专利名称：电介质陶瓷及电介质谐振器的制作方法
技术领域：
本发明涉及电介质陶瓷及使用了该电介质陶瓷的电介质谐振器。
背景技术：
电介质陶瓷在微波、毫米波等高频区域中，广泛用于电介质谐振器、MIC用电介质 基板、波导等。另外，在使用了电介质陶瓷的电介质谐振器中，要求在高频区域的介质损耗 小，即为高Q值。电介质谐振器例如作为移动通信用的基站的部件使用，要求Q值在长时间 内(谐振的尖锐度)不降低(例如参照下述专利文献1)。专利文献1 日本特开2003-95736号公报；然而，以往的电介质陶瓷，在反复施加机械应力及基于热循环的热应力等应力后， 有时会在电介质陶瓷上发生微小的微裂纹。因此，在将这样的电介质陶瓷用于电介质谐振 器的情况下，介质损耗变大且Q值降低。尤其是在移动通信的基站搭载的电介质谐振器，由 于长时间施加热循环，有随时间经过而Q值降低之虞。
发明内容
在此，本发明针对这样的问题，其目的在于提供一种即使应力反复施加而Q值也 不容易降低的电介质陶瓷及电介质谐振器。本发明的一实施方式涉及的电介质陶瓷，具有至少含有RE(RE为La及Nd的一种 以上)、Al、Ca及Ti作为金属元素而成的钙钛矿型结构的第一氧化物，和含有Ca及Si而成
的第二氧化物。另外，本发明的一实施方式涉及的电介质谐振器，其特征在于，将上述电介质陶瓷 作为电介质材料使用。另外，本发明的一实施方式涉及的电介质谐振器，其特征在于，具有输入端子、输 出端子、和使用了上述电介质陶瓷的介质特性构件。根据本发明的一实施方式涉及的电介质陶瓷及电介质谐振器，即使反复施加应 力，Q值也不容易降低。
图1是示意性地表示本发明的一实施方式涉及的电介质陶瓷的放大截面的剖视 图。图2是示意性地表示使用了本发明的一实施方式涉及的电介质陶瓷的电介质谐 振器的剖视图。图中2…第一氧化物，4a、4b…第二氧化物，6…电介质瓷器，8…支撑体，10…筐 体，12…输入端子，14…输出端子，20…电介质谐振器。
具体实施例方式以下，对本发明的一实施方式涉及的电介质陶瓷进行说明。〈实施方式1>本发明的一实施方式的电介质陶瓷，具有至少含有RE(RE为La及Nd的一种以 上)、Al、Ca及Ti作为金属元素而成的钙钛矿型结构的第一氧化物，和含有Ca及Si而成的 第二氧化物。即使反复施加应力，该电介质陶瓷的Q值也不容易降低。RE包括La及Nd的一种以上，这是因为，和选择其他稀土元素的情况相比，能够提 供具有更高Q值的电介质陶瓷。钙钛矿型结构的第一氧化物含有REA103和CaTi03的固溶体。本发明的一实施方 式涉及的电介质陶瓷，以由钙钛矿型结构的第一氧化物形成的结晶为主晶，该钙钛矿型结 构的第一氧化物含有所述固溶体。由于该固溶体的介质损耗低，所以得到的电介质陶瓷具 有较高的Q值。认为含有Ca及Si而成的第二氧化物的技术上的意义如下。在应力反复施加于电 介质陶瓷的情况下，推定与第一氧化物邻接的第二氧化物抑制由第一氧化物形成的结晶的 微裂纹的发生、进展。其结果，能够提供即使在许多热循环反复施加后Q值也不容易降低、 具有较高的Q值的电介质陶瓷。另外，将Si以外的成分的组成式表示为aRE203 bAl203 cCaO dTi02时，优 选以 a、b、c、d 成为 0. 056 彡 a 彡 0. 214,0. 056 彡 b 彡 0. 214,0. 286 彡 c 彡 0. 500、 0. 230彡d彡0. 470、a+b+c+d = 1的方式设定组成。由此，能够提供在这些组成范围具有 较高的Q值的电介质陶瓷。<实施方式2>优选第二氧化物为从CaSi03、Ca2Si04、Ca3Si05、Ca3Si207、CaAl2Si06、CaAl2Si208、 Ca2Al2Si07选择的至少一种。即使在反复施加应力的情况下，该实施方式的电介质陶瓷的Q 值也不容易降低。认为其理由如下。在这些第二氧化物和第一氧化物邻接的情况下，在两 者的结晶界面，第二氧化物中含有的Ca、Si各金属元素容易和第一氧化物共有晶格。因此， 认为这是由于格子缺陷的生成被抑制。<实施方式3>在本发明的一实施方式涉及的电介质陶瓷中，尤其优选第二氧化物为Ca2Al2Si07。 即使在反复施加应力的情况下，第二氧化物为Ca2Al2Si07的电介质陶瓷的Q值尤其不容易 降低。认为其理由如下。在第二氧化物为Ca2Al2Si07，且Ca2Al2Si07与第一氧化物邻接的 情况下，在两者的结晶界面，第二氧化物中含有的Ca、A1及Si各金属元素容易和第一氧化 物共有晶格。因此，格子缺陷的生成被抑制。作为Ca2Al2Si07的晶体结构，有JCPDS(Joint Committee on Powder Diffraction Standards)No. 35_0755Gehleniteo<实施方式4>本发明的一实施方式涉及的电介质陶瓷，如示意性地示出在用显微镜将截面放大 视时的情况的图1所示，第二氧化物4a至少介于第一氧化物2的晶界之间。另外，优选第 二氧化物4b介于相互邻接的3个以上的结晶之间。在该情况下，如果用显微镜观察电介质 陶瓷的截面，则第二氧化物介于3个以上的第一氧化物2的晶粒所接近的部位。根据该电 介质陶瓷，认为格子缺陷的生成被进一步抑制。因此，即使反复施加应力，Q值也尤其不容
4易降低。需要说明的是，以下如图1所示，在将截面放大视时，将相互邻接的三个结晶之间 (三个晶界重合的部位)称为“三重点”。<实施方式5>本发明的一实施方式涉及的电介质陶瓷，优选以Si02换算计含有0. 001质量％以 上且0.3质量％以下的Si。如果设为该范围，由于电介质陶瓷含有的第二氧化物中的Si元 素的大部分存在于晶界，所以如果将Si的含量设为该范围，则晶界的强度提高。其结果，即 使向电介质陶瓷反复施加较大的应力，Q值不容易降低。<实施方式6>特别优选本发明的一实施方式涉及的电介质陶瓷含有0. 006质量％以上且0. 4质 量％以下的第二氧化物。如果将第二氧化物的含量设为该范围，即使在反复施加较大应力 的情况下，Q值也尤其不容易降低。<实施方式7>本发明的一实施方式涉及的电介质陶瓷，优选以氧化物Mn02、W03及Mo03换算计含 有总计0.01质量％以上且1质量％以下的作为金属元素的Mn、W及Mo的一种以上。根据 这样的电介质陶瓷，在反复施加应力的前后，都能够保持较高的Q值。<实施方式8>进而，本发明的一实施方式涉及的电介质陶瓷，也可以将Zn、Ni、Sn、C0、Li、Rb、SC、 V、Cu、Mg、Cr、B、Ge、Sb、Ga、Fe及Na的各自的化合物至少添加一种而制作。它们根据其添 加成分而不同，但能够分别以 ZnO、NiO、Sn02、Co304、Li2C03、Rb2C03、Sc203、V205、CuO、MgC03、 Cr203、B203、Ge02、Sb205、Ga203、Fe203、Na20 换算计，在电介质陶瓷中以总计 0. 001 0. 5 质 量％的比例含有。由此，能够实现使￡1 及谐振频率的温度系数if的值合理化等。<测定方法>对上述本发明的一实施方式涉及的电介质陶瓷的各种测定方法进行说明。(l)RE、Al、Ca、Ti 的含量通过ICP发光分光分析法，测定电介质陶瓷中含有的La、Nd、Al、Ca、Ti的各元素 的含量(质量％ )，换算成La203、Nd203、Al203、Ca0、Ti02各自的含量(质量％)。进而，将测 定的La、Nd、Al、Ca、Ti的各元素的含量(质量％)换算成La203、Nd203、A1203、CaO、Ti02各 自的摩尔比。(2)第一氧化物、第二氧化物的晶体结构、第二氧化物的存在位置使用X射线衍射装置对电介质陶瓷进行X射线衍射，鉴定主晶的晶体结构。由此， 能够大致确认第一氧化物的晶体结构。进而，使用透射型电子显微镜(TEM)观察如图1示意性示出的电介质陶瓷的截面。 边观察，边通过各结晶的电子射线衍射观察晶格像，判断和明确第一氧化物(钙钛矿型结 构)、第二氧化物各自的晶体结构。在此，能够确认第二氧化物存在于第一氧化物的晶界。(3) Si 的含量通过ICP发光分光分析法，测定电介质陶瓷中含有的Si元素的含量(质量％ )，换 算成Si02的含量(质量％)。(4)第二氧化物的含量通过TEM，以倍率大致为4000 20000倍进行观察，判断和明确10个以上的结晶的晶体结构。在判断和明确了晶体结构的结晶中，将俯视下的视野的面积中所含有的第二 氧化物的面积比例(％)看作体积％，测定第二氧化物的含量。因为在第一氧化物的结晶的 晶界中，大多数情况下第二氧化物存在于三重点，所以优选选择包含三重点的视野来测定 第二氧化物的含量。(5)Mn、W 及 Mo 的含量通过ICP发光分光分析法，测定Mn、W及Mo的各元素的含量(质量％ )，换算成 Mn02、W03及Mo03各自的含量(质量％ )。(6) e r>Qf通过圆柱谐振器法测定相对介电常数、Q值。平面研磨电介质陶瓷，进行水洗后， 进一步在丙酮中进行超声波清洗。清洗后，在120°C干燥1小时。之后，通过圆柱谐振器法 测定相对介电常数er、Q值㈠。进而求出Q值和测定频率f (GHz)的积Qf(GHz)。<电介质陶瓷的制造方法>对电介质陶瓷的制造方法进行说明。本发明的一实施方式涉及的电介质陶瓷的制造方法，例如具有以下的工序 (la) (8a)。工序(la)作为起始原料，使氧化镧(La203)粉末及氧化钕(Nd203)粉末的一种以上和氧化铝 (A1203)粉末成为期望的比例的方式进行称量后，加入纯水，进行湿式混合、湿式粉碎。工序(2a)将在工序(la)得到的混合物干燥后，在1000 1300°C预烧1 10小时得到预烧 物A。工序(3a)同样，使用碳酸钙(CaC03)及二氧化钛(Ti02)各粉末，以成为期望的比例的方式进 行称量后，加入纯水，进行湿式混合、湿式粉碎。工序(4a)将在工序(3a)得到的混合物干燥后，在1000 1300°C预烧1 10小时得到预烧 物B。工序(5a)将得到的预烧物A、预烧物B与任意的胶体二氧化硅、硅酸钙(例CaSi03、Ca2Si04、 Ca3Si207)、及硅酸钙铝(例CaAl2Si06、CaAl2Si208、Ca2Al2Si07)以规定的比例混合。使用水 且利用使用了氧化锆球的球磨机等进行湿式混合及粉碎，直至该混合原料的平均粒径成为 2um以下。在此，工序(5a)的硅化合物(硅化合物是指胶体二氧化硅、硅酸钙、硅酸钙铝)的 总量优选以Si02换算含有0. 001质量％以上且0. 3质量％以下的Si。然而，在从作为起始 原料的氧化镧(La203)粉末、氧化钕(Nd203)粉末、氧化铝(A1203)粉末、碳酸钙(CaC03)、二 氧化钛(Ti02)混入硅的情况下、及在制造中混入硅的情况下，预先预测、计算它们的硅混入 量，决定应该添加的硅化合物的量。例如，作为在电介质陶瓷制造中混入硅的原因，例如有 在后述的水、有机粘合剂含有硅且该硅混入到电介质陶瓷的情况。另外，例如，在预烧时烧 箱含有硅的情况下，有从烧箱向预烧粉混入硅的可能性。为了抑制烧箱含有的硅向预烧粉混入，优选使用固着了含有Al、Ca、Ti的氧化物的烧箱进行预烧。工序(6a)进而，加入3 10质量％的有机粘合剂，使用公知的方法、例如喷雾干燥法等进行 造粒，得到造粒粉。工序(7a)将在工序(6a)得到的造粒粉通过公知的例如模压法、冷静液压、或挤压成形法等 形成任意的形状。工序(8a)将在工序(7a)得到的成形体在空气中，在1500 1650°C的温度烧成1 10小 时，能够得到电介质陶瓷。得到的电介质陶瓷具有含有RE、Al、Ca及Ti而成的钙钛矿型结构的第一氧化物和 含有Ca及Si而成的第二氧化物。对电介质陶瓷的制造方法进行补充。为了使第二氧化物存在于第一氧化物的晶界的三重点，例如，将在工序(5a)中添 加的硅化合物的平均粒径设定为0. 2 y m以下。另外，为了使电介质陶瓷中含有0. 006 0. 4质量％的Ca2Al2Si07，例如，以 Ca2Al2Si07换算计将工序(5a)中硅化合物的添加量设为0. 006 0. 4质量％。但是，在从 制造工序混入硅的情况下，或在作为杂质混入硅的情况下，预测、计算该硅的量，调整硅化 合物的添加量。另外，优选在工序(5a)中，与预烧物A、预烧物B的粉碎一同，在同一磨机内添加 Mn化合物、W化合物、Mo化合物的至少一种进行粉碎。优选以使Mn化合物、W化合物、Mo 化合物中的至少一种以Mn02、W03及Mo03换算计成为总计0. 01质量％以上且1质量％以下 的方式相对于预烧物A和预烧物B进行添加。由此，使在工序(8a)中得到的电介质陶瓷以 Mn02、W03及Mo03换算计总计含有0. 01质量％以上且1质量％以下的Mn、W及Mo的一种以上。对电介质陶瓷的制造方法的其他实施方式进行说明。上述工序(la) 工序(4a) 之后，不使用硅化合物而实行工序(5a)。之后，通过上述工序(6a)、(7a)制作成形体。进 而，在工序(8a)中，如下进行烧成。以将多个由Si02粉末构成的较小的压粉体配置在从工序(7a)得到的成形体的周 围的状态进行烧成。如此，能够使得到的电介质陶瓷中含有第二氧化物。通过改变在成形 体的周围配置的压粉体的体积，能够使电介质陶瓷中的第二氧化物的含量变化。压粉体的 体积越大，越能够增多电介质陶瓷中的第二氧化物的含量。需要说明的是，本发明的一实施方式涉及的电介质陶瓷的制造方法，不限于上述 的实施方式。<电介质谐振器的实施方式>对本发明的一实施方式涉及的电介质谐振器进行说明。电介质谐振器是在输入端 子和输出端子之间配置由上述电介质陶瓷形成的介质特性构件而成，通过电磁场耦合使该 介质特性构件工作的部件。将如此的电介质谐振器的一例(TE模式类型的电介质谐振器) 示于图2中。由本发明的一实施方式涉及的电介质陶瓷形成的介质特性构件6，与由氧化铝烧
7结体等形成的支撑体8接合。在内侧镀Ag的金属制的筐体10内收容支撑体8及介质特性 构件6。支撑体8固定于筐体10的内面。与介质特性构件6离开的输入端子12及输出端 子14插入筐体10内。如果高频从输入端子12输入，则介质特性构件6谐振，基于该谐振 的波经由输出端子14，向筐体10的外部传导。就电介质谐振器20而言，在金属制的筐体10内壁的相对置的两侧设置输入端子 12及输出端子14，在这些输入输出端子12、14之间配置由上述电介质陶瓷形成的介质特性 构件6而构成。在如此的TE模式类型的电介质谐振器20中，微波从输入端子输入，通过介 质特性构件6和自由空间之间的边界的反射，微波被封于介质特性构件6内，以特定的频率 引起谐振。该信号与输出端子14进行电磁场耦合并输出。虽没有图示，但当然可以将本发明的电介质陶瓷用于使用了 TEM模式的同轴型谐 振器或带状线路谐振器、TM模式的电介质谐振器、其他谐振器的电介质瓷器。进而，即使将输入端子12及输出端子14直接设置于介质特性构件6上，也能够构 成电介质谐振器。介质特性构件6是由本发明的一实施方式涉及的电介质陶瓷形成的规定形状的 谐振媒体，其形状为长方体、正方体、板状体、圆板、圆柱、多边柱、其他可以谐振的立体形状 即可。另外，输入的高频信号的频率为800MHz 500GHz左右，作为谐振频率，实用上优选 2GHz 80GHz 左右。本发明的实施方式1 8的电介质陶瓷，在微波及毫米波等高频区域中具有较 高的相对介电常数￡1~及0值。因此，能够用于在高频区域所使用的各种谐振器用材料、 MIC(Monolithic IC)用电介质基板材料、电介质波导用材料、层叠型陶瓷电容器等。需要说明的是，实施方式1 8涉及的电介质陶瓷可以使用的高频区域，是指 500MHz以上且30GHz以下的范围，优选800MHz以上且15GHz以下的范围。在这些范围中， 实施方式1 8涉及的电介质陶瓷具有较高的相对介电常数￡ r及Q值。实施例<实施例1>通过以下的工序制作由电介质陶瓷形成的试料。工序(lb)作为起始原料，称量氧化镧(La203)粉末及氧化钕(Nd203)粉末的一种以上、和氧化 铝(AI203)粉末且使得成为期望的比例，然后加入纯水，使用球磨机进行湿式混合、湿式粉碎。工序(2b)将在工序(lb)中得到的混合物干燥后，在1200°C预烧3小时得到预烧物A1。工序(3b)使用碳酸钙(CaC03)及二氧化钛(Ti02)各粉末，以成为期望的比例的方式称量后， 加入纯水，进行湿式混合、湿式粉碎。工序(4b)将在工序(3b)中得到的混合物干燥后，在1100°C预烧3小时得到预烧物B1。工序(5b)在试料No. 2 5、8 10,13 17、19、21、22、24 29中，将得到的预烧物A1、预烧物B1与任意硅化合物以规定的比例进行了混合。使用水并通过使用了氧化锆球的球磨 机等进行了湿式混合及粉碎，直至该混合原料的平均粒径为2 ym以下。在此，关于工序(2b)、(4b)、(5b)中的硅化合物的总量，按照以5102换算计使Si在 电介质陶瓷中的含量为表1所示的量的方式进行调整。硅化合物的平均粒径示于表1中。另外，工序(lb)、(3b)中，在预烧时使用烧箱的情况下，使用固着了含有Al、Ca、Ti 的氧化物的烧箱进行了预烧。工序(6b)进而，加入4质量％的有机粘合剂，使用喷雾干燥器进行造粒，得到了造粒粉。工序(7b)将在工序(6b)得到的造粒粉通过模压法成形为直径20mm、厚度11mm的形状。工序(8b)将在工序(7b)得到的成形体在空气中，在1600°C的温度烧成5小时，得到电介质 陶瓷。各试料分别准备了多个，为了抑制在烧成中硅向成形体C的混入，将烧成炉内配置的 绝热材料的硅含量实质上设为0质量％。另一方面，对于试料No. 37 41，如下制作试料。在工序(5b)中不使用硅化合物 (不添加)，并且将由工序(lb) (7b)得到的成形体C的硅含量实质上设为零。之后，以在 成形体C的周围配置多个由Si02粉末构成的较小的压粉体D的状态，在1600°C烧成成形体 5小时。如此，使得到的试料含有第二氧化物。通过改变配置在成形体C的周围的压粉体的 体积，使试料中的第二氧化物的含量变化。即，压粉体D的体积越大，越能够增多试料中的 第二氧化物的含量。将以压粉体D的体积除以成形体C的体积得到的值大致设为0. 005 0. 1的范围内。工序(9b)将烧成后的电介质陶瓷的两主面研磨成平行，制作了多个试料。接着，使用在工序(9b)中得到的试料，通过前述的方法进行各种测定。主晶由 REA103和CaTi03的固溶体形成，为钙钛矿型结构。将试料加工成薄片，以倍率1万倍进行 TEM观察。已判断和明确了晶体结构的结晶的数目为每个试料设为12个。为了对在工序(9b)中得到的电介质陶瓷反复施加热应力，进行将从20°C空气中 放置状态至向200°C的油中投下设为1循环的热循环反复100次的加速试验。分别测定 了该试验前和试验后的￡r、Qf。另外，计算了试验前的Qf(Qf\)和试验后的Qf(Qf2)的差 QfrQf2的值。将这些结果示于表1中。需要说明的是，对于附*标记的试料No. 1、6、7、11、12、18、20、23、30，工序(5b)的 硅化合物的添加、及工序(8b)的压粉体D的配置都未实施。除此之外，与其他试料相同 地制作，与其他试料相同地进行各种测定。另外，表1的第二氧化物的组成使用简称表示， 但简称 CS03、C2S04、C3S05、C3S207、CA2S06、CA2S208、C2A2S07 分别表示 CaSi03、Ca2Si04、 Ca3Si05、Ca3Si207、CaAl2Si06、CaAl2Si208、Ca2Al2Si07。另外，关于在表 1 的第二氧化物的存 在位置，G表示晶界，Tb表示晶界的三重点。表1
在试料No.2～5、8～10、13～17、19、21、22、24～29、31～41中，Qf1-Qf2的值为1100GHz以下，试验后Qf大体上没有降低。在这些试料中，在作为第二氧化物含有CaSiO3、Ca2Si04、Ca3Si207、CaAl2Si06、CaAl2Si208、及 Ca2Al2Si07 的任一个的试料No. 2 5、8、10、13 17、19、21、22、24 29、31、32、34 41 中，Qf\-Qf2 的值为 800GHz 以下，进一步抑制了 Qf 的 降低。另外，在含有Ca2Al2Si07、并且以Si02换算计含有0. 001 0. 3质量％的Si的试料 No. 3 5、14 17、19、21、22、24 29,36 40 中，QfrQf2 的值为 500GHz 以下。另一方面，在试料No. 1、6、7、11、12、18、20、23、30 中，QfrQf2 的值较大为 6100 7800，即，这些试料与试料No. 2 5、8 10、13 17、19、21、22、24 29、31 41相比，基 于热循环的Qf的降低较大。〈实施例2>在实施例1的试料No. 16的制作条件中，在工序(5b)中除了预烧物A1、预烧物B1 以外，还将MnC03、W03&Mo03的一种以上投入球磨机，其他条件与实施例1相同，制作了多 个试料。之后，进行将实施例1的热循环反复300次的热循环试验。试料中的Mn、W、Mo的 含量分别换算成Mn02、W03及Mo03。其结果，在各试料中，作为第二氧化物，Ca2AL2Si07#在于三重点。La、Al、Ca、Ti的 含量、以及Ca2AL2Si07的含量与试料No. 16相同。试验前的各试料的￡ r均为43. 8。试验 前的各试料的Qf均为53800。将这些结果示于表2中。表2
在以胞02、103及临03换算计含有总计0. 01质量％以上且1质量％以下的Mn、W及 Mo的一种以上的试料No. 44 64中，QfrQf2的值为200GHz以下。在以Mn02、W03及Mo03 换算计含有总计小于0. 01质量％或大于1质量％的试料No. 42、43、65 68中，Qf\-Qf2的 值为500 600GHz。从该结果得知，在以Mn02、W03及Mo03换算计含有总计0. 01质量％以 上且1质量％以下的Mn、W及Mo的一种以上的情况下，即使施加热循环，Qf也尤其不容易 降低。
权利要求
一种电介质陶瓷，其特征在于，具有至少含有RE、Al、Ca及Ti作为金属元素而成的钙钛矿型结构的第一氧化物和含有Ca及Si而成的第二氧化物，其中，RE为La及Nd的一种以上的金属元素。
2.根据权利要求1所述的电介质陶瓷，其特征在于，将Si以外的成分的组成式表示为BRE2O3 · bAl203 · cCaO · dTi02时，a、b、c、d满足下述 式子0. 056 ^ a ^ 0. 214、 0. 056 彡 b 彡 0. 214、 0. 286 ^ c ^ 0. 500、 0. 230 彡 d 彡 0. 460、 a+b+c+d = 1 ο
3.根据权利要求1所述的电介质陶瓷，其特征在于，所述第 二氧化物为从 CaSiO3> Ca2SiO4, Ca3SiO5, Ca3Si2O7, CaAl2SiO6, CaAl2Si2O8, Ca2Al2SiO7选择的至少一种。
4.根据权利要求1所述的电介质陶瓷，其特征在于， 所述第二氧化物为Ca2Al2SiO715
5.根据权利要求1所述的电介质陶瓷，其特征在于， 所述第二氧化物介于所述第一氧化物的晶界之间。
6.根据权利要求1所述的电介质陶瓷，其特征在于， 所述第二氧化物的结晶介于所述第一氧化物的多个结晶之间。
7.根据权利要求1所述的电介质陶瓷，其特征在于，以SiO2换算计含有0. 001质量％以上且0. 3质量％以下的Si。
8.根据权利要求1所述的电介质陶瓷，其特征在于，以Mn02、W03及MoO3换算计含有总计0. 01质量％以上且1质量％以下的MruW及Mo的 一种以上。
9.一种电介质谐振器，其特征在于，使用权利要求1所述的电介质陶瓷作为电介质材料。
10.一种电介质谐振器，其特征在于，具有 输入端子；输出端子；和使用了权利要求1所述的电介质陶瓷的介质特性构件。
全文摘要
本发明提供一种即使反复施加应力其Q值也不容易降低的电介质陶瓷及电介质谐振器。其中，所述电介质陶瓷具有至少含有RE(RE为La及Nd的一种以上)、Al、Ca及Ti作为金属元素而成的钙钛矿型结构的第一氧化物和含有Ca及Si而成的第二氧化物。
文档编号H01B3/12GK101851088SQ20101015641
公开日2010年10月6日 申请日期2010年3月30日 优先权日2009年3月30日
发明者大川善裕 申请人:京瓷株式会社