专利名称：一种新型厚膜电阻的制作方法
技术领域：
本实用新型属电子元器件领域，特别是一种厚膜电阻。
背景技术：
现有技术中，厚膜电阻图形的设计是矩形，通过激光切割形成一调阻切槽3，电阻 有效宽度减小，电阻方数增加，从而使电阻值上升。经过激光调阻的厚膜电阻因有效宽度变 小，电阻电性能最薄弱的地方就是激光调阻处(如图1)。电阻体1与电极2搭接处的部位 只起导通电阻体1与电极2的作用。如图2所示，传统电阻通电时，电流(图中虚线所示)流过电阻体时会绕过已切断 的激光切割区域，从电阻截面积最窄区域(图中黑框所示)即电阻的有效宽度区域11通 过。根据电阻特性及伏安特性，有效宽度区域11在通电时会比其它区域产生的功率高些， 即此处为电阻的“发热点”或者称“薄弱区”，电阻体若因过载而烧坏则会先烧坏此处。
发明内容针对上述问题，本实用新型的目的是提供一种新型厚膜电阻，其可在不影响电阻 电性能的情况下减小电阻材料耗用量。本实用新型的目的是这样实现的一种新型厚膜电阻，包括电阻体和电极，电阻体 上设有激光调阻切槽及与之对应的有效宽度区域，其特征在于所述的电阻体端头设有可 减少端头横截面积的凹陷部。所述电阻体端头与电极连接位置的设计横截面积大于或等于有效宽度区域的最 小设计横截面积。所述的凹陷部设于电阻体两端头的两侧、单侧或对角。所述的凹陷部的截面呈方形凹陷、弧形凹陷或斜面。本实用新型提供的一种新型厚膜电阻，其可在不影响电阻电性能的情况下减小电 阻材料耗用量，从而降低电阻的铅含量，降低产品的成本。
图1是现有技术的结构示意图；图2是现有技术中电流的路径示意图；图3是本实用新型的实施例1的结构示意图；图4是本实用新型的实施例2的结构示意图；图5是本实用新型的实施例3的结构示意图；图6是本实用新型的实施例4的结构示意图。
具体实施方式
如图3-6所示，本实用新型是一种新型厚膜电阻，包括电阻体1和电极2，通过激光
3调阻，电阻体1上设有激光调阻切槽3及与之对应的有效宽度区域11，在电阻体1端头设有 凹陷部12，令端头宽度变窄，横截面积变小。电阻体1端头与电极2连接位置的设计横截面 积大于或等于有效宽度区域11的最小设计横截面积。凹陷部12设于电阻体1两端头的两 侧、单侧或对角。凹陷部12的截面呈方形凹陷、弧形凹陷或斜面均可，只要能有效减少端头横截面 积，令端头变窄即可。实施例1如图3所示，本实施例中，凹陷部12设于电阻体1两端头的两侧面，电阻体1端头 与电极2连接的位置的宽度A大于或等于有效宽度区域11的宽度B，即电阻体1端头与电 极2连接的位置的横截面积大于或等于有效宽度区域11的横截面积。凹陷部12的截面呈 方形凹陷。实施例2如图4所示，本实施例中，凹陷部12设于电阻体1两端头的两侧面，电阻体1端头 与电极2连接的位置的宽度A大于或等于有效宽度区域11的宽度B，即电阻体1端头与电 极2连接的位置的横截面积大于或等于有效宽度区域11的横截面积。凹陷部12的截面呈 弧形凹陷。实施例3如图5所示，本实施例中，凹陷部12设于电阻体1两端头的两侧面，电阻体1端头 与电极2连接的位置的宽度A大于或等于有效宽度区域11的宽度B，即电阻体1端头与电 极2连接的位置的横截面积大于或等于有效宽度区域11的横截面积。凹陷部12的截面呈 斜面。实施例4如图6所示，本实施例中，凹陷部12设于电阻体1两端头靠激光调阻切槽3的一 侧，电阻体1端头与电极2连接的位置的宽度A大于或等于有效宽度区域11的宽度B，即电 阻体1端头与电极2连接的位置的横截面积大于或等于有效宽度区域11的横截面积。凹 陷部12的截面呈斜面。
权利要求一种新型厚膜电阻，包括电阻体和电极，电阻体上设有激光调阻切槽及与之对应的有效宽度区域，其特征在于所述的电阻体端头设有可减少端头横截面积的凹陷部。
2.根据权利要求1所述的一种新型厚膜电阻，其特征在于所述电阻体端头与电极连 接位置的设计横截面积大于或等于有效宽度区域的最小设计横截面积。
3.根据权利要求1所述的一种新型厚膜电阻，其特征在于所述的凹陷部设于电阻体 两端头的两侧、单侧或对角。
4.根据权利要求1-3中任一权利要求所述的一种新型厚膜电阻，其特征在于所述的 凹陷部的截面呈方形凹陷、弧形凹陷或斜面。
专利摘要本实用新型公开了一种新型厚膜电阻，包括电阻体和电极，电阻体上设有激光调阻切槽及与之对应的有效宽度区域，其中所述的电阻体端头设有可减少端头横截面积的凹陷部。本实用新型可在不影响电阻电性能的情况下减小电阻材料耗用量，从而降低电阻的铅含量，降低产品的成本。
文档编号H01C7/00GK201749751SQ20102024838
公开日2011年2月16日 申请日期2010年7月6日 优先权日2010年7月6日
发明者何睦华, 张俊, 张远生, 杨晓平, 梁建银 申请人:广东风华高新科技股份有限公司