中讨论Crawford,G.P.编辑，柔性平板器件(尸2exiiWe尸ht尸s"e7"ew'ces^，2005，WileyPublishingLtd;Graff,G.L.等，柔性平板器件的防渗透层技术(化m'erLs/er7"ec/wciJc^jr/br尸2e;f7'/^ePeK_z'ce&_zV/^e义iZ7e尸Jat尸a"eJ"eK/cesJ，G.P.Crawford编辑，2005，JohnWiley&SonsLtd:Chichester;Burrows,P.E.等，"对聚合物基防渗透涂层的气体渗透和寿命测试"(GasPermeationandLifetimeTestsonPolymer-BasedBarrierCoatings)，在SPIE年会上，2000，SPIE。本领域技术人员从以上描述应能容易地理解，本发明使用沉积的含Sn2+无机材料202(如氧化亚锡)在器件200上形成气密性防渗透层。可使用的含Sn2+无机材料202包括但不限于(a)SnO;(b)SnO+硼酸盐材料；(c)SnO+磷酸盐材料；和/或(d)SnO+硼磷酸盐材料。如果需要，可将多层相同或不同类型的含Sn"无机材料202沉积到器件200的上面。如上所讨论的，含Sn2+的无机材料202特别适用于抑制氧和/或湿气劣化(这是各种器件200中的一个常见问题，所述器件包括电子器件、食品和药品容器)。此外，可使用该含Sn2+无机材料202来减少例如由于化学活性渗透物导致的光化学、水解和氧化损坏。使用所述含Sn"无机材料202的其它一些优点和特征如下所述A.含S,的无机材料202可用于制备满足OLED长时间工作所需的最严格的不透过性要求(〈10—6gm水/m7天)的气密性薄膜(2,)防渗透层，且可被快速溅射沉积和退火到器件上(或基底材料上)，且在一些情况下可在非常低的温度(<40°C)下进行。器件200包括但不限于a.有机电子器件有机发光二极管(OLED)有机光电器件(OPV)，含有或不含有催化剂的有机传感器用于柔性平板器件的柔软基底无线射频识别标签(RFID)b.半导体电子器件发光二极管(LED)光电器件(PV)，含有或不含有催化剂r有机传感器用于柔性平板器件的柔软基底无线射频识别标签(RFID)基底材料包括但不限于a.高分子材料用于柔性平板器件的柔软基底食物包装药品包装B.使用含Sn"无机材料202密封有机电子器件200在进行固化/热处理时不需要在装有刚沉积的涂层的室内引入氧气或空气。不需要外来氧化源来实施密封事件(尤其可在低温下实施(<40°C))的事实使得这种密封技术对于有机电子器件的制造而言非常具有吸引力。这是非常真实的，因为已知氧和湿气是与不利地影响有机电子器件(如0LED)内的沉积的有机层和/或阴极材料的氧化还原作用和光致漂白降解反应相关的主要降解反应物。C.可采用溅射沉积、蒸发、和其它薄膜沉积方法来将含Sn2+无机薄膜沉积到器件200上。例如，在含氧环境中以非常高的速度将金属锡蒸发到在滚动的基底(如塑料基底)上，可以高速沉积含Sn2+无机氧化物膜202。或者，可在含氧环境中反应性DC溅射金属锡，可以在器件200上高速沉积含Sn2+无机氧化物膜。事实上，许多不同的薄膜沉积技术可用于将含Sn2+无机氧化物膜沉积到器件200上。D.含Sn"无机材料202(例如SnO粉末)可与不同的粉末/掺杂剂拌合，产生用于在器件200上沉积防渗透层中获得特定理化性质的组合物。下文是可与含Sr^无机材料202混合以在沉积的防渗透层中获得所需的理化性质的一些示例性掺杂剂a.光学透明性SnO在可见光波长范围内是不透明的，但它可掺杂有诸如磷酸盐之类的组分，以产生透明的膜；b.折射率可使用掺杂物如PA、BP04和PbF2来改变膜的折射率，以帮助优化器件200的光透射性和/或光吸收性(lightextraction)等。例如，当用折射率匹配的氧化物材料替换气隙时，具有顶部发射的OLED器件200可被优化。c.热膨胀系数(CTE):可使用掺杂物如SnF2、P205和PbF2来改变膜的CTE，以帮助将通常与"CTE错配"问题相关的不同形式的分层减到最小。d.敏化作用可加入无机发光材料、量子点(quantumdot)、无机/有机染料和分子来产生可用于器件优化的所需电光特性。例如，可使用掺杂物如炭黑来改变薄的防渗透涂层的电光特性(费米能级/电阻率)，以改善器件效率(注意如果费米能级能发生实质性转换，则这可能允许人们以类似于典型的铟-锡-氧化物(ITO)系统的方式改变该防渗透膜的导电性)。e.改变溶解度和界面可湿性以利于更好地粘附用诸如SnF2之类的材料掺杂该含Sr^无机材料202允许人们改变具有有机添加剂的沉积的防渗透膜的可混合性。事实上，可基于粘附的目的进一步开拓这一概念，以改变沉积的氧化物表面的可湿性。f.刮擦抗性可使用掺杂物如Sn0、SnF2和PbF2来产生各种器件200所需的硬度。E.形成图案的能力溅射沉积或其它薄膜沉积方法允许将用来生产具有介电特性的微结构的各种形成图案技术如网板掩蔽等优化器件的操作(如，有机薄膜晶体管(TFT)器件200可具有形成于其上的绝缘栅，以产生良好的电压阈值)。虽然已在附图以及前述详细描述部分阐述了本发明的几个实施方式，但是应理解，本发明并不受限于所公开的这些实施方式。在不偏离本发明权利要求所限定的本发明的精神的情况下，可做出各种重新组合、修改和替换。权利要求1.一种抑制氧和湿气渗透入器件的方法，该方法包括将含Sn2+的无机材料沉积到所述器件的至少一部分上；和热处理沉积在所述器件的至少一部分上的所述含Sn2+无机材料。2.如权利要求l所述的方法，其特征在于，所述沉积步骤包括利用选自以下方法中的一种方法或其组合溅射方法；反应性溅射方法；烟灰枪喷雾法；和激光消融法。3.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述热处理步骤在〈20(TC的温度下进行。4.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述热处理步骤在〈10(TC的温度下进行。5.如权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述热处理步骤在〈4(TC的温度下进行。6.如前述任一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述含Sn2+无机材料包括氧化亚锡。7.如权利要求1一5中任一项所述的方法，其特征在于，所述含Sn2+无机材料是下述材料的一种或其任意组合SnO;SnO和硼酸盐材料；SnO和磷酸盐材料；SnO和硼磷酸盐材料。8.如前述任一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述热处理后的含5112+无机材料的氧透过性低于0.01cc/m7atm/天，水透过性低于0.01g/m7天。9.一种器件，其特征在于，该器件的至少一部分经含Sn2+无机材料密封。10.如权利要求9所述的器件，其特征在于，所述含Sn"无机材料包括氧化亚锡。11.如权利要求9或10所述的器件，其特征在于，所述含Sn2+无机材料是下述材料中的一种SnO;SnO+P205;禾口SnO+BP04。12.如权利要求9一11中任一项所述的器件，其特征在于，所述含Sn2+无机材料在〈100。C、较佳〈40。C的温度下进行热处理。13.如权利要求9一12中任一项所述的器件，其特征在于，它是包括如下部件的有机电子器件基底板；至少一个有机电子层或有机光电子层；和含Sn2+无机材料，其中所述至少一种电子层或光电子层被气密性密封在所述含Sn2+无机材料和所述基底板之间。14.如权利要求13所述的器件，其特征在于，该器件包括基底板；至少一个有机发光二极管；和溅射的和未进行热处理的Sn0膜，其中，所述至少一个有机发光二极管被气密性密封在所述溅射的、未进行热处理的SnO膜和所述基底板之间。15.如权利要求14所述的器件，其特征在于，所述溅射的、未进行热处理的SnO膜的氧透过性低于0.01cc/ra7atm/天，水透过性低于0.01g/m7天。全文摘要本文描述了一种抑制氧和湿气劣化器件(如OLED器件)的方法及由该方法制得的器件。为了抑制氧和湿气劣化器件，使用含Sn²⁺无机材料在该器件上形成防渗透层。该含Sn²⁺无机材料可以是例如SnO、混合的SnO和P₂O₅粉末，以及混合的SnO和BPO₄粉末。文档编号H01L51/05GK101256970SQ200810081549公开日2008年9月3日申请日期2008年2月28日优先权日2007年2月28日发明者B·G·艾特肯,M·A·奎萨达申请人:康宁股份有限公司