专利名称：支链型化合物、使用它的有机薄膜以及有机薄膜元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及支链型化合物、使用它的有机薄膜以及有机薄膜元件。
背景技术：
含有具有电荷(电子或空穴)传输性的有机材料的薄膜，在有机薄膜晶体管、有机 太阳电池、光传感器等有机薄膜元件中的应用令人期待，目前，有机P型半导体(显示空穴 传输性)以及有机η型半导体(显示电子传输性)的开发盛行。作为有机ρ型半导体材料，低聚噻吩、聚噻吩等具有噻吩环的化合物由于能达到 稳定的自由基阳离子状态，因而期待其显示出高的空穴传输性。特别是长链低聚噻吩，由于 共轭长度变长，预测能更有效地进行空穴传输。近年来，具有有机ρ型半导体和有机η型半导体两者的性质的双极性有机半导体 材料受到关注，进行了各种研究(非专利文献1)。非专利文献 1 =Yoshihito Kunugi et al.，J. Mat. Chem.，2004，vol. 14，p. 2840.
发明内容
但是，从采用了具有有机ρ型半导体和有机η型半导体两者的性质的双极性有机 半导体的有机薄膜元件的实用化的观点出发，要求具有高电荷传输性，但是上述公知的材 料的性能均不令人十分满意。为此，本发明的目的在于提供能用作电荷传输性优异的双极性有机半导体的支链 型化合物。本发明的目的还在于提供含有该支链型化合物的有机薄膜、以及具备该有机薄 膜的有机薄膜元件。为了实现上述目的，本发明提供一种支链型化合物，其是包含核部、与所述核部结 合的至少1个侧链部以及末端的支链型化合物，其中，上述侧链部的至少1个中，重复1个 或2个以上下述通式(1)所示的重复单元(其中，在与核部结合的上述重复单元中，T与核 部结合，在2个以上重复的上述重复单元中，L与T结合)，L由多个共轭形成单元连接构成， 作为上述共轭形成单元，含有至少1个亚噻吩基单元，存在于L的末端(不与T结合的一侧 的L的末端)的基团中，至少2个为受电子性的基团。
权利要求
一种支链型化合物，其是包含核部、与所述核部结合的至少1个侧链部以及末端的支链型化合物，所述侧链部的至少1个中，重复1个或2个以上下述通式(1)所示的重复单元，其中，在与核部结合的所述重复单元中，T与核部结合，在2个以上重复的所述重复单元中，L与T结合，L由多个共轭形成单元连接构成，作为所述共轭形成单元，含有至少1个亚噻吩基单元，存在于L的末端的基团中，至少2个为受电子性的基团，式中，L表示可以具有取代基的2价有机基团，T表示可以具有取代基的3价有机基团。FPA00001197631200011.tif
2.根据权利要求1所述的支链型化合物，其中，存在于L的末端的基团是含有富勒烯衍 生物残基的基团、含有萘酰亚胺衍生物残基的基团或含有茈酰亚胺衍生物残基的基团。
3.根据权利要求1或2所述的支链型化合物，其中，核部、T以及L整体上共轭。
4.根据权利要求1 3中任一项所述的支链型化合物，其中，通式(1)所示的重复单元 的2个以上通过T与核部结合。
5.根据权利要求1 4中任一项所述的支链型化合物，其中，L是下述通式(2)所示的 2价有机基团，
6.根据权利要求1 5中任一项所述的支链型化合物，其中，T是下述式(3) (7)所 示的3价有机基团中的任一种，妗⑶
7.根据权利要求1 6中任一项所述的支链型化合物，其中，核部是下述通式(8)所示 的2价有机基团，式中，Ar2表示可以具有取代基的2价芳烃基或可以具有取代基的2价杂环基，R6、R7、 R8和R9分别独立地表示氢原子、烷基、烷氧基、可以具有取代基的芳基或可以具有取代基的 1价杂环基，这些基团中的一部分或全部的氢原子可以被氟原子取代，予以说明，当R6、R7、R8 和R9多个存在时，它们可分别相同或不同，另外，P、q和r分别独立地表示0 10的整数， 其中，p+q+r表示2 20的整数。
8.根据权利要求1 7中任一项所述的支链型化合物，其中，通式(1)所示的重复单元 是下述通式(9)所示的重复单元，
9.一种有机薄膜，其含有权利要求1 8中任一项所述的支链型化合物。
10.一种有机薄膜元件，其具备权利要求9所述的有机薄膜。
11.一种有机薄膜晶体管，其具备权利要求9所述的有机薄膜。
12.—种有机太阳电池，其具备权利要求9所述的有机薄膜。
13.一种光传感器，其具备权利要求9所述的有机薄膜。
全文摘要
包含核部、与该核部结合的至少1个侧链部和末端的支链型化合物，其中，上述侧链部的至少1个中，重复1个或2个以上下述通式(1)所示的重复单元(其中，在与核部结合的上述重复单元中，T与核部结合，在2个以上重复的上述重复单元中，L与T结合)，L由多个共轭形成单元连接构成，作为上述共轭形成单元，含有至少1个亚噻吩基单元，存在于L的末端(不与T结合的一侧的L的末端)的基团中，至少2个为受电子性的基团(式中，L表示可以具有取代基的2价有机基团，T表示可以具有取代基的3价有机基团)。
文档编号H01L51/05GK101945860SQ20098010493
公开日2011年1月12日 申请日期2009年1月7日 优先权日2008年2月13日
发明者上田将人, 宇都俊彦, 安苏芳雄, 家裕隆 申请人:国立大学法人大阪大学;住友化学株式会社