层叠膜的制造方法

专利名称：层叠膜的制造方法
技术领域：
本发明涉及一种通过在树脂膜上形成阻隔膜(barrier film,日语バリア膜)及透明导电膜来制造层叠膜的方法。
背景技术：
近年来，有机EL元件作为自发光元件而备受瞩目。有机EL元件为在基板上用电极夹持有机化合物的发光层的构成，对电极间时供给电流时会发光的元件。由于发光层为有机化合物，因此，通过使用树脂膜作为基板，可以制作可挠的有机EL元件，但因发光层或阴极由于氧及水分的影响而容易劣化，因此，需要在树脂膜上设置阻隔膜以尽可能阻断经由树脂膜而侵入的水分及氧。作为如上所述的有机EL元件的部件，对以树脂膜作为基板，且具有阻隔膜及一方的电极的透明导电膜的层叠膜进行了各种研究。而且，作为阻隔膜的形成方法，研究有电子束法、溅射法、等离子体CVD法、离子镀法等，作为透明导电膜的形成方法，研究有溅射法、 离子镀法等物理气相沉积(PVD)法(例如參照日本特开2008-235165号公报(段落0002、 段落0050))。但是，在上述现有层叠膜中，存在弯曲时阻隔性容易降低及导电性也容易降低的问题。需要说明的是，CVD为“化学气相沉积”的縮写。

发明内容
本发明的目的在于提供一种可以制造以树脂膜作为基板，具有阻隔膜及透明导电膜，且即使弯曲，阻隔性难以降低，导电性也难以降低的层叠膜的方法。本发明人等进行了潜心研究，结果发现，通过采用特定的等离子体CVD法作为阻隔膜的形成方法，可以实现所述目的，从而完成了本发明。S卩，本发明提供一种层叠膜的制造方法，其为通过在树脂膜上形成阻隔膜及透明导电膜来制造层叠膜的方法，其特征在干，通过辊间放电等离子体CVD法来形成所述阻隔膜。


图1是表示优选用于通过辊间放电等离子体CVD法来形成阻隔膜的装置的一例的示意图。在该图中，符号11表示送出辊。21、22、23及M分別表示输送辊。31及32分別表示成膜辊。41表示气体供给管，51表示等离子体产生装置。61及62分別表示磁场产生装置。71表示卷绕辊，100表示树脂膜。
具体实施例方式作为层叠膜基板的树脂膜优选为无色透明，作为构成树脂膜的树脂，例如可以举出聚对苯ニ甲酸乙ニ醇酯(PET)、聚萘ニ甲酸乙ニ醇酯(PEN)等聚酯树脂；聚乙烯(PE)、 聚丙烯(PP)、环状聚烯烃等聚烯烃树脂；聚酰胺树脂；聚碳酸酯树脂；聚苯乙烯树脂 ’聚乙烯醇树脂；乙烯-乙酸乙烯酯共聚物的皂化物；聚丙烯腈树脂；缩醛树脂；聚酰亚胺树脂；聚醚硫化物(PES)，根据需要也可以组合使用这些中的两种以上。根据透明性、耐热性、线膨胀性等必要的特性，优选为选自聚酯树脂、聚烯烃树脂，更优选PET、PEN、环状聚烯烃。树脂膜的厚度可考虑制造层叠膜时的稳定性等来适宜设定，但由于即使真空中树脂膜的输送也比较容易，因此，优选为5 500 μ m。进而，在通过本发明中采用的辊间放电等离子体CVD法来形成阻隔膜时，由于通过树脂膜而进行放电，由此，更优选树脂膜的厚度为50 200 μ m,特别优选为50 100 μ m。另外，从与阻隔膜的密合性的观点考虑，也可以对树脂膜实施用于对其表面进行清洗的表面活性处理。作为这样的表面活性处理，例如可以举出电晕处理、等离子体处理、火焰处理。在本发明中，作为在树脂膜上形成阻隔膜的方法，使用辊间放电等离子体CVD法。由此可以得到即使弯曲，阻隔性也难以降低的层叠膜。在现有的层叠膜中，一旦弯折，则在阻隔膜上容易产生裂纹，阻隔性容易降低，但根据本发明，可以得到即使弯曲，阻隔膜上也难以产生裂纹，阻隔性难以降低的层叠膜。在此，CVD法为在物质表面形成薄膜的方法之一。等离子体CVD法为其中一，是通过交流电使含有原料物质的气体等离子体化，由此原料物质自由基化及/或离子化，且原料物质堆积在树脂膜等基板上的成膜方法。优选该等离子体CVD法为低压等离子体CVD法。在此，所谓低压，是指放电气体被激发的放电空间区域的压力及使激发后的放电气体与形成膜的气体接触而形成薄膜的区域的压力，通常为0. 1 10Pa。而且，在辊间放电等离子体CVD法中，在多个成膜辊间的空间产生等离子体放电。在辊间放电等离子体CVD法的典型性例子中，以4 5cm的间隔设置两个内置有不旋转的磁铁的水冷旋转筒。在该两个辊间形成磁场，在磁铁和辊间施加中频波。导入气体时，在两个辊间形成极明亮的高密度等离子。通过其间的磁场和电场，将电子约束在间隙的中心附近，形成高密度等离子体(密度> 1012/cm3)。该等离子体源可以通过数1 左右的低压力而工作，中性粒子或离子的温度低，接近室温左右。另一方面，由于电子的温度高，因此，生成许多自由基及离子。另外，由于在磁场作用下防止高温的二次电子流入树脂膜，因此，可在将树脂膜的温度控制在低水平的状态下输入高电力，实现高速成膜。膜的堆积主要仅在树脂膜表面产生，由于电极被树脂膜覆盖而难以受污染，因此，能够长时间稳定成膜。在此，根据低压方式，可以防止CVD法中的气相反应即颗粒的产生。另外，下一工序的透明导电膜的成膜为需要更低压的环境的物理性成膜法，因此，阻隔膜和透明导电膜的成膜工序间的成膜环境的压力差少。即，与在压力高的环境下形成阻隔膜的现有方法相比，不需要用于调整压力的装置，装置成本大幅降低。阻隔膜优选含有硅、氧及碳，也优选进一步含有氮。硅、氧及碳在阻隔膜中的各浓度可固定，但例如碳及氧的浓度也可以在膜厚方向上发生变化。另外，该元素浓度可以通过XPS分析装置而测定。对阻隔膜的厚度而言，最佳条件根据所使用的材料种类及构成而不同，可适宜选择，但优选为1 5000nm。阻隔膜过薄时，无法得到均勻的膜，难以得到对水分等的气体的高阻隔性，另外，阻隔膜过厚时，难以保持树脂膜的可挠性。另外，阻隔膜优选为在使电气器件的光学信息的透射的构成中光学性损失少的透明。作为在树脂膜上形成透明导电膜的方法，由于可得到低电阻的透明导电膜，因此，可优选使用物理气相沉积(PVD)法。作为其例子，可以举出真空蒸镀法、电子束蒸镀法、溅射法、离子镀法、激光剥离法(脉冲激光沉积、PLD法)，但从成膜速度、成膜面积宽度、成膜面的均勻性、蚀刻特性等观点考虑，优选离子镀法、溅射法。另外，作为离子镀法，对即使弯曲，导电性也难以降低、成膜速度快、阴极不会暴露在气体气氛中而寿命长，且能够长时间连续进行稳定的成膜而言，优选为使用压力梯度型等离子体枪(称为浦本枪)的离子镀法。透明导电膜优选含有选自由铟an)、锡(Sn)、锌(Zn)及钛(Ti)构成的组中的至少一种元素。特别优选为选自由氧化铟锡(ITO)、氧化锌锡(ZTO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铟镓(IGO)、氧化铟锌锡(IZTO)、氧化铟镓锌(IGZO)、掺铝氧化锌(AZO)、掺镓氧化锌(GZO)、掺锑氧化锡(ΑΤΟ)、掺氟氧化锡(FTO)、掺铌氧化钛(ΝΤΟ)、掺钽氧化钛(TTO)及掺钒氧化钛(VTO)构成的组中的至少一种氧化物的膜。对在树脂膜上形成阻隔膜及透明导电膜而言，例如可以在树脂膜的一面上形成阻隔膜后，在阻隔膜上形成透明导电膜；也可以在树脂膜的一面上形成阻隔膜后，在另一面上形成透明导电膜；还可以在树脂膜的一面上形成透明导电膜后，在另一面上形成阻隔膜；还可以在树脂膜的两面上形成阻隔膜后，在一方的阻隔膜上形成透明导电膜。得到的层叠膜的层构成根据用途等进行适宜设定，但本发明的层叠膜的制造方法特别是在如下情况下可有利地利用在树脂膜的一面上形成阻隔膜后，在阻隔膜上形成透明导电膜而制造具有透明导电膜/阻隔膜/树脂膜的层构成的层叠膜。在树脂膜的一面上形成阻隔膜后，在阻隔膜上形成透明导电膜的情况下，具体可采用下述⑴ ⑶的方式。(1)不断送出卷状的树脂膜，一边连续地进行输送，一边形成阻隔膜，将得到的带阻隔膜的膜卷绕成卷状。接着，不断送出该卷状的带阻隔膜的膜并将其切断为片状后，形成透明导电膜而得到层叠膜。该方式以辊对辊的方式形成阻隔膜、以单张的形式进行透明导电膜的形成。(2)不断送出卷状的树脂膜，一边连续地进行输送，一边形成阻隔膜，将得到的带阻隔膜的膜卷绕为卷状。接着，不断送出该卷状的带阻隔膜的膜，一边连续地进行输送，一边形成透明导电膜而得到层叠膜，并将其卷绕为卷状。该方式是以辊对辊的方式分别连续地进行阻隔膜的形成和透明导电膜的形成。(3)从卷状的树脂膜不断送出树脂膜，一边连续地进行输送，一边形成阻隔膜，接着，形成透明导电膜，将得到的层叠膜卷绕为卷状。该方式以辊对辊的方式一并连续地进行阻隔膜的形成和透明导电膜的形成。另外，在形成透明导电膜前，也可以根据需要在阻隔膜上形成其它的层，例如如专利文献1中所提出的那样，可以形成平坦化膜，但在本发明中，从削减装置成本的观点考虑，优选直接在透明导电膜上形成透明导电膜而不形成其它的层。图1如上述(1)或O)的方式那样，是表示适于以辊对辊的方式通过辊间放电等离子体CVD法来形成阻隔膜的情况的装置的一例的示意图。该装置具备送出辊11、输送辊21、22、23、24、成膜辊31、32、气体供给管41、等离子体产生装置51、磁场产生装置61、62和卷绕辊71。另外，在该装置中，至少成膜辊31、32、气体供给管41、等离子体产生装置51、磁场产生装置61、62被配置在真空腔室内，可调整真空腔室内的压力。进而，在该装置中，可以通过等离子体电源51在成膜辊31和成膜辊32之间的空间内产生等离子体。另外，在该装置中，以即使辊旋转相对于成膜辊31和成膜辊32之间的空间也保持一定位置关系的方式在成膜辊31、32上分别配置磁场产生装置61、62。根据该装置，可以在成膜辊31上在树脂膜100的表面上堆积阻隔膜成分，进而可在成膜辊32上堆积阻隔膜成分，因此可在树脂膜100的表面上有效地形成阻隔膜。作为送出辊11及输送辊21、22、23、24、可使用适宜公知的辊。另外，作为卷绕辊71，可使用适宜公知的辊。进而，作为成膜辊31、32，可使用适宜公知的辊，但优选成膜辊31、32的直径为5 100cm。另外，作为气体供给管41，可以适宜使用能以规定的速度供给或排出原料气体等的管。进而，作为等离子体产生装置51，可以适宜使用公知的等离子体产生装置。另外，作为磁场产生装置61、62，可以适宜使用公知的磁场产生装置。进而，作为树脂膜100，可以使用预先形成有阻隔膜的膜。如上所述，通过使用预先形成有阻隔膜的膜作为树脂膜100，可以增加阻隔膜的厚度。使用该装置，适宜调整例如原料气体的种类、等离子体产生装置的电极筒的电力、真空腔室内的压力、成膜辊的直径以及膜的输送速度，由此可在树脂膜100上形成阻隔膜。即，将原料气体等成膜气体供给到真空腔室内，同时产生等离子体放电，由此，上述原料气体因等离子体而分解，通过等离子体CVD法在树脂膜100的表面上形成阻隔膜。而且，通过成膜辊31、32分别输送树脂膜100，由此，以辊对辊方式在树脂膜100的表面上形成阻隔膜。原料气体可以根据形成的阻隔膜的材质而适宜选择使用。作为原料气体，可以使用例如含有硅的有机硅化合物。作为这样的有机硅化合物，例如可以举出六甲基二硅氧烷、1，1，3，3-四甲基二硅氧烷、乙烯基三甲基硅烷、甲基三甲基硅烷、六甲基二硅烷、甲基硅烷、二甲基硅烷、三甲基硅烷、二乙基硅烷、丙基硅烷、苯基硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、乙烯基三甲氧基硅烷、四甲氧基硅烷、四乙氧基硅烷、苯基三甲氧基硅烷、甲基三乙氧基硅烷、八甲基环四硅氧烷、二甲基二硅氮烷、三甲基二硅氮烷、四甲基二硅氮烷、五甲基二硅氮烷、六甲基二硅氮烷。在这些有机硅化合物中，从化合物的操作性及得到的阻隔膜的气体阻隔性等观点考虑，优选六甲基二硅氧烷、1，1，3，3_四甲基二硅氧烷。另外，这些有机硅化合物可以单独使用一种或也可以组合使用两种以上。作为上述成膜气体，除上述原料气体之外，也可以使用其它的反应气体。作为这样的反应气体，可以适宜选择使用与上述原料气体反应而成为氧化物、氮化物等无机化合物的气体。作为用于形成氧化物的反应气体，例如可以使用氧或臭氧。另外，作为用于形成氮化物的反应气体，例如可以使用氮或氨气。这些反应气体可以单独使用一种或也可以组合使用两种以上。例如在形成氮氧化物的情况下，可以组合使用用于形成氧化物的反应气体和用于形成氮化物的反应气体。作为上述成膜气体，为了将上述原料气体供给至真空腔室内，也可以根据需要使用载气。进而，作为上述成膜气体，为了产生等离子体放电，也可以根据需要使用放电用气体。作为这样的载气及放电用气体，可以适宜使用公知的气体，例如可以使用氦、氩、氖、氙等稀有气体或氢。用真空腔室内的压力表示的该真空腔室内的真空度可以根据原料气体的种类等来适宜调整，但优选为0. 5 50Pa。另外，等离子体产生装置的电极筒的电力可以根据原料气体的种类及真空腔室内的压力等来适宜调整，但优选为0.1 10kW。树脂膜100的输送速度(线速度)可以根据原料气体的种类及真空腔室内的压力等来适宜调整，但优选为0. 25 lOOm/min，更优选为0. 5 20m/min。若线速度低于上述下限，则有容易在膜上产生因热引起的褶皱的趋势，另一方面，若线速度超过上述上限，则有所形成的阻隔膜的厚度变薄的趋势。以上所说明的通过本发明的制造方法得到的层叠膜以树脂膜作为基板，可作为可挠性制品的部件来使用，另外，具有阻隔膜及透明导电膜，即使弯曲，阻隔性难以降低，导电性也难以降低，因此，可优选用作以有机EL元件为代表的可挠且必需有阻隔性及导电性的各种制品的部件。实施例以下表示本发明的实施例。以下所示的实施例为用于说明本发明的优选例示，但本发明不限定于这些例子。<实施例1>[阻隔膜的形成]使用图1所示的制造装置在树脂膜上形成阻隔膜。即，首先，将成为基材的树脂膜100(双轴拉伸聚萘二甲酸乙二醇酯膜(PEN膜)、厚度100μπι、宽度350mm、帝人杜邦薄膜(株)制、商品名“TEONEX Q65FA”)的卷体安装在送出辊11上。将从该卷体抽出的树脂膜100依次经由输送辊21、成膜辊31、输送辊22及23，成膜辊32及输送辊M而卷绕于卷绕辊71上。而且，一边输送树脂膜100，一边在成膜辊31和成膜辊32之间施加磁场，同时将电力分别供给至成膜辊31和成膜辊32，在成膜辊31和成膜辊32之间放电而产生等离子体。在这样的放电区域中，供给成膜气体(作为原料气体的六甲基二硅氧烷(HMDSO)和作为反应气体的氧气(也作为放电气体起作用)的混合气体)，在上述条件下通过等离子体CVD法形成膜，得到在树脂膜100上形成有阻隔膜的层叠膜A。(成膜条件)原料气体供给量50SCCm(标准立方厘米/分钟)(0°C、1气压基准)氧气的供给量500SCCm(0°C、l气压基准)真空腔室内的真空度3Pa由等离子体产生用电源的施加电力0. 8kW等离子体产生用电源的频率70kHz膜的输送速度；0. 5m/min。得到的阻隔膜的厚度为370nm。另外，在得到的层叠膜A中，在温度40°C、低湿度侧的湿度0% RH、高湿度侧的湿度90% RH的条件下的水蒸气透过率为3. 1 X 10_4g/ (m2 -day)，在温度40°C、低湿度侧的湿度10% RH、高湿度侧的湿度100% RH的条件下的水蒸气透过率为低于检测界限(0.02g/(m、day))的值。进而，确认到在曲率半径8mm的条件下弯曲后，在温度40°C、低湿度侧的湿度10% RH、高湿度侧的湿度100% RH的条件下的水蒸气透过率为低于检测界限的值，即使在弯曲得到的层叠膜A的情况下，也能够充分抑制气体阻隔性的降低。另外，在上述条件对得到的层叠膜A进行XPS深度剖析测定，调查组成分布。蚀刻离子种类氩(Ar+)
蚀刻速率(SiA热氧化膜换算值)0. 05nm/sec蚀刻间隔(SiO2换算值)=IOnmX射线光电子分光装置Thermo Fisher Scientific公司制、机种名“VG ThetaProbe，，照射X射线单晶分光AlK αX射线的点的形状及尺寸长径800 μ m及短径400 μ m的椭圆形。根据XPS深度剖析测定的组成分布可确认上述阻隔膜为含有硅、氧及碳的组成的膜。[透明导电膜的形成]在上述层叠膜A的阻隔膜上，使用明净金属制ΙΤΟαη Sn = 95 5、高密度品、纯度99. 99%、粒径3 5mm)作为靶，通过压力梯度型等离子体枪的离子电镀成膜装置(中外炉工业制SUPLaDU0、CVP-4111)在以下的成膜条件下形成透明导电膜，得到层叠膜B。(成膜条件)放电电力5· OkW基板温度室温Ar气体流量20sccm(0°C、l气压基准)O2气体流量13. 7sccm(0°C、l气压基准)成膜压力0.06Pa预放电时间180s成膜时间62s通过FIB (聚焦离子束)加工后的TEM(透射电子显微镜像)求出透明导电膜的厚度为150nm。另外，使用雾度计(sugatest制HGM_2DP)测得的所得的层叠膜B的总透光率为80. 8%、雾度为0. 6%。使用电阻率仪(三菱化学制Loresta-GP、MCP-T610)求出的透明导电膜的片状电阻为42. 7 Ω / □，比电阻为6. 4X10_4Qcm。进一步使用原子间力显微镜AFM(SiI制SPI3800N)测得的透明导电膜的表面粗糙度Ra为2. 34nm。<实施例2>使用实施例1中得到的层叠膜A，在层叠膜A的阻隔膜上，使用明净金属制ΙΤ0(Ιη Sn = 95 5、高密度品、纯度99. 99%、粒径3 5mm)作为靶，通过压力梯度型等离子体枪的离子电镀成膜装置(中外炉工业制SUPLaDU0、CVP-4111)在以下成膜条件下形成透明导电膜，得到层叠膜C。(成膜条件)放电电力5. OkW基板温度180°CAr气体流量20sccm((TC、l气压基准)O2气体流量13. 7sccm(0°C、l气压基准)成膜压力0.06Pa预放电时间180s成膜时间62s与实施例1同样地测得的透明导电膜的膜厚、层叠膜C的总透光率和雾度、透明导电膜的片状电阻和比电阻及透明导电膜的表面粗糙度分别为100nm、81.2%和0.6%、18 Ω / □禾口 1. 8 X KT4Qcm 及 2. 37nm。<实施例3>使用实施例1中得到的层叠膜A，在层叠膜A的阻隔膜上，使用ZT0(Zn2Sn04、氧化锌锡)作为靶，通过压力梯度型等离子体枪的离子电镀成膜装置(中外炉工业制SUPLaDUO, CVP-4111)在以下的成膜条件下形成透明导电膜，得到层叠膜D。另外，作为ZTO靶，使用将氧化锌粉末(高纯度化学研究所制、4N)和氧化锡粉末(高纯度化学研究所制、4N)以锌锡=2 1(摩尔比)的方式进行称量、混合、烧结而制作的烧结体，并将其以成为离子电镀的靶的方式粉碎为粒径3 5mm左右。(成膜条件)放电电力11.2kW基板加热温度室温Ar气体流量20sccm(0°C、l气压基准)02气体流量0sccm(0°C、1气压基准)成膜压力0.06Pa预放电时间26s成膜时间33s与实施例1同样地测得的透明导电膜的膜厚、层叠膜D的总透光率和雾度、透明导电膜的片状电阻和比电阻及透明导电膜的表面粗糙度分别为100nm、81.2%和0.6%、65 Ω / □和 6. 5 X KT3Qcm 及 1. 93nm。<实施例4>使用实施例1中得到的层叠膜A，在层叠膜A的阻隔膜上，使用ZTO(Zn2Sn04、氧化锌锡)作为靶，通过压力梯度型等离子体枪的离子电镀成膜装置(中外炉工业制SUPLaDUO, CVP-4111)在以下成膜条件下形成透明导电膜，得到层叠膜E。另外，作为ZTO靴，使用将氧化锌粉末(高纯度化学研究所制、4N)和氧化锡粉末(高纯度化学研究所制、4N)以锌锡=2 1(摩尔比)的方式进行称量、混合、烧结而制作的烧结体，并将其以成为离子电镀的靶的方式粉碎为粒径3 5mm左右。(成膜条件)放电电力11.2kW基板加热温度180°CAr气体流量20sccm(0°C、l气压基准)O2气体流量0sccm(0°C、l气压基准)成膜压力0.06Pa预放电时间26s成膜时间33s与实施例1同样地测得的透明导电膜的膜厚、层叠膜E的总透光率和雾度、透明导电膜的片状电阻和比电阻及透明导电膜的表面粗糙度分别为100nm、82.3%和0.7%、40 Ω / □和 4. OX KT3Qcm 及 1. 92nm。<比较例>
在实施例1中使用的基材(PEN膜)上，将硅作为靶通过由反应溅射法进行氧化硅的成膜代替实施例1的通过等离子体CVD法而成膜，得到层叠膜F。与实施例1同样地进行氧化硅膜的XPS深度剖析测定，结果可以确认氧化硅膜为含有硅及氧的膜，但不含碳。得到的氧化硅膜的厚度为lOOnm。另外，在得到的层叠膜F中，在温度40°C、低湿度侧的湿度10% RH、高湿度侧的湿度100% RH的条件下的水蒸气透过率为1. 3g/(m2 · day)，与基材的PEN的水蒸气透过率的1. 3g/(m2 · day)相同，未确认到氧化硅膜的阻隔性。使用得到的层叠膜F，在层叠膜F的氧化硅膜上，使用ITO并通过溅射法形成透明导电膜，得到层叠膜G。与实施例1同样地求得的透明导电膜的膜厚为150nm，可见光透射率为79%。得到的层叠膜G缺乏阻隔性，不适合作为有机EL等的可挠性基板。工业上的可利用性根据本发明，可以得到一种以树脂膜作为基板，具有阻隔膜及透明导电膜的层叠膜，并且即使弯曲，阻隔性不容易降低，导电性也不容易降低。
权利要求
1.一种层叠膜的制造方法，其是通过在树脂膜上形成阻隔膜及透明导电膜来制造层叠膜的方法，其特征在干，通过辊间放电等离子体CVD法形成所述阻隔膜。
2.根据权利要求1所述的层叠膜的制造方法，其中，所述树脂膜为聚酯树脂膜或聚烯烃树脂膜。
3.根据权利要求1或2所述的层叠膜的制造方法，其中，所述阻隔膜为含有硅、氧及碳的膜。
4.根据权利要求1 3中任一项所述的层叠膜的制造方法，其中，通过物理气相沉积法来形成所述透明导电膜。
5.根据权利要求4所述的层叠膜的制造方法，其中，所述物理气相沉积法为离子镀法。
6.根据权利要求5所述的层叠膜的制造方法，其中，所述离子镀法为使用压カ梯度型等离子体枪的离子镀法。
7.根据权利要求4所述的层叠膜的制造方法，其中，所述物理气相沉积法为溅射法。
8.根据权利要求1 7中任一项所述的层叠膜的制造方法，其中，所述透明导电膜为含有选自由铜、锡、锌及钛构成的组中的至少ー种元素的膜。
9.根据权利要求1 7中任一项所述的层叠膜的制造方法，其中，所述透明导电膜为选自由氧化铜锡、氧化锌锡、氧化铜锌、氧化铜镓、氧化铜锌锡、氧化铜镓锌、掺铝氧化锌、掺镓氧化锌、掺锑氧化锡、掺氟氧化锡、掺铌氧化钛(ΝΤΟ)、掺钽氧化钛(TTO)及掺钒氧化钛 (VTO)构成的组中的至少ー种氧化物的膜。
10.根据权利要求1 9中任一项所述的层叠膜的制造方法，其中，在所述树脂膜上形成所述阻隔膜后，在所述阻隔膜上形成所述透明导电膜。
11.根据权利要求10所述的层叠膜的制造方法，其中，在所述阻隔膜上直接形成所述透明导电膜。
全文摘要
本发明提供一种可制造即使弯曲阻隔性及导电性也难以降低的层叠膜的方法。在该方法中，通过在树脂膜上形成阻隔膜及透明导电膜来制造层叠膜。阻隔膜的形成通过辊间放电等离子体CVD法来进行。透明导电膜的形成优选通过物理气相沉积法来形成。作为树脂膜，优选使用聚酯树脂膜或聚烯烃树脂膜。
文档编号H01B13/00GK102598158SQ20108004804
公开日2012年7月18日 申请日期2010年10月26日 优先权日2009年10月30日
发明者真田隆, 长谷川彰, 黑田俊也 申请人:住友化学株式会社