专利名称：一种感应线圈表面绝缘处理的方法
技术领域：
本发明是关于一种感应线圈表面绝缘处理的方法，特别是一种适用于高温下使用
的感应线圈表面绝缘处理的方法，尤其是适用于在碳化硅、氮化铝晶体高温下生长使用的感应线圈表面绝缘处理的方法。
背景技术：
目前常规的感应线圈表面绝缘处理方法，一般是在感应线圈外表面涂刷绝缘漆、用绝缘带和/或玻璃丝布缠绕包扎。经过这样处理，感应线圈外表面绝缘性很好，也可以在真空状态下正常使用，解决了感应线圈"打弧"问题。但是，其中起可靠绝缘作用的绝缘漆耐温不高( 一般低于300°C )，对于更高温度的使用环境，这种绝缘处理方法就不够可靠。
发明内容
本发明针对常规感应线圈表面绝缘处理方法存在的缺陷，提出了一种适合于高温(大于300°C )下使用的中频感应线圈(频率1000-lOOOOHz)表面绝缘处理的方法。尤其是适用于在碳化硅、氮化铝晶体高温下生长使用的中频感应线圈表面绝缘处理的方法。
本发明是这样实现的将绕制成形的感应线圈外表面先进行酸洗、钝化，然后在感应线圈所有外表面均匀形成一层致密的耐高温绝缘层。该绝缘层的材质为釉质，其体电阻率大于106欧姆*厘米；绝缘层的形成方法可以用浸蘸、喷涂、涂敷和/或烧结；绝缘层的厚度为0. Olmm 2mm，优选0. 1 lmm ;利用釉层绝缘性其及耐高温性来达到本发明的目的。另外，由于感应线圈与绝缘层的材质性质相似，使绝缘层能够良好的附着在感应线圈上。
经过这样表面绝缘处理的感应线圈可以将其适用温度上限提高到70(TC，使其适用于在碳化硅、氮化铝晶体高温下生长使用。在经过该方法绝缘处理的感应线圈上通1000-10000Hz， l-100A交变电流，在10—5_106Pa氩气、氦气和/或氮气环境内，工作10000小时以上，未见绝缘层开裂及感应线圈放电、即"打弧"现象。
图1为感应线圈表面绝缘涂层截面示意图； 图中标记1.线圈表面绝缘层；2.冷却水；3.感应线圈。
具体实施方式
实施例一 将绕制成形的感应线圈外表面先进行酸洗、钝化，酸洗步骤采用稀盐酸(酸洗常用的化学用剂)，然后在感应线圈所有外表面均匀喷涂上一层0. Olmm厚的陶瓷釉，冷却之后即可在感应线圈外表面形成致密的耐高温绝缘层。经处理后得到如图l所示的结构，在感应线圈上通1000Hz， 100安培交变电流，10—5Pa氩气环境内，工作10000小时，未见绝缘层开裂及感应线圈放电现象。
实施例二 将绕制成形的感应线圈外表面先进行酸洗、钝化，然后将感应线圈浸入熔融的陶瓷釉熔体中、旋即提出，使感应线圈外表面浸蘸上一层lmm厚的陶瓷釉。冷却之后即可在感应线圈外表面形成致密的耐高温绝缘层。在感应线圈上通10000Hz， IO安培交变电流，106Pa氮气环境内，工作40000小时，未见绝缘层开裂及感应线圈放电现象。
实施例三 将绕制成形的感应线圈外表面先进行酸洗、钝化，在感应线圈所有外表面均匀涂敷一层搪瓷釉粉，然后送入高温炉内烧结成搪瓷釉。将感应线圈倒转，重复以上涂敷粉、烧结过程，2-4次之后即可在感应线圈外表面形成2mm厚的致密耐高温绝缘层。在感应线圈上通5000Hz， 20安培交变电流，103Pa氦气环境内，工作30000小时，未见绝缘层开裂及感应线圈放电现象。
实施例四 将绕制成形的感应线圈外表面先进行酸洗、钝化，然后在感应线圈所有外表面均匀喷涂上一层0. 3mm厚的陶瓷釉，冷却之后即可在感应线圈外表面形成致密的耐高温绝缘层。在感应线圈上通3000Hz， 30安培交变电流，104Pa氩气环境内，工作20000小时，未见绝缘层开裂及感应线圈放电现象。 应该指出，上述的具体实施方式
只是对本发明进行详细说明，它不应是对本发明的限制。对于熟悉本领域技术的人员而言，在不偏离权利要求的宗旨和范围时，可以有多种形式和细节的变化。
权利要求
一种感应线圈表面绝缘处理的方法，具体步骤为将绕制成形的感应线圈外表面先进行酸洗、钝化，然后在感应线圈外表面设置绝缘层，绝缘层材质为釉质。
2. 根据权利要求1所述感应线圈表面绝缘处理的方法，其特征在于所述釉质体电阻率大于io6欧姆*厘米。
3. 根据权利要求1所述感应线圈表面绝缘处理的方法，其特征在于所述绝缘层的设置方法为浸蘸、喷涂、涂敷和/或烧结。
4. 根据权利要求1所述感应线圈表面绝缘处理的方法，其特征在于所述绝缘层的厚度为0. Olmm 2mm。
5. 根据权利要求1所述感应线圈表面绝缘处理的方法，其特征在于所述绝缘层的厚度为0. lmm lmm。
6. 根据权利要求1所述感应线圈表面绝缘处理的方法，其特征在于所述感应线圈的材质为铜。
全文摘要
本发明公开了一种感应线圈表面绝缘处理的方法，具体步骤为将绕制成形的感应线圈外表面先进行酸洗、钝化，然后在感应线圈外表面设置绝缘层。通过在感应线圈所有外表面均匀形成一层致密的釉，利用釉层的绝缘性、耐高温性及其与感应线圈外表面的良好附着性来达到本发明的目的。
文档编号H01F41/12GK101752079SQ201010034508
公开日2010年6月23日 申请日期2010年1月20日 优先权日2010年1月20日
发明者倪代秦, 吴星, 崔建利, 彭同华, 李河清, 李龙远, 陈小龙 申请人:中国科学院物理研究所;北京天科合达蓝光半导体有限公司