专利名称：Bipv太阳电池组件及其制作方法
技术领域：
本发明属于光电和建材领域，尤其涉及一种BIPV太阳电池组件及其制作方法。
背景技术：
随着社会和经济的飞速发展，能源的需要日益增加。化石能源的日趋枯竭和给生 态环境造成的污染，严重威胁着社会和经济的可持续发展。因此，迫切需要采用可再生能源 进行替代。太阳能作为一种取之不尽、用之不竭的绿色可再生能源，已经在世界范围内得到 了广泛的关注。光伏建筑一体化(BuildingIntegrated Photovoltaic，BIPV)，就是将光伏模块 作为建筑物的组成部分，同时发挥其发电功能。由于光伏发电模块与建筑结合不占用额外 的地面和建筑空间，是光伏发电系统在城市中广泛应用的最佳安装方式。而BIPV太阳电池 组件就是作为一种建筑材料，可集成应用在幕墙、采光屋顶、车棚顶、道路隔音护栏等建筑 结构中，具有发电、隔音、抗风压、耐高温及美观等特性。中国专利公开说明书CN101478010A公开了一种双面光伏电池幕墙组件及其制作 方法，该光伏组件包含以下结构上层玻璃、底层玻璃以及太阳能电池片，上层玻璃、底层玻 璃以及双面太阳能电池片之间采用EVA密封粘结，采用双玻璃结构，抗冲击强度高，但EVA 夹层与玻璃的吸附强度较低，达不到建筑安全玻璃规范要求，且容易老化、黄变影响建筑外 观。普通PVB (聚乙烯醇缩丁醛)胶膜常用作建筑夹膜玻璃的复合层封装材料，抗老 化性能和层压粘结性能强，但透过率较EVA胶膜低，且通常采用高压釜层压法对玻璃和PVB 进行加压加热从而制成夹膜玻璃。目前光伏组件厂层压设备均采用常规的一步法真空层压 机，普通层压工艺容易产生气泡、移位等不良现象。而BIPV光伏组件大部分采用单面晶体 硅太阳电池，不能很好的匹配适用于幕墙、道路护栏等垂直型建筑结构。目前国内未见光伏 组件厂家利用PVB胶膜在普通层压机上封装双面晶体硅太阳电池制作BIPV太阳电池组件 的报道。
发明内容
针对现有技术和工艺的不足，本发明提供了一种BIPV太阳电池组件及其制作方 法，其双面均能接受太阳光，间接增大了系统发电功率，同时其工艺简单，改进成本低，能有 效解决气泡、移位、碎裂、雾化等不良现象。为实现上述目的，本发明所采用的技术方案为一种BIPV太阳电池组件，包括由上而下依次安装的光面超白钢化玻璃、数个平铺 排列连接的双面晶体硅太阳电池片、普通光面钢化玻璃，且双面晶体硅太阳电池片采用PVB 胶膜封装在光面超白钢化玻璃与普通光面钢化玻璃之间，每组双面晶体硅太阳电池片之间 通过太阳能幕墙接线盒串相连接。详细来说，每个双面晶体硅太阳电池片之间用互连条连 接，每组双面晶体硅太阳电池片串之间用汇流条连接到太阳能幕墙接线盒。其中，光面超白钢化玻璃机械结构强，透过率高，能有效地减少紫外线辐射；普通光面钢化玻璃，结构安全 且能节约成本；PVB胶膜，其具有可见光透过率高、玻璃粘合力强、机械强度高、抗紫外线、 耐热、耐寒、耐湿等优良特性，比EVA具有更优良的耐老化性能和更长的使用寿命；双面晶 体硅太阳电池片，其正反两面都可以接受辐射，当太阳光直射一面时，另外一面吸收漫反射 光；太阳能幕墙接线盒，其结构小巧，能完美粘合在组件上侧端，可通过隐藏在铝边框或建 筑龙骨结构中达到美观和保护作用。所述PVB胶膜的可见光透过率彡89%。该PVB胶膜为可乐丽欧洲特殊化学品公司 旗下的佳氏福(TR0SIF0L)品牌产品。本PVB胶膜具有比常规建筑用PVB胶膜更优良的可 见光透过性能，可以有效地减少太阳光穿过该膜层时的能量损耗，提高太阳电池组件发电功率。一种BIPV太阳电池组件的制作方法，包括如下步骤单片双面晶体硅太阳电池片 检测、双面晶体硅太阳电池片单焊和串焊、组件叠层排版、排版检验、层压、割边、半成品检 测、安装接线盒、清洁、绝缘耐压测试、电性能测试、外观检验、包装入库。其中，所述单片双面晶体硅太阳电池片检测的工序中，对单片双面晶体硅太阳电 池片的正面和背面均进行恒温电性能测试，其测试仪器温度控制在25 士 1°C。这样可以对双 面晶体硅太阳电池片进行精确分档，以保证组串成的组件能得到最大发电功率，避免串联 功率损失。所述双面晶体硅太阳电池片单焊和串焊的工序中，各双面晶体硅太阳电池片串焊 间距控制在10 15mm。这样既可以拥有足够的采光空间，也可以防止因间距过大而造成互 连条收缩移位。所述组件叠层排版工序在层压机的工作台面上进行，其排版顺序是在一光面超白 钢化玻璃上铺一层PVB胶膜，然后放置串焊排版完成的双面晶体硅太阳电池片，接着再铺 上一层PVB胶膜，再在组件四周边角位置各垫贴一块尺寸为0. 5 1mm厚的PVB胶膜余料， 最后盖上一片普通光面钢化玻璃。其中在层压组件四周边角夹层中垫贴PVB胶膜余料(详 细的说，是在光面超白钢化玻璃与普通光面钢化玻璃之间的四周边角夹层中垫贴已固化的 PVB胶膜)，既有利于层压抽真空，防止组件出现气泡现象，同时也可以防止因底面的普通 光面钢化玻璃重压过大导致电池片碎裂。所述层压工序中，设定的层压温度为140°C，抽真空时间为780 800秒，层压时间 为600 650秒，层压真空压强为-24 -26Kpa。所述层压工序完成后，快速将组件放置在支架上，再利用风速大于5m/s的电风扇 急速降至室温。这样可以有效地解决常规PVB胶膜封装组件中出现的雾化现象，使得组件 透明性和美观性良好。所述电性能测试工序，要在大气质量AMI. 5、环境温度25°C、光强1000W/m2的测试 条件下，利用太阳能电池组件测试仪分别对组件的正面和背面进行电性能测量，分别记录 标识并进行数据存档。这样可以对新型BIPV太阳电池组件进行有效地性能检测和功率分 档。为提高本BIPV太阳电池组件的成品率，本发明所述BIPV太阳电池组件的制作方 法，其进一步限定特征包括如下内容所述双面晶体硅太阳电池片单焊和串焊的工序中，各双面晶体硅太阳电池片串焊
5间距控制在11 14mm ；所述组件叠层排版工序在层压机的工作台面上进行，其排版顺序是在一光面超白 钢化玻璃上铺一层PVB胶膜，然后放置串焊排版完成的双面晶体硅太阳电池片，接着再铺 上一层PVB胶膜，再在组件四周边角位置各垫贴一块尺寸为0. 51 0. 76mm厚的PVB胶膜 余料，最后盖上一片普通光面钢化玻璃；所述层压工序中，设定的层压温度为140°C，抽真空时间为780 790秒，层压时间 为620 640秒，层压真空压强为-24 _26Kpa。作为上述方案的再进一步限定，所述双面晶体硅太阳电池片单焊和串焊的工序 中，各双面晶体硅太阳电池片串焊间距控制在12mm ；所述组件叠层排版工序在层压机的工作台面上进行，其排版顺序是在一光面超白 钢化玻璃上铺一层PVB胶膜，然后放置串焊排版完成的双面晶体硅太阳电池片，接着再铺 上一层PVB胶膜，再在组件四周边角位置各垫贴一块尺寸为0. 6mm厚的PVB胶膜余料，最后 盖上一片普通光面钢化玻璃；所述层压工序中，设定的层压温度为140°C，抽真空时间为785秒，层压时间为630 秒，层压真空压强为-24Kpa;所述层压工序完成后，快速将组件放置在支架上，再利用风速为8m/s的电风扇急 速降至室温。本发明的有益效果是本发明所提供的BIPV太阳电池组件，采用高透过率PVB胶 膜封装双面晶体硅太阳电池片，既解决了 EVA容易长期老化黄变的问题，又能整体提高太 阳电池组件发电效率，极具实用性和美观性；本发明所提供的BIPV太阳电池组件制作方 法，是利用光伏组件厂家常用的一步法层压机，既解决了 PVB胶膜封装双玻璃太阳电池组 件出现的气泡、移位、碎裂、雾化等不良现象，又避免了采购高压釜等专业封装设备，工艺简 单实用，且能节约成本，适用于普通光伏组件厂家的改造生产。以下结合附图和具体实施方式
对本发明作进一步说明。
图1为本发明较佳实施例的结构示意图；图2为本发明的正视图；图中，1为光面超白钢化玻璃，2为双面晶体硅太阳电池片，3为汇流条，4为太阳能 幕墙接线盒，5为产品条形码，6为互连条，7为PVB胶膜，8为普通光面钢化玻璃。
具体实施例方式如图1、图2所示，本发明BIPV太阳电池组件，包括由上而下依次安装的光面超白 钢化玻璃1、数个平铺排列连接的双面晶体硅太阳电池片2、普通光面钢化玻璃8，且双面晶 体硅太阳电池片2采用PVB胶膜7封装在光面超白钢化玻璃1与普通光面钢化玻璃8之 间，每组双面晶体硅太阳电池片2之间通过太阳能幕墙接线盒4串相连接。详细来说，每个 双面晶体硅太阳电池片2之间用互连条6连接，每组双面晶体硅太阳电池片2串之间用汇 流条3连接到太阳能幕墙接线盒4，且太阳能幕墙接线盒4的下方设置有产品条形码5。其 中，PVB胶膜7的可见光透过率彡89%。
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下面通过列举实施例来对本发明BIPV太阳电池组件的制作方法作进一步说明， 但本发明并不受以下实施例所限定。实施例11、单片检测控制测试仪器温度在25°C，对单片双面晶体硅太阳电池片2的正面 和背面均进行恒温电性能测试，并以偏差士3%为界进行功率分档；本实施例选用24片正 面和背面光电转化效率分别为15% (功率2. 25W)和12% (功率2. 25W)的双面晶体硅太 阳电池片2。2、单焊和串焊先将选定的双面晶体硅太阳电池片2进行正反两面主栅线的互连 条6焊接，再放置到串焊台上进行6片双面晶体硅太阳电池片2 —组的串焊连接，双面晶体 硅太阳电池片2串焊间距控制在15mm。3、叠层排版在1块964*800mm规格的光面超白钢化玻璃1上铺一层0. 5mm厚的 PVB胶膜7，然后进行4排双面晶体硅太阳电池片串的排版和汇流条3焊接，每排电池片串 之间的间距控制在15士 1mm，汇流条3中间空隙部分贴产品条形码5，之后再加盖一层0. 5mm 厚的PVB胶膜7，再在四周边角位置各垫贴一块适当尺寸的0. 5mm厚PVB胶膜余料，最后覆 盖1块964*800mm规格的普通光面钢化玻璃8。4、排版检验利用检验台进行外观和排版尺寸检测，确保组件规整，无污染。5、层压设定层压机工艺参数为层压温度为140°C，抽真空时间为800秒，层压时 间为600秒，层压真空压强为-24Kpa，然后对组件进行抽真空层压；在层压完成组件从层压 机中出来后，快速将组件放置在专用支架上，再利用风速为8m/s的电风扇急速降至室温。6、割边将冷却后的组件放置在平台上，利用专业刀具进行组件边缘多余PVB胶 膜的割除清理。7、半成品检测。8、装接线盒将太阳能幕墙接线盒4利用硅胶粘贴在汇流条3引出端的组件上侧 面，进行绝缘防水密封。9、清洁对密封固化完成的组件进行残留物擦洗清洁。10、绝缘耐压测试对清洁完成的组件进行耐高压性能检测，要求组件能经受 3000V电压的耐压安全性能测试。11、电性能测试在大气质量AMI. 5，环境温度25°C，光强1000W/m2的标准测试条 件下，利用组件功率测试仪分别对组件的正面和背面进行电性能测量，利用组件条形码进 行功率分档并将数据统计存档。12、检验和包装入库对功率分档后的组件进行最终外观检验，确认符合客户要求 后进行打包入库。该实例方法得到的BIPV太阳电池组件外观透明美观，无雾化和气泡现象，双面晶 体硅太阳电池片2未见移位，成品率达到97% ；在标准测试条件下的平均实测功率是，正面 功率51W和反面功率43W，总体功率为94W，比用同效率电池片制作的普通双玻璃太阳电池 组件功率高出41W。实施例21、单片检测控制测试仪器温度在25°C，对单片双面晶体硅太阳电池片2的正面 和背面均进行恒温电性能测试，并以偏差士3%为界进行功率分档；本实施例选用24片正面和背面光电转化效率分别为15% (功率2.25W)和12% (功率2.25W)的双面晶体硅太 阳电池片2。2、单焊和串焊先将选定的双面晶体硅太阳电池片2进行正反两面主栅线的互连 条6焊接，再放置到串焊台上进行6片双面晶体硅太阳电池片2 —组的串焊连接，双面晶体 硅太阳电池片2串焊间距控制在10mm。3、叠层排版在1块964*800mm规格的光面超白钢化玻璃1上铺一层0. 5mm厚的 PVB胶膜7，然后进行4排双面晶体硅太阳电池片2串的排版和汇流条3焊接，每排电池片 串之间的间距控制15士 1mm，汇流条3中间空隙部分贴产品条形码5，之后再加盖一层0. 5mm 厚的PVB胶膜7，再在四周边角位置各垫贴一块适当尺寸的0. 5mm厚PVB胶膜余料，最后覆 盖1块964*800mm规格的普通光面钢化玻璃8。4、排版检验利用检验台进行外观和排版尺寸检测，确保组件规整，无污染。5、层压设定层压机工艺参数为层压温度为140°C，抽真空时间为780秒，层压时 间为650秒，层压真空压强为-26Kpa，然后对组件进行抽真空层压；在层压完成组件从层压 机中出来后，快速将组件放置在专用支架上，再利用风速为6m/s的电风扇急速降至室温。6、割边将冷却后的组件放置在平台上，利用专业刀具进行组件边缘多余PVB胶 膜的割除清理。7、半成品检测。8、装接线盒将太阳能幕墙接线盒4利用硅胶粘贴在汇流条3引出端的组件上侧 面，进行绝缘防水密封。9、清洁对密封固化完成的组件进行残留物擦洗清洁。10、绝缘耐压测试对清洁完成的组件进行耐高压性能检测，要求组件能经受 3000V电压的耐压安全性能测试。11、电性能测试在大气质量AMI. 5，环境温度25°C，光强1000W/m2的标准测试条 件下，利用组件功率测试仪分别对组件的正面和背面进行电性能测量，利用组件条形码进 行功率分档并将数据统计存档。12、检验和包装入库对功率分档后的组件进行最终外观检验，确认符合客户要求 后进行打包入库。该实例方法得到的BIPV太阳电池组件外观透明美观，无雾化和气泡现象，双面晶 体硅太阳电池片2未见移位，成品率达到97% ；在标准测试条件下的平均实测功率是，正面 功率51W和反面功率43W，总体功率为94W，比用同效率电池片制作的普通双玻璃太阳电池 组件功率高出41W。实施例31、单片检测控制测试仪器温度在25°C，对单片双面晶体硅太阳电池片2的正面 和背面均进行恒温电性能测试，并以偏差士3%为界进行功率分档；本实施例选用24片正 面和背面光电转化效率分别为15% (功率2. 25W)和12% (功率2. 25W)的双面晶体硅太 阳电池片2。2、单焊和串焊先将选定的双面晶体硅太阳电池片2进行正反两面主栅线的互连 条6焊接，再放置到串焊台上进行6片双面晶体硅太阳电池片2 —组的串焊连接，双面晶体 硅太阳电池片2串焊间距控制在11mm。
3、叠层排版在1块964*800mm规格的光面超白钢化玻璃1上铺一层0.51mm厚的 PVB胶膜7，然后进行4排双面晶体硅太阳电池片2串的排版和汇流条3焊接，每排电池片 串之间的间距控制15士 1mm，汇流条3中间空隙部分贴产品条形码5，之后再加盖一层1mm 厚的PVB胶膜7，再在四周边角位置各垫贴一块适当尺寸的0. 51mm厚PVB胶膜余料，最后覆 盖1块964*800mm规格的普通光面钢化玻璃8。4、排版检验利用检验台进行外观和排版尺寸检测，确保组件规整，无污染。5、层压设定层压机工艺参数为层压温度为140°C，抽真空时间为790秒，层压时 间为620秒，层压真空压强为-24Kpa，然后对组件进行抽真空层压；在层压完成组件从层压 机中出来后，快速将组件放置在专用支架上，再利用风速为6m/s的电风扇急速降至室温。6、割边将冷却后的组件放置在平台上，利用专业刀具进行组件边缘多余PVB胶 膜的割除清理。7、半成品检测。8、装接线盒将太阳能幕墙接线盒4利用硅胶粘贴在汇流条3引出端的组件上侧 面，进行绝缘防水密封。9、清洁对密封固化完成的组件进行残留物擦洗清洁。10、绝缘耐压测试对清洁完成的组件进行耐高压性能检测，要求组件能经受 3000V电压的耐压安全性能测试。11、电性能测试在大气质量AMI. 5，环境温度25°C，光强1000W/m2的标准测试条 件下，利用组件功率测试仪分别对组件的正面和背面进行电性能测量，利用组件条形码进 行功率分档并将数据统计存档。12、检验和包装入库对功率分档后的组件进行最终外观检验，确认符合客户要求 后进行打包入库。该实例方法得到的BIPV太阳电池组件外观透明美观，无雾化和气泡现象，双面晶 体硅太阳电池片2未见移位，成品率达到98% ；在标准测试条件下的平均实测功率是，正面 功率51W和反面功率43W，总体功率为94W，比用同效率电池片制作的普通双玻璃太阳电池 组件功率高出41W。实施例41、单片检测控制测试仪器温度在25°C，对单片双面晶体硅太阳电池片2的正面 和背面均进行恒温电性能测试，并以偏差士3%为界进行功率分档；本实施例选用24片正 面和背面光电转化效率分别为15% (功率2. 25W)和12% (功率2. 25W)的双面晶体硅太 阳电池片2。2、单焊和串焊先将选定的双面晶体硅太阳电池片2进行正反两面主栅线的互连 条6焊接，再放置到串焊台上进行6片双面晶体硅太阳电池片2 —组的串焊连接，双面晶体 硅太阳电池片2串焊间距控制在14mm。3、叠层排版在1块964*800mm规格的光面超白钢化玻璃1上铺一层0. 76mm厚的 PVB胶膜7，然后进行4排双面晶体硅太阳电池片2串的排版和汇流条3焊接，每排电池片 串之间的间距控制15士 1mm，汇流条3中间空隙部分贴产品条形码5，之后再加盖一层1mm 厚的PVB胶膜7，再在四周边角位置各垫贴一块适当尺寸的0. 76mm厚PVB胶膜余料，最后覆 盖1块964*800mm规格的普通光面钢化玻璃8。
4、排版检验利用检验台进行外观和排版尺寸检测，确保组件规整，无污染。5、层压设定层压机工艺参数为层压温度为140°C，抽真空时间为780秒，层压时 间为640秒，层压真空压强为-26Kpa，然后对组件进行抽真空层压；在层压完成组件从层压 机中出来后，快速将组件放置在专用支架上，再利用风速为8m/s的电风扇急速降至室温。6、割边将冷却后的组件放置在平台上，利用专业刀具进行组件边缘多余PVB胶 膜的割除清理。7、半成品检测。8、装接线盒将太阳能幕墙接线盒4利用硅胶粘贴在汇流条3引出端的组件上侧 面，进行绝缘防水密封。9、清洁对密封固化完成的组件进行残留物擦洗清洁。10、绝缘耐压测试对清洁完成的组件进行耐高压性能检测，要求组件能经受 3000V电压的耐压安全性能测试。11、电性能测试在大气质量AMI. 5，环境温度25°C，光强1000W/m2的标准测试条 件下，利用组件功率测试仪分别对组件的正面和背面进行电性能测量，利用组件条形码进 行功率分档并将数据统计存档。12、检验和包装入库对功率分档后的组件进行最终外观检验，确认符合客户要求 后进行打包入库。该实例方法得到的BIPV太阳电池组件外观透明美观，无雾化和气泡现象，双面晶 体硅太阳电池片2未见移位，成品率达到98% ；在标准测试条件下的平均实测功率是，正面 功率52W和反面功率43W，总体功率为95W，比用同效率电池片制作的普通双玻璃太阳电池 组件功率高出42W。实施例51、单片检测控制测试仪器温度在25°C，对单片双面晶体硅太阳电池片2的正面 和背面均进行恒温电性能测试，并以偏差士3%为界进行功率分档；本实施例选用24片正 面和背面光电转化效率分别为15% (功率2. 25W)和12% (功率2. 25W)的双面晶体硅太 阳电池片2。2、单焊和串焊先将选定的双面晶体硅太阳电池片2进行正反两面主栅线的互连 条6焊接，再放置到串焊台上进行6片双面晶体硅太阳电池片2 —组的串焊连接，双面晶体 硅太阳电池片2串焊间距控制在12mm。3、叠层排版在1块964*800mm规格的光面超白钢化玻璃1上铺一层0. 6mm厚的 PVB胶膜7，然后进行4排双面晶体硅太阳电池片2串的排版和汇流条3焊接，每排电池片 串之间的间距控制15士 1mm，汇流条3中间空隙部分贴产品条形码5，之后再加盖一层0. 6mm 厚的PVB胶膜7，再在四周边角位置各垫贴一块适当尺寸的0. 6mm厚PVB胶膜余料，最后覆 盖1块964*800mm规格的普通光面钢化玻璃8。4、排版检验利用检验台进行外观和排版尺寸检测，确保组件规整，无污染。5、层压设定层压机工艺参数为层压温度为140°C，抽真空时间为785秒，层压时 间为630秒，层压真空压强为-24Kpa，然后对组件进行抽真空层压；在层压完成组件从层压 机中出来后，快速将组件放置在专用支架上，再利用风速为8m/s的电风扇急速降至室温。6、割边将冷却后的组件放置在平台上，利用专业刀具进行组件边缘多余PVB胶膜的割除清理。7、半成品检测。8、装接线盒将太阳能幕墙接线盒4利用硅胶粘贴在汇流条3引出端的组件上侧 面，进行绝缘防水密封。9、清洁对密封固化完成的组件进行残留物擦洗清洁。10、绝缘耐压测试对清洁完成的组件进行耐高压性能检测，要求组件能经受 3000V电压的耐压安全性能测试。11、电性能测试在大气质量AMI. 5，环境温度25°C，光强1000W/m2的标准测试条 件下，利用组件功率测试仪分别对组件的正面和背面进行电性能测量，利用组件条形码进 行功率分档并将数据统计存档。12、检验和包装入库对功率分档后的组件进行最终外观检验，确认符合客户要求 后进行打包入库。该实例方法得到的BIPV太阳电池组件外观透明美观，无雾化和气泡现象，双面晶 体硅太阳电池片2未见移位，成品率达到99% ；在标准测试条件下的平均实测功率是，正面 功率52W和反面功率43W，总体功率为95W，比用同效率电池片制作的普通双玻璃太阳电池 组件功率高出42W。实施例61、单片检测控制测试仪器温度在26°C，对单片双面晶体硅太阳电池片2的正面 和背面均进行恒温电性能测试，并以偏差士3%为界进行功率分档；本实施例选用24片正 面和背面光电转化效率分别为15% (功率2. 25W)和12% (功率2. 25W)的双面晶体硅太 阳电池片2。2、单焊和串焊先将选定的双面晶体硅太阳电池片2进行正反两面主栅线的互连 条6焊接，再放置到串焊台上进行6片双面晶体硅太阳电池片2 —组的串焊连接，双面晶体 硅太阳电池片2串焊间距控制在13mm。3、叠层排版在1块964*800mm规格的光面超白钢化玻璃1上铺一层1mm厚的PVB 胶膜7，然后进行4排双面晶体硅太阳电池片2串的排版和汇流条3焊接，每排电池片串之 间的间距控制15士 1mm，汇流条3中间空隙部分贴产品条形码5，之后再加盖一层1mm厚的 PVB胶膜7，再在四周边角位置各垫贴一块适当尺寸的1mm厚PVB胶膜余料，最后覆盖1块 964*800mm规格的普通光面钢化玻璃8。4、排版检验利用检验台进行外观和排版尺寸检测，确保组件规整，无污染。5、层压设定层压机工艺参数为层压温度为140°C，抽真空时间为785秒，层压时 间为630秒，层压真空压强为-25Kpa，然后对组件进行抽真空层压；在层压完成组件从层压 机中出来后，快速将组件放置在专用支架上，再利用风速为8m/s的电风扇急速降至室温。6、割边将冷却后的组件放置在平台上，利用专业刀具进行组件边缘多余PVB胶 膜的割除清理。7、半成品检测。8、装接线盒将太阳能幕墙接线盒4利用硅胶粘贴在汇流条3引出端的组件上侧 面，进行绝缘防水密封。9、清洁对密封固化完成的组件进行残留物擦洗清洁。
10、绝缘耐压测试对清洁完成的组件进行耐高压性能检测，要求组件能经受 3000V电压的耐压安全性能测试。11、电性能测试在大气质量AMI. 5，环境温度25°C，光强1000W/m2的标准测试条 件下，利用组件功率测试仪分别对组件的正面和背面进行电性能测量，利用组件条形码进 行功率分档并将数据统计存档。
12、检验和包装入库对功率分档后的组件进行最终外观检验，确认符合客户要求 后进行打包入库。该实例方法得到的BIPV太阳电池组件外观透明美观，无雾化和气泡现象，双面晶 体硅太阳电池片2未见移位，成品率达到98% ；在标准测试条件下的平均实测功率是，正面 功率51W和反面功率43W，总体功率为94W，比用同效率电池片制作的普通双玻璃太阳电池 组件功率高出41W。实施例71、单片检测控制测试仪器温度在24°C，对单片双面晶体硅太阳电池片2的正面 和背面均进行恒温电性能测试，并以偏差士3%为界进行功率分档；本实施例选用24片正 面和背面光电转化效率分别为15% (功率2. 25W)和12% (功率2. 25W)的双面晶体硅太 阳电池片2。2、单焊和串焊先将选定的双面晶体硅太阳电池片2进行正反两面主栅线的互连 条6焊接，再放置到串焊台上进行6片双面晶体硅太阳电池片2 —组的串焊连接，双面晶体 硅太阳电池片2串焊间距控制在14mm。3、叠层排版在1块964*800mm规格的光面超白钢化玻璃1上铺一层0. 7mm厚的 PVB胶膜7，然后进行4排双面晶体硅太阳电池片2串的排版和汇流条3焊接，每排电池片 串之间的间距控制15士 1mm，汇流条3中间空隙部分贴产品条形码5，之后再加盖一层0. 7mm 厚的PVB胶膜7，再在四周边角位置各垫贴一块适当尺寸的0. 7mm厚PVB胶膜余料，最后覆 盖1块964*800mm规格的普通光面钢化玻璃8。4、排版检验利用检验台进行外观和排版尺寸检测，确保组件规整，无污染。5、层压设定层压机工艺参数为层压温度为140°C，抽真空时间为782秒，层压时 间为638秒，层压真空压强为-25Kpa，然后对组件进行抽真空层压；在层压完成组件从层压 机中出来后，快速将组件放置在专用支架上，再利用风速为6m/s的电风扇急速降至室温。6、割边将冷却后的组件放置在平台上，利用专业刀具进行组件边缘多余PVB胶 膜的割除清理。7、半成品检测。8、装接线盒将太阳能幕墙接线盒4利用硅胶粘贴在汇流条3引出端的组件上侧 面，进行绝缘防水密封。9、清洁对密封固化完成的组件进行残留物擦洗清洁。10、绝缘耐压测试对清洁完成的组件进行耐高压性能检测，要求组件能经受 3000V电压的耐压安全性能测试。11、电性能测试在大气质量AMI. 5，环境温度25°C，光强1000W/m2的标准测试条 件下，利用组件功率测试仪分别对组件的正面和背面进行电性能测量，利用组件条形码进 行功率分档并将数据统计存档。
12、检验和包装入库对功率分档后的组件进行最终外观检验，确认符合客户要求 后进行打包入库。该实例方法得到的BIPV太阳电池组件外观透明美观，无雾化和气泡现象，双面晶 体硅太阳电池片2未见移位，成品率达到97% ；在标准测试条件下的平均实测功率是，正面 功率51W和反面功率43W，总体功率为94W，比用同效率电池片制作的普通双玻璃太阳电池 组件功率高出41W。本发明的BIPV太阳电池组件正反两面都可以接受辐射，增加了组件全天候整体 发 电功率，达到了良好的发电效果，同时可以匹配安装在幕墙等垂直结构的建筑上，起到良 好的建筑美观效果，实现了真正的光伏建筑一体化。上述实施例仅用于解释说明本发明的发明构思，而非对本发明权利保护的限定， 凡利用此构思对本发明进行非实质性的改动，均应落入本发明的保护范围。
权利要求
一种BIPV太阳电池组件，其特征在于包括由上而下依次安装的光面超白钢化玻璃、数个平铺排列连接的双面晶体硅太阳电池片、普通光面钢化玻璃，且双面晶体硅太阳电池片采用PVB胶膜封装在光面超白钢化玻璃与普通光面钢化玻璃之间，每组双面晶体硅太阳电池片之间通过太阳能幕墙接线盒串相连接。
2.如权利要求1所述的BIPV太阳电池组件，其特征在于所述PVB胶膜的可见光透过 率彡89%。
3.一种BIPV太阳电池组件的制作方法，包括如下步骤单片双面晶体硅太阳电池片检 测、双面晶体硅太阳电池片单焊和串焊、组件叠层排版、排版检验、层压、割边、半成品检测、 安装接线盒、清洁、绝缘耐压测试、电性能测试、外观检验、包装入库，其特征在于所述单片双面晶体硅太阳电池片检测的工序中，对单片双面晶体硅太阳电池片的正面 和背面均进行恒温电性能测试，其测试仪器温度控制在25士 1°C ；所述双面晶体硅太阳电池片单焊和串焊的工序中，各双面晶体硅太阳电池片串焊间距 控制在10 15mm ；所述组件叠层排版工序在层压机的工作台面上进行，其排版顺序是在一光面超白钢化 玻璃上铺一层PVB胶膜，然后放置串焊排版完成的双面晶体硅太阳电池片，接着再铺上一 层PVB胶膜，再在组件四周边角位置各垫贴一块尺寸为0. 5 1mm厚的PVB胶膜余料，最后 盖上一片普通光面钢化玻璃；所述层压工序中，设定的层压温度为140°C，抽真空时间为780 800秒，层压时间为 600 650秒，层压真空压强为-24 -26Kpa ；所述层压工序完成后，快速将组件放置在支架上，再利用风速大于5m/s的电风扇急速 降至室温；所述电性能测试工序，要在大气质量AMI. 5、环境温度25°C、光强1000W/m2的测试条件 下，利用太阳能电池组件测试仪分别对组件的正面和背面进行电性能测量，分别记录标识 并进行数据存档。
4.如权利要求3所述的BIPV太阳电池组件的制作方法，其特征在于所述双面晶体硅 太阳电池片单焊和串焊的工序中，各双面晶体硅太阳电池片串焊间距控制在11 14mm;所述组件叠层排版工序在层压机的工作台面上进行，其排版顺序是在一光面超白钢化 玻璃上铺一层PVB胶膜，然后放置串焊排版完成的双面晶体硅太阳电池片，接着再铺上一 层PVB胶膜，再在组件四周边角位置各垫贴一块尺寸为0. 51 0. 76mm厚的PVB胶膜余料， 最后盖上一片普通光面钢化玻璃；所述层压工序中，设定的层压温度为140°C，抽真空时间为780 790秒，层压时间为 620 640秒，层压真空压强为-24 _26Kpa。
5.如权利要求4所述的BIPV太阳电池组件的制作方法，其特征在于所述双面晶体硅 太阳电池片单焊和串焊的工序中，各双面晶体硅太阳电池片串焊间距控制在12mm;所述组件叠层排版工序在层压机的工作台面上进行，其排版顺序是在一光面超白钢化 玻璃上铺一层PVB胶膜，然后放置串焊排版完成的双面晶体硅太阳电池片，接着再铺上一 层PVB胶膜，再在组件四周边角位置各垫贴一块尺寸为0. 6mm厚的PVB胶膜余料，最后盖上 一片普通光面钢化玻璃；所述层压工序中，设定的层压温度为140°C，抽真空时间为785秒，层压时间为630秒，层压真空压强为_24Kpa ；所述层压工序完成后，快速将组件放置在支架上，再利用风速为8m/s的电风扇急速降至室温。
全文摘要
本发明属于光电和建材领域，尤其涉及一种BIPV太阳电池组件及其制作方法，包括由上而下依次安装的光面超白钢化玻璃、数个平铺排列连接的双面晶体硅太阳电池片、普通光面钢化玻璃，且双面晶体硅太阳电池片采用PVB胶膜封装在光面超白钢化玻璃与普通光面钢化玻璃之间，每组双面晶体硅太阳电池片之间通过太阳能幕墙接线盒串相连接。本发明BIPV太阳电池组件及其制作方法，其双面均能接受太阳光，间接增大了系统发电功率，同时其工艺简单，改进成本低，能有效解决气泡、移位、碎裂、雾化等不良现象。本发明BIPV太阳电池组件能应用于建筑护栏包括幕墙、屋顶、车顶棚、道路隔音护栏等，实现了光伏建筑一体化。
文档编号H01L31/048GK101866962SQ20101020685
公开日2010年10月20日 申请日期2010年6月19日 优先权日2010年6月19日
发明者鲍仁强 申请人:浙江环球光伏科技有限公司