专利名称：真空处理装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种真空处理装置，该真空处理装置在配置于真空容器内部的处理室内对半导体晶片等被处理基板进行处理，本发明涉及具有如下的输送容器的结构，该输送容器与真空容器连结、在其内部输送被处理基板。
背景技术：
在上述那样的装置、特别是在下述的真空处理装置中，除了处理的微细化、精密化，还要求提高作为处理对象的晶片的处理效率，所述真空处理装置配置于真空容器内部， 在进行了减压的处理室内对处理对象的试料即半导体晶片等基板状的试料(以下，也称为 “晶片”)进行处理。因此，近年来，正在开发一种多腔(multi-chamber)装置，该多腔装置在一个装置中连结多个真空处理容器，能够在多个处理室中并行地进行晶片的处理的，该多腔装置提高了无尘室的单位设置面积的生产效率。另外，在这样的具备多个处理室或者腔(chamber)而进行处理的装置中，各个处理室或者腔与向其提供电场及磁场的装置、对内部进行排气的排气泵(pump)等排气装置、 调节供给到处理室内部的处理用气体的供给的装置等一起构成各个处理单元(unit)，该处理单元包含输送室(输送腔)，并与输送单元可卡脱地连结，所述输送室(输送腔)能够可减压地调节内部的气体及其压力，并具有用于输送基板的机械手(robot arm)等，所述输送单元在内部输送晶片且暂时地保持该晶片。更具体而言，各处理单元的在内部配置有被减压的处理室或者腔的真空容器的侧壁，可卡脱地与在被减压到相同程度的内部输送处理前或者处理后的晶片的输送单元的真空输送容器的侧壁连接，并且以内部可连通、封闭的方式构成。在这样的构成中，真空处理装置整体的大小主要受到真空输送容器及真空处理容器，或者真空输送室、真空处理室的大小及配置的影响。例如，真空输送室的用于实现必要的动作的大小，也受到邻接连结的输送室或者处理室的个数、配置于内部且输送晶片的输送机械手的个数、其动作所需要的最小半径、晶片直径的大小的影响，并由上述因素而决定。另一方面，真空处理室还受到处理对象即晶片的直径、用于实现必要的压力的处理室内的排气效率、进行晶片处理所需的机器种类的配置的影响。另外，真空输送室及真空处理室的配置，还受到在设置的场所使用者要求的半导体器件等的生产总量、为了实现效率各处理装置所需要的处理室的个数的影响。另外，真空处理装置的各处理容器内的处理气体等气氛，对其它处理容器也有影响，因晶片或者装置的污染，有可能导致装置的维护保养(maintenance)时间增加及产品的成品率降低，为了不在多个处理容器在空间上连通的状态下同时向处理容器内输送晶片，在处理容器和真空输送容器之间设置有阀门(valve)，要求进行不使处理室容器内的气氛接触那样的阀门的开闭控制以及输送室、处理容器的压力控制。作为用于防止因这样的真空处理容器内的气氛而对晶片及装置造成污染的真空处理装置的现有技术，公知有日本特表2007-511104号公报(专利文献1)所公开的技术。
专利文献1 日本特表2007-511104号公报在上述的现有技术中，在各处理室或者输送室内对晶片进行处理或者通过真空输送机械手输送晶片的情况下，通过配置于与其它处理室或者输送室之间的阀门将处理室或者输送晶片的输送室完全分开、使其独立，且以可进行压力控制的方式构成。在现有的技术中，通过采用这样的结构可以防止因来自处理室的气体的流出而对装置或者晶片造成二次污染。但是，在上述现有技术中，对下述问题考虑不足而存在问题。即，没有充分考虑到 真空输送容器经由中间容器而连结，通过优化配置于中间容器的两端位置的阀门的开闭控制使晶片的处理及生产效率达到最佳，且防止对晶片、真空处理容器以及真空输送容器的污染，因而有损于真空处理装置的可靠性，另外还有损于单位设置面积的产量及效率。例如，在真空处理装置具备多个真空处理单元的情况下，特别是在依次对晶片实施这些种类的处理的情况下、或对不同的晶片实施不同的处理的情况下，还有在相对于进行任意的处理的真空处理单元、实施其它处理或者以后的处理的真空处理单元与其它真空输送容器连结而构成的情况下，由与另一方的真空输送容器连结的真空处理单元实施的处理，将会损害由与另一方的真空输送容器连结的真空处理单元实施的处理或真空处理装置中的整个处理的可靠性及再现性，将会降低处理的效率，对于这一点上述现有技术未加以 ^虑ο
发明内容
本发明的目的在于提供一种可靠性高的真空处理装置。上述目的通过如下的真空处理装置来实现，即，该真空处理装置具备在减压后的内部的真空输送室内输送晶片的第一及第二真空输送容器；与这些真空输送容器分别连结并且连通在内部对所述晶片进行处理的处理室和所述真空输送室的第一及第二真空处理容器；在所述第一及第二真空输送容器之间连接配置这些第一及第二真空输送容器，并且在内部能够收纳所述晶片的中间室容器；与所述第一真空输送容器连结并且内部连通的闭锁室；配置于所述第一及第二真空输送容器与所述第一、第二真空处理容器、所述中间室容器及所述闭锁室的每一个之间，并且开放或者气密地密封而关闭它们之间的连通的多个阀门；在开放所述第一真空处理容器的处理室与所述第一真空输送容器的真空输送室之间、 或者第二真空处理容器的处理室与所述第二真空输送容器的真空输送室之间的阀门之前， 将配置于所述第一及第二真空输送容器之间的所述阀门的任一个关闭。另外，还通过如下的真空处理装置来实现，S卩，具有在所述中间室容器内部的所述晶片的收纳室和所述第一及第二真空输送容器的各真空输送室之间、开放或者关闭所述中间室容器内部的所述晶片的收纳室和所述第一及第二真空输送容器的各真空输送室之间的所述阀门，在开放所述第一真空处理容器和所述第一真空输送容器、或者第二真空处理容器和所述第二真空输送容器之间的所述阀门之前，将所述中间室容器的所述两个阀门中的任一个关闭。另外，还通过如下的真空处理装置来实现，S卩，在将所述第一真空处理容器和所述第一真空输送容器或者第二真空处理容器和所述第二真空输送容器之间的所述阀门气密地关闭之后，将关闭的与所述第一或者第二真空输送容器之间的所述阀门开放。
另外，上述目的通过如下的真空处理装置来实现，即，该真空处理装置具备在减压后的内部输送晶片的输送通路；与该输送通路内连结连通、在减压后的内部对所述晶片进行处理的第一及第二真空处理室；将这些真空处理室和所述输送通路之间的连通开放或者气密地密封而关闭的第一及第二阀门；配置于所述输送通路上的第一及第二阀门之间， 将该输送通路开放或者气密地密封而关闭的第三阀门；以在开放所述第一或者第二阀门之前将所述第三阀门气密地关闭的方式发出指令的控制部。另外，上述目的通过如下所述的真空处理装置来实现，S卩，该真空处理装置具备配置于所述输送通路上的所述第三阀门和所述第二阀门之间、将该输送通路开放或者气密地密封而关闭的第四阀门，所述控制器以在开放所述第一或者第二阀门之前将所述第三或者第四阀门的任一个气密地关闭的方式发出指令。另外，上述目的还通过如下所述的真空处理装置来实现，S卩，所述控制器以在将所述第一或者第二阀门气密地关闭后将关闭的所述第三或者第四阀门开放的方式发出指令。
图1是概略地说明本发明的实施例的真空处理装置的整体结构的俯视图；图2是放大表示图1所示的实施例的真空输送室的横剖视图；图3是放大表示图1所示的实施例的真空输送室的横剖视图；图4是放大表示图1所示的实施例的真空输送室的横剖视图。符号说明101 大气侧模块102 真空侧模块103 真空处理单元104 第一真空输送室105 闭锁室106 框体107 盒台108 第一真空输送机械手109 第二真空输送机械手110:大气输送机械手111 第二真空输送室112:真空输送中间室120a、120b、120c、120d、120e、120f、120g 闸门阀121 控制部201、203:第一臂202,204 第二臂
具体实施例方式下面，参照附图详细说明本发明的真空处理装置的实施方式。实施例
参照图1 图4说明本发明的实施例。图1是概略说明本发明的实施例的真空处理装置的整体结构的俯视图。图1所示的本发明的实施方式的含有真空处理室的真空处理装置100，大体上分为大气侧模块101和真空侧模块102。大气侧模块101为在大气压下输送作为真空处理装置100的处理对象的半导体晶片等基板状的试料、并对其进行收纳定位等的部分，真空侧模块102为在从大气压进行了减压的压力下输送晶片等基板状的试料、并在预先确定的配置于真空单元内部的处理室内进行处理的模块。而且，在进行真空侧模块102的上述输送、处理的真空侧模块102的部位和大气侧模块101之间，配置有将它们连结配置且在内部具有试料的状态下使压力在大气压和真空压之间升降的部分。在本实施方式的真空处理装置100中，试料滞留在真空侧模块102中的时间比滞留在大气侧模块101中的时间长。另外，与在配置于真空处理室内的状态下对试料实施处理的时间相比，试料在真空侧模块102及大气侧模块101中被输送的时间长，特别是与在真空侧模块102内输送试料所需要的时间相比，在真空处理室内处理试料的时间较短。在进行这样的真空处理装置 100中的多片或者多套试料的处理的情况下，试料输送所需要的时间决定性地影响到每个单位时间的处理片数。大气侧模块101具有大致长方体形状的框体106，该框体106在内部具备大气输送机械手110，大气侧模块101具备多个盒台107，该多个盒台107安装于该框体106的前面侧，在多个盒台107上载置着盒，该盒收纳着处理用或者清洁用的被处理对象、即半导体晶片等基板状的试料(以下，称为晶片)。框体106的前面侧为面对着如下的通路的部位，在设置有真空处理装置100的无尘室等房屋内，在收纳着未处理或者处理完的试料的状态下借助未图示的输送用机械手等在所述通路上输送盒。即，大气侧模块101配置在真空处理装置100的前方侧，盒台107以面向盒的通路的方式进行配置。真空侧模块102具备第一真空输送室104及第二真空输送室111和一个或者多个闭锁室105，所述第一真空输送室104及第二真空输送室111在减压后的内部中在与真空处理室之间输送作为处理对象的试料，所述闭锁室105配置在与大气侧模块101之间，在内部收纳有在大气侧和真空侧之间进行交接的晶片的状态下，在大气压和真空压之间的压力下进行晶片的交接。本实施例的闭锁室的内部的空间与未图示的旋转泵等真空排气装置的入口连通，通过该真空排气装置的动作可调节到上述压力，并配置有保持部，在上方的保持部能够收纳保持未处理的晶片，在下方的保持部能够收纳保持处理完的晶片，所述保持部在晶片收纳于内部的状态下，以在晶片的面彼此之间在上下方向空开间隙的方式保持多个晶片。本实施例的闭锁室105为能够减压至真空侧模块102内部的真空度，以及可从该真空度升压至框体106内部空间的压力、例如真空处理装置100周围的大气的压力的真空容器，在与框体106或者配置于其后方侧的第一真空输送室104连结的一侧的规定部位，配置有通过内部输送晶片的通路和能够气密地密封的阀门120a、120b，将大气侧和真空侧之间气密地分割，该阀门120a、120b能够将上述通路开放、封闭。另外，在闭锁室105内部的空间中具备能够上下空开间隙地收纳保持多个晶片的收纳部，在收纳这些晶片的状态下， 用阀门120a、120b封闭、气密地进行分割。
第一真空输送室104、第二真空输送室111为各个的平面形状为大致矩形且包含真空容器的单元，它们是具有可看作实质上相同的程度的结构上的差异的两个单元。在这些单元内部具备处理室，该处理室分别在容器内部减压至达到规定的真空度的压力；输送用的机械手，该机械手在各处理室内部将晶片载置在它的臂上的规定位置进行输送。真空输送中间室112为内部能够减压至与其它的真空输送室或者真空处理室同等的真空度的真空容器，将真空输送室相互连结，且连通内部的室。在与真空输送室之间配置有阀门120d、120e，该阀门120d、120e连通内部的室，以开放、切断的方式分割在内侧输送晶片的通路，通过这些阀门120d、120e封闭，将真空输送中间室112和第一真空输送室 104或者第二真空输送室111之间气密地密封，相对于这些室气密地划分真空输送中间室 112内部。另外，在真空输送中间室112内部的室中配置有收纳部，该收纳部以在多个晶片的面与面之间空开间隙的方式载置该多个晶片并水平地进行保持，在第一、第二真空输送室104、111之间交接晶片时，真空输送中间室112具有待机室的功能，S卩，到从晶片暂时收纳于内部的中继室或者真空输送中间室112内向下一个室(真空处理单元内的处理室或者闭锁室10 搬出晶片为止进行待机。即，通过一方的真空输送室内的真空输送机械手 108,109中的任一个搬入并载置于上述收纳部的晶片，通过另一方的真空输送室内的真空输送机械手108、109中的任一个搬出，并将晶片输送到与该真空输送室连结的真空处理单元103A 103C或者闭锁室105内。平面形状为矩形的第一真空输送室104和第二真空输送室111相对，在相当于相对的面处的一个面的、彼此的侧壁之间配置有真空输送中间室112，将两者进行连结。另外， 在其它的至少任意一个面上连接有真空处理单元103A 103C，该真空处理单元103A 103C将内部减压，在其内部输送晶片，对晶片进行处理。在本实施例中，真空处理单元 103A 103C表示含有真空容器而构成的单元整体，包括电场、磁场的产生装置、含有对作为容器内部的减压空间的处理室进行排气的真空泵的排气装置，在内部的处理室中实施蚀刻处理、灰化处理或者其它的施加于半导体晶片的处理。另外，在各真空处理单元103连结有管路，该管路供根据所实施的处理而供给的处理气体流动。在第一真空输送室104能够连结两个真空处理单元，而在本实施例中，连结一个真空处理单元103A。另一方面，第二真空输送室111能够连结三个真空处理单元，而在本实施例中，连结两个真空处理单元10;3B、103C。第一真空输送室104及第二真空输送室111，以与真空排气泵连结进行减压的内部为输送室，在第一真空输送室104中，在其内部空间的中央部配置有第一真空输送机械手108，该第一真空输送机械手108在规定的压力的真空度下、在闭锁室105与真空处理单元或者真空输送中间室112的任一个之间输送晶片。在第二真空输送室111中，也如上所述地在内部的中央部分配置有第二真空输送机械手109，在与真空处理单元、真空输送中间室112的任一个之间进行晶片的输送。在本实施例中，这些真空输送机械手108、109的臂的包含形状、数量、配置、动作的方向的各个结构相同，在此，出于方便考虑而区分为第一真空输送机械手108、第二真空输送机械手109。上述真空输送机械手108、109在其臂上的规定的载置面上载置晶片，在第一真空输送室104中，在配置于真空处理单元的晶片台上与闭锁室105或者真空输送中间室112中的任一个之间进行晶片的搬入、搬出。在这些真空处理单元103A 103C、闭锁室 105、真空输送中间室112、第一真空输送室104及第二真空输送室111的输送室之间设有供晶片通过内侧而进行输送的通路，这些通路分别通过能够气密地关闭、开放的阀门120a 120g而连通和切断。另外，虽然未图示，但是在各真空处理单元103A 103C、第一、第二真空输送室 104,111中，连结有对内部进行排气而减压的涡轮分子泵或者旋转泵等真空排气泵，在各真空处理单元103A 103C、第一、第二真空输送室104、111的内部配置有与真空排气泵的入口连通的排气口。另外，也可以使第一、第二真空输送室104、111分别连结真空排气泵，还可以设置将共用的真空排气泵的入口和各个排气口连通的排气路径而共同地进行排气，通过配置于各路径上的各阀门调节排气的量、排气的通断。另一方面，在本实施例中，在真空输送中间室112中，不经由排气口连结与其它室独立地对内部进行排气的真空排气泵等排气装置，而是经由连通的第一、第二真空输送室 104,111或者各真空处理单元103A 103C内部的处理室或者闭锁室105对其内部进行排气、减压。在本实施例的该结构中，采用如下结构，即，将配置于真空输送中间室112的图中上下方向(真空处理装置100的前后方向)的端部、对在内部输送晶片的通路(闸门)进行开闭的闸门阀120d、120e的任一方开放，对内部进行排气。在本实施例中，载置于大气输送机械手110的臂前端部的晶片支承部上的晶片， 通过配置于晶片支承部的晶片接触面的吸附装置而吸附保持在晶片支承部上，抑制因臂的动作而导致晶片在支承部上产生错位。特别是具备通过从配置于晶片支承部的接触面上的多个开口吸引周围的气体而使压力下降、将晶片吸附于接触面上的结构。另一方面，在第一真空输送机械手108、第二真空输送机械手109载置晶片的臂前端部的晶片支承部，代替不进行基于吸引的吸附，在支承部上配置与晶片相接、抑制错位的凸部、突起或销，抑制因臂的动作而导致晶片的错位。另外，为了抑制这样的错位而控制臂的动作速度，或者速度变化的比率(加速度)，其结果是，在相同距离的晶片输送中，第一真空输送机械手108、第二真空输送机械手109比大气输送机械手110需要更多的时间，真空侧模块102的输送效率比大气侧模块101低。本实施例的这些第一真空输送机械手108、第二真空输送机械手109，分别由通过多个关节部连结的小臂构成，具备可载置晶片且两个能够独立地驱动、进行动作的第一臂、 第二臂。这些第一臂、第二臂与基部连结，该基部能够绕在上下方向(图中的纸面方向)配置于各输送室内的中央部的轴转动，通过旋转驱动、定向并使各臂绕关节旋转、伸长或者收缩，将载置于臂的前端部的晶片，输送到作为目标的真空处理单元103A 103C或者真空输送中间室112、闭锁室105。另外，在相对于目标使两个臂中的一个臂进入、载置一个晶片并收缩后，连续地使载置于另一个臂上的其它晶片进入目标内而进行交接，通过这样的搬入动作，能够相对于目标对两个不同的晶片进行交换动作。另外，构成本实施例的真空处理装置100的上述大气侧模块101、真空侧模块102 的各部分，经由未图示的控制部和通信装置可通信地连结。控制部经由上述通信装置接收来自在这些各个部分之间检测各部分的动作的传感器的输出，并发出通过内部的运算器算出的指示各部分进行动作的信号。控制部具备用于算出上述指令或根据存储于内部的信息选择指令的信息的运算器；存储记录了运算或者各部的动作的程序、数据的存储装置；接收上述信息、信号、来自配置于各部的检测动作的状态的传感器的信号的输入输出用的接口，它们通过通信装置可通信地连结。另外，控制部也可以与在设置有真空处理装置100的无尘室等的房屋内控制收纳有晶片的盒的输送动作的主机通信，通过来自指令动作的主机的信号选择或者设定信号，并向各部发出信号，也可以将接收到的来自真空处理装置100的各部的传感器的上述信号发送到主机。在下面说明的本实施例中表示如下的情况，在真空侧模块102内的输送时间大于大气侧模块101内的输送时间的状态下，减少在经由构成这些模块的真空输送室、中间室、 真空处理室的输送经路上输送晶片的输送时间，从而提高处理效率。另外，表示如下的示例，即，降低在各真空处理单元内处理晶片时所使用的处理气体等的气氛，与流入其它真空处理单元内或者在其它真空处理单元内处理晶片时所使用的处理气体等的气氛接触(以下，称为污染)。另外，在各真空处理单元内对晶片进行处理的时间，与输送这些晶片的时间相同或比该时间短，输送时间对真空处理装置100整体在单位时间内所处理的晶片的片数带来的影响更大，特别是带来支配性的影响。下面，对这样的真空处理装置100中的对晶片进行处理的动作做如下说明。收纳于载置在任一个盒台107上的盒内的多个晶片，在收到来自控制部的指令后，或者在收到来自设置有真空处理装置100的制造流水线的主机等控制装置的指令后， 开始进行该处理。例如，接收到来自控制部的指令的大气输送机械手110，从盒中取出盒内特定的晶片，将取出的晶片输送到闭锁室105。此时，也可以在设置于框体106内部或者与在内部形成有向下流动的输送室连通地配置的定位装置中，对绕晶片的中心的特定的部位的方向进行定位，然后，将晶片输送到闭锁室105。在输送收纳晶片的闭锁室105中，以收纳有输送了的晶片的状态在面向框体106 内部的输送室的一侧，关闭对闭锁室105和框体106内的输送室之间进行开闭的阀门120a。 在该状态下，若将配置于第一真空输送室104侧的端部的阀门120b气密地关闭，则闭锁室 105内部被密闭，并维持该密闭状态减压至规定的压力。在通过上述排气装置对内部进行排气并将其减压至与第一真空输送室104内部的输送室相同的真空度之后，开放配置于闭锁室105的面向第一真空输送室104的一侧的端部并开闭闸门的阀门120b，将闭锁室105和第一真空输送室104内的输送室连通。第一真空输送机械手108绕中心部的轴被旋转驱动规定角度，使其臂的前端部与闭锁室105相对，使一个臂伸展进入到闭锁室105内，将闭锁室105内的晶片接收到该臂前端部的晶片支承部上，并取出到(搬出到)第一真空输送室104内。进而，第一真空输送机械手108将载置于该臂上的晶片，沿着在从盒取出该晶片时由控制部预先指定的输送路径，搬入到与第一真空输送室104连接的真空处理单元103A或者真空输送中间室112中的任一个。例如，输送到真空输送中间室112内的晶片，然后通过配置于第二真空输送室111 的第二真空输送机械手109被从真空输送中间室112搬出到第二真空输送室111，并搬入到上述预先确定的输送径路的目的地、即真空处理单元1(X3B、103C中的任一个。在将晶片输送到作为目标而指定的任一真空处理单元之后，关闭对该真空处理单元和与其连接的第一真空输送室104或者第二真空输送室111之间进行开闭的阀门120c、 120f、120g中的任一个，将该真空处理单元内部的处理室相对于输送室气密地密封。其后，向该处理室内导入处理用的气体并将该处理室内调节成适于处理的压力。从配置于该真空处理单元上部的电场、磁场发生单元向该处理室供给电场或者磁场，通过这些电场或者磁场激发处理用气体、在该处理室内形成等离子体而对晶片进行处理。在本实施例中，对处理晶片的该真空处理单元和连结其的真空输送室之间进行开闭的阀门120c、120f、120g，分别接收来自控制部的指令，以关闭阀门120a 120g中的其它阀门的状态而开放，所述阀门120a 120g能够对包括该真空输送室且连结连通其的空间进行开闭。例如，在将划分真空处理单元10 和连结其的第二真空输送室111之间的阀门 120f开放前，控制部指令阀门120g进行关闭动作或者确认关闭的动作、以不使该真空处理单元10 内的处理室与其它真空处理单元103C内的处理室连通，在对其进行检测或者确认后，控制部指令开放用于密封真空处理单元1(X3B的阀门120f的动作，所述阀门120g对配置于如下的路径上的闸门进行开闭，该路径连通真空处理单元103C的处理室和第二真空输送室111内部、在内部输送晶片。若检测到晶片被搬出到第二真空输送室111内，则在确认关闭真空处理单元 103B、103C和第二真空输送室111之间的阀门120f、120g且气密地密封两者之间后，第二真空输送机械手109向真空输送中间室112内的位置、即晶片保持部上下的任一部位搬入处理完毕的晶片，进行交接。然后，检测第一真空输送室104内部被气密地密封，根据来自控制部的指令开放对第一真空输送室104与真空输送中间室112之间开闭的阀门120d，第一真空输送机械手108将保持于真空输送中间室112内的晶片保持部的处理完的晶片搬出到第一真空输送室104内部，并通过与将该晶片搬入第一真空输送室104内的情况相反的输送路径向闭锁室105内输送晶片。若向闭锁室105输送了处理完的晶片，则开闭连通闭锁室105和第一真空输送室 104的输送室的通路的阀门120b关闭，闭锁室105内的压力与搬入该晶片的场合相反地从形成为与第一真空输送室104内同等的真空度的压力(真空压力)上升至大气压。然后， 若确认压力，则根据来自控制部的指令开放划分框体106的内侧和闭锁室105内部之间的阀门120a，连通闭锁室105的内部和框体106的内部，大气输送机械手110从闭锁室105内部取出处理完的晶片、将其输送到原来的盒并载置到盒内的原来位置而返回。对于收纳于盒内的各晶片的每一个，重复上述动作，S卩，在同样地预先指定的输送路径上从盒中取出晶片并搬入到由控制部或者主机指定的真空处理单元103A 103C中， 在处理完后搬出，使其返回到原来的盒的原来的位置，重复该动作，直到上述预先指定的片数或者收纳在盒内的未处理的晶片处理完。若检测到完成对预先确定的盒的各晶片的处理且晶片返回到处理完的所有的盒，则接收到来自控制部的信号的主机，以进行收纳有未处理的晶片的其它的盒的输送，或者进行收纳于盒台107上的其它盒内的未处理的晶片的处理的方式，向控制部发送指令连续进行处理的动作。或者，若控制部或主机检测出各真空处理单元103A 103C中的至少任一个达到规定的晶片处理片数或者处理的累计时间达到预先确定的值，则从其中的至少一方发出进行该处理单元的维护保养的动作的指令信号，停止用于该处理单元或者真空处理装置100整体的晶片处理的运转、动作而实施保养、检查。 或者，为了告知使用者应实施该保养、检查，也可以在可与控制部通信地设置的监视器等显示装置上告知保养、检查的动作或者是否需要该保养、检查。下面，参照图2 图4更详细地说明上述真空处理装置100的晶片的输送及处理动作。图2是示意性地概略表示图1所示的实施例的真空侧模块的结构的放大图。特别是对第一真空输送室104及第二真空输送室、与其周围连结的真空处理单元103A 103C、闭锁室105、真空输送中间室112的部分进行放大表示的图，大气侧模块101的结构从略。第一真空输送机械手108具备第一臂201及第二臂202，该第一臂201及第二臂 202具备用于将晶片载置于机械手前端部的载置部上面并进行输送的多个小臂、和连结它们而进行驱动的多个关节部。在本实施例中，臂有两个，但是也可以有三个或者四个等多个。第一真空输送机械手108的这些第一、第二臂201、202同时且同方向地进行关于上下方向的旋转方向、上下高度方向的动作，其具备能够通过上述多个关节部各自的不同的驱动使各臂独立地进行伸缩动作的结构。另外，对于各臂的伸缩动作，在一个臂伸长后，能够与开始收缩动作并行地使另一个臂进行伸长动作。另外，这两个臂能够在同一方向上进行这样的动作。通过这样的结构， 在如图2所示的第一、第二真空输送机械手108、109在任一个臂上保持有未处理的晶片的情况下，能够抑制绕基部的轴进行旋转动作地更换保持于任意输送目的地的处理完的晶片和真空输送机械手108、109所保持的未处理的晶片，能够提高晶片的输送效率和能力。下面，参照图2 图4说明将未处理的晶片从闭锁室105经由第一真空输送室104 或者真空输送中间室112及第二真空输送室111输送至与它们连结的任一真空处理单元 103A 103C，在实施处理后将处理完的晶片输送返回到闭锁室105时的真空处理装置100、 特别是真空侧模块120的动作。另外，在此，将与第一真空输送室104连结的真空处理单元称作真空处理室A ；将与第二真空输送室111连接且在使真空处理室A从闭锁室向进深方向偏移的位置与第二真空输送室111连结的真空处理单元称作真空处理室B ；将与第二真空输送室111的侧壁连结的真空处理单元称为真空处理室C，所述第二真空输送室111的侧壁相当于与真空处理室B相对的面处一面。另外，在本实施例中，根据来自控制部的指令使如下的阀门排他性地进行动作，该阀门对连通各真空处理单元和真空输送室内部的输送室之间的闸门进行开闭。特别是对与同一真空输送室连结的多个真空处理单元，在一方的阀门为开状态时，对另一方的真空处理单元的阀门进行调节，使其关闭、形成为气密地密封的状态。另外，在这些图中，对阀门 120a 120g标注X标记的情况表示该阀门为关闭状态，无标记的情况下表示开状态，表示通过开放闸门将两端侧的空间或者室连通。图2表示在将未处理的晶片配置于闭锁室105内的状态下，第一真空输送室104 内的第一真空输送机械手108使第一臂201伸长、使其前端部进入闭锁室105内，在与配置于内部的保持部之间交接晶片的状态。另一方面，在第二真空输送室111内，处于第二真空输送机械手109使第一臂203伸长、其前端部进入真空处理单元10 内，在内部的处理室中交接晶片的状态。在图2中，在第一及第二真空输送室104、111之间，在配置于它们之间的真空输送中间室112的装置的前后方向(图中的上下方向)的前端部配置的阀门120d，将连通真空输送中间室112和第一真空输送室104之间的闸门气密地密封。在这样的状态下，气密地划分图中阀门120d下方的第一真空输送室104侧和上方的第二真空输送室111侧。特别是，在阀门120d关闭的状态下，通过关闭其它阀门120b、c、f、g，将两个真空输送室气密地密封成真空，从真空处理单元103A 103C、闭锁室、其它真空输送室气密地划分，所述其它阀门120b、c、f、g对与第一、第二真空输送室104、111连结的真空处理单元103A 103C和闭锁室105之间的闸门进行开闭。在本实施例中，通过维持关闭阀门120d的状态，真空处理单元103A和真空处理单元10;3B、103C中的任一个，独立地实施处理和动作，抑制被连结的第一、第二真空输送室 104、111之间的闸门的开闭受到另一方的动作的影响。例如，在本图中，在第一、第二真空输送室104、111之间的阀门120d气密地划分成两个模块的状态下，对本实施例的真空处理单元1(X3B和第二真空输送室111之间的闸门进行开闭的阀门120f打开，而与同一真空输送室连结的真空处理单元103C和第二真空输送室111的阀门120g关闭。在该状态下，只连通第二真空输送室111内部和真空处理单元1(X3B内部的处理室。在本实施例中，第一及第二真空输送室104、111内的压力和真空处理单元103A 103C 内部的处理室内的压力，在开放对连通这些装置的闸门进行开闭的阀门120c、120f、120g 中的至少一个之前，以使前者的值大于后者的值的方式根据来自控制部的指令进行调节。 即，在本实施例中，在真空处理单元103A 103C中，作为用于对各自内部的处理室内进行排气的排气装置，与处理室内连通地连接有涡轮分子泵及配置于其排气流的下游侧的旋转泵等粗真空泵。另一方面，在第一及第二真空输送室104、111上连通配置有粗真空泵的入口。通过涡轮分子泵的动作能够将处理室内排气、减压至比粗真空泵更低的压力(高真空度)。另外，配置于这些第一、第二真空输送室104、111周围的阀120b、120c、120f、 120g，在真空输送中间室112的阀门120d、120e为闭的状态下，以在第一、第二真空输送室 104,111之间气密地划分的状态进行调节，以使在各划分的模块中只是配置于各输送室周围的阀中的任一个根据控制部121的指令而开放。由此，在开放上述阀门120c、f、g中的任一个时，可使真空输送室104、111内的气体及粒子向连通的真空处理单元A C内部的处理室移动，相反，可抑制所述气体及粒子从处理室向第一、第二真空输送室104、111侧移动。例如，在图2中，关闭闸门120d，将第一真空输送室104和与其连结的闭锁室105 之间的阀门120b开放，驱动第一真空输送机械手108、在与闭锁室105之间交接晶片。另外，在该状态下，将第二真空输送室111和与其连结的真空处理单元1(X3B之间的阀门120f 开放，驱动第二真空输送机械手109、在与内部的处理室之间进行晶片的交接。特别是，第二真空输送机械手109在第一臂203和第二臂204上分别载置有晶片，进行处理完的晶片和未处理的晶片的交换动作。在本图中，表示从闭锁室105搬出未处理的晶片再将其搬入真空处理单元103A或者B的行程。在该行程中，控制部在未处理的晶片收纳于闭锁室105内的状态下在检测出位于第一真空输送室104周围的阀门120b 120d为关闭的状态之后，发出指令开放阀门 120b。进而，调节第一真空输送机械手108的动作，将晶片接收到第一臂201上并使其收缩，将晶片搬入到输送室内，然后，将阀门120b气密地关闭。其后，与目标的真空处理单元 103AU03B中的任一个相对应地使臂绕基部的轴旋转而与其它阀门120c、120d相对。在目标为真空处理单元103A的情况下，在向朝向阀门120c的规定位置旋转并停止后，打开阀门120c，将晶片搬入该单元内的处理室中。另外，在该处理单元内的处理室中具有处理完的晶片的情况下，首先驱动第二臂，将处理完的晶片从处理室内搬出、将未处理的晶片搬入处理室内，在与处理室内的试料台之间交接未处理的晶片。如上所述，在本实施例中，第一、第二臂201、202或者203、204，能够并行地进行用于向任意目标搬入和搬出晶片的伸缩。另一方面，在目标为真空处理室1(X3B的情况下，第一真空输送机械手108使臂上的晶片旋转至朝向阀门120d的规定位置而停止，并开放阀门120d将第一真空输送室104 和真空输送中间室112连通。此时，控制部在预先划分的第二真空输送室111侧的模块中检测阀门120e 120g是否关闭。若检测出真空处理单元1(X3B、C之间的阀门120f、g被关闭，或者在通过第一真空输送机械手108将晶片搬入真空输送中间室112内期间在上述各处理单元中的处理未结束或者能够维持封闭，则关闭第一真空输送室104侧的模块中的阀门120b、c，因此能够使第一、第二真空输送室104、111及真空输送中间室112内部连通、形成一个气密的区间。于是， 能够将阀门120d开放、在将晶片输送到真空输送中间室112内部期间能够与阀门120e — 同维持开状态。若预测真空处理单元103B、C的处理在由第一真空输送机械手108将未处理的晶片输送到真空输送中间室112内期间结束，将成为可将阀门120f、g的至少一个开放的时刻，则控制部通过关闭阀门120e，在第一、第二真空输送室104、111之间划分真空侧模块 102的内侧。通过气密地关闭阀门120e，即使开放阀门120d也能够抑制这些被划分的两个区段之间的气体从一方作用于另一方，能够降低对各处理单元的处理的影响。由此，能够抑制因各处理单元或被划分的模块间的相互作用而使晶片产生杂质、 引起污染。特别是在与第一、第二真空输送室104、111连结的真空处理单元103A及1(X3B、 C中，在处理条件不同或者并行地处理不同种类的膜结构的情况下，有可能导致一方的处理的生成物或残留物、气体对另一方的处理对象的晶片造成影响，产生所谓的交叉污染、降低处理的成品率及效率。通过上述结构可降低这样的问题的发生。在阀门120e为关闭的状态下，开放阀门120d、将未处理的晶片搬入真空输送中间室112内的上方的保持部的部位进行交接。此时，真空输送中间室112内的气体或粒子可流出到第一真空输送室104，但是由于该真空输送室外周的闸门通过阀门120b、120c而关闭，所以能够抑制因该流出而对其它真空处理单元103A或闭锁室105产生影响。此时，在真空输送中间室112内的保持部的上部位置收纳有处理完的晶片的情况下，可在通过第二臂202将处理完的晶片搬出后，通过第一臂的动作将未处理的晶片收纳于该中间室。进而，第一真空输送机械手108的第一臂201收缩而从真空输送中间室112内退出。而且，根据来自控制部的指令关闭阀门120d。其后，若检测出对第二真空输送室的周围的闸门进行开闭的阀门120f、g关闭，则控制部以维持这些阀门的关闭的状态开放阀门 120e。此时，使真空输送中间室112内的空间与第二真空输送室111内连通。在该状态下，构成通过阀门120d与真空侧模块102的前侧的模块气密地划分的后方的空间。在将阀门120d、e关闭的状态下，在设有用于对内部进行排气的开口且在这些阀门的关闭过程中不从该开口排气的情况下，内部的压力成为与这些阀门的至少任一个关闭前相比同等或者上升的值，因此，通过开放阀门120e而产生从真空输送中间室112朝向第二真空输送室111的流动。此时，第二真空输送室111周围的阀门120f、120g关闭，因此只能对第二真空输送室111内造成影响。另外，未处理的晶片在开放阀门120f时通过第二真空输送机械手109的动作不会开闭阀门120e地被搬出、进行与真空处理单元103内的处理完的晶片的交换。另一方面，在真空处理单元103A 103C中以同等的处理条件对在上表面上配置有同种的膜结构的晶片进行处理的情况下，能够判断为因任一处理单元中的处理而产生的生成物或残留的气体对其它处理单元的影响小。在该情况下，阀门120b、120c、120f、120g 在上述阀门真空输送中间室112的阀门120d、120e为开的状态下维持闭状态。S卩，通过上述阀门120b、c、f、g把将第一、第二真空输送室104、111和真空输送中间室112合在一起的内部的空间，划分成将外周气密地密封的一个空间、室。S卩，将真空输送中间室112和连结其的第一、第二真空输送室104、111之间所配置的阀门120d、e设为开状态，将真空侧模块102侧设置的多个真空处理单元103A 103C的任一个的阀门设为开状态，在朝向闭锁室105搬出晶片的情况下，通过将配置于真空输送中间室112的前后端部的阀门120d、e控制在开状态，能够在通过第二真空输送机械手109将真空处理单元B的处理完的晶片搬出后，迅速搬入到中间室，进行与被第一真空输送机械手搬入的未处理晶片的交换，提高输送效率。图3是示意性地表示在如图1所示的实施例的真空处理装置中开放阀门120d、e 的状态的图，所述阀门120d、e连结配置于真空输送中间室112的图中上下端部，开闭连通第一及第二真空输送室104、111之间的闸门。特别是，表示在上述的真空处理装置100的真空侧模块102中，第一真空输送机械手108的第一臂201伸长、向真空输送中间室112搬入晶片，第二真空输送机械手109伸长第一臂203、从真空输送中间室112搬出其它晶片的状态。在该图中，第一真空输送机械手108的第一臂201和第二真空输送机械手109的第一臂203，分别在与配置于不同高度位置的保持部的保持部位之间交换晶片。如上所述， 将位于第一及第二真空输送室的外周、在内部和真空处理单元103A 103C及闭锁室105 之间进行开闭的阀门120b、c、f、g关闭，将在真空输送中间室112的前后端部进行开闭的阀门120d、e开放，将连结前后两个真空输送室而构成的一个区间保持为气密。在图3中，根据来自控制部的指令，真空处理单元103A、真空处理单元1(X3B及真空处理单元103C中的任一个，也保持将与连结各处理单元的第一及第二真空输送室104、111 之间的各阀门120d、c、f、g关闭密封的状态，使配置于真空输送中间室112的两端和将其连结的真空输送室之间的阀门保持为开状态。即，在将配置于真空处理单元103A 103C(在真空侧模块102侧配备有多个)和将它们连结的输送室之间的阀门关闭，将所有的处理单元都密封的情况下，使配置于真空输送中间室112和将其连结的输送室之间的阀门120d、 e保持为开状态，在进行一方的输送室和另一方的输送室之间的晶片交换时，抑制配置于具备保持部的中间室两端的阀门的开闭，削减输送所需要的时间、提高处理的整体效率。另外，在由控制部或者主机预测到如下情况的场合，S卩，在预测到在经由真空输送中间室112的晶片保持部在前后输送室之间进行上述晶片的交接动作期间，在任一个真空处理单元103A 103C中完成处理、成为这些真空处理单元103A 103C与输送室之间的阀门120c、f、g能够开放的状态，或者对收纳有未处理晶片的闭锁室105进行排气、完成到规定压力为止的减压、成为可开放阀门120b的状态的情况下，根据来自控制部或者主机的指令，将真空输送中间室112的前后端的阀门120d、e中的至少一个关闭。在本实施例中， 将阀门120d关闭，根据需要将阀门120e关闭。例如，在控制部中判断为完成真空处理单元103A的处理并可开放阀门120c的情况下，控制部在将未处理的晶片收纳到真空输送中间室112内后关闭阀门120d，在该阀门的部位气密地划分真空侧模块102的前后部分。其后，通过来自控制部的指令将阀门120c 开放、将真空处理单元103A内的处理完的晶片通过第一真空输送机械手108的一方的臂搬出并将阀门120c关闭。此时，若真空处理单元103A的处理对象即未处理的晶片处于另一方的臂上，则也可与其进行交换。在位于真空处理装置100的前方侧的被划分的空间的模块中，在进行上述动作期间，在包括第二真空输送室111的被划分的后方空间中可并行进行基于第二真空输送机械手109的输送动作。即，可在真空处理单元103B、C任一个中进行处理完的晶片的搬出、或未处理晶片与处理完的晶片的交换。收纳于真空输送中间室112内的晶片，被配置于由阀门120d划分、包括第二真空输送室111的后方的被气密划分的模块，处于等待向作为目标的真空处理单元103B、C或者前方的第一真空输送室104搬出的状态。在真空输送中间室112内收纳有处理完的晶片而待机期间，即使开放阀门120f、g，由于如上所述在真空输送中间室112、第二真空输送室 111以及真空处理单元1(X3B或者C内的处理室的各自的压力方面能够形成差，因而能够抑制产生异物。图4是示意性地表示在将第一真空输送室104侧和第二真空输送室111侧在真空输送中间室112的前后的任一方关闭、作为各模块而气密性地划分的状态下，在各模块中使真空处理单元103A、B进行晶片的输送动作的状态的图。该图表示第一真空输送机械手 108伸长第一臂201、向真空处理单元103A搬入晶片，第二真空输送机械手109使第一臂 203伸长、向真空处理单元10 搬入晶片的状态。如该图所示，在真空处理单元103A和真空处理单元10 开放分别连结的输送室之间的阀门120c、f的状态下，以使真空输送中间室112和第一真空输送室104之间配置的阀门120d保持为闭状态的方式进行控制。即，在与隔着真空输送中间室112被连结的不同的输送室连结的处理单元的内部与输送室内连通、在该处理单元内进行晶片的输送的情况下，控制成配置于如下的中间室的两端的位置的阀门的任一方关闭的状态，所述中间室与连接各处理单元的输送室之间连结。特别是在本实施例中，将前方侧的第一真空输送室104和真空输送中间室112之间的阀门120d维持为关闭状态。在该状态下，维持阀门120e的开放，在后方侧的被划分的模块中，将真空处理单元10 和第二真空输送室111之间的阀门120f开放。其后，控制部发出指令、使第二真空输送机械手109的第二臂204进入内部的处理室，在将处理完的晶片接收到该第二臂204上后，使臂收缩、从处理室退出而搬出晶片。其后，根据来自控制部的指令第二真空输送机械手109使载置未处理的晶片的第一臂203的前端部进入真空处理单元1(X3B内的处理室，在将该晶片交接到内部的处理室内的试料台之后，使臂收缩而退出。进而，第二真空输送机械手109绕基部旋转，使载置有处理完的晶片的第二臂204的前端部与真空输送中间室112相对，然后使第二臂204伸长将晶片搬入交接到真空输送中间室112内的下方的保持部。处理完的晶片在关闭阀门120d的状态下在真空输送中间室112内等待向第一真空输送室104搬出。该期间，并行地进行如下的搬入动作，即，第一真空输送室104内的第一真空输送机械手108使第一臂201伸长，将保持于其前端部的未处理的晶片搬入真空处理单元103A 内的处理室内，并且将该晶片交接到处理室内的试料台上面。在第一臂201收缩退出后，将阀门120c关闭，通过关闭配置于第一真空输送室104周围的阀门120b、c，将第一真空输送室104的内部气密地划分开。在通过控制部检测到闭锁室105内部的减压完成、阀门120b能够开放的情况下， 第一真空输送机械手108被绕基部旋转驱动、使第二臂202面向闭锁室105。然后，开放阀门120b，对第二臂202进行伸长驱动、将处理完的晶片搬入闭锁室105内。若检测到第二臂 202退出则关闭阀门120b，开始进行闭锁室105内部的升压，以便向大气侧搬出。在控制部根据真空处理单元103A的处理动作以及闭锁室105的减压行程的预定信息、判断为可从真空输送中间室112向第一真空输送室104搬出处理完的晶片的情况下， 例如在判定为到搬出动作结束为止，没有达到上述处理动作及减压结束时刻的情况下，指令阀门120e进行关闭。由此，真空输送中间室112内部成为在前后被气密地划分的状态，在维持阀门 120e和阀门120b、c关闭的状态下，进行阀门120d的开放。在开放阀门120d时，真空输送中间室112内的气体流入第一真空输送室104内，而阀门120b、c关闭，因而能够抑制对它们的内部或者内部的晶片的影响。根据来自控制部的指令，第一真空输送机械手108绕基部的轴被旋转驱动，在与真空输送中间室112相向而停止后，对第二臂202进行伸长驱动、从真空输送中间室112内的下方的保持部接受处理完的晶片，然后对第二臂202进行收缩驱动将该晶片搬出到真空输送中间室112外。若检测到第二臂202的收缩结束且完成晶片从真空输送中间室112的取出，则关闭阀门120d，将第一真空输送室104内部气密地划分。其后，若检测到第二真空输送室111周围的阀门120f、g关闭，则边维持该关闭状态边开放阀门120e。在该状态下，通过阀门120d将真空侧模块102气密地划分成前方侧和后方侧的模块，在各划分的区域可并行地实施晶片的处理和输送动作。这样，在本实施例中，在夹持真空输送中间室112而连结的第一、第二真空输送室 104,111之间、经由真空输送中间室112输送晶片的过程中，配置于真空输送中间室112的前后端部、使闸门开闭的阀门120d、e，维持一方关闭另一方开放的状态将晶片搬入到真空输送中间室112内，接着在一端关闭另一方后，开放一方而将晶片搬出，从而将晶片从另一方侧的真空输送室移动到一方的真空输送室。另外，在从前方侧向后方侧的划分的区域输送晶片的情况下，以关闭前方侧的阀门120d的状态在一端关闭后方侧的阀门120e，然后， 开放前方侧的阀门，将晶片从前方侧的区域内搬入真空输送中间室112内。其后，在将前方侧的阀门120d关闭后开放后方侧的阀门120e，将晶片搬出到后方侧的划分的区域，由此输送晶片。另外，在这些动作时，在维持配置于第一、第二真空输送室104、111的外周侧的、 与真空处理单元103A C或者闭锁室105之间的阀门120b、c、f、g的关闭的状态下进行。 另外，在真空处理单元A C内部的各处理室中，在按同等处理条件对具有同一种膜结构的晶片进行处理的情况下，也可以在维持这些阀门的关闭的状态下，维持配置于真空输送中间室112的前后端部的阀门120d、e并列开放的状态，将第一、第二真空输送室104、111及真空输送中间室112连结、作为气密地划分的区域而维持，并且在它们之间输送晶片。
在以上的实施例中，能够抑制随着多个真空处理单元103A C中的任一单元内侧的处理室内的处理而产生的处理气体等气氛，与另一个处理单元内的气氛、内部的部件、或者预定在此进行处理的晶片或处理完的晶片接触，能够抑制产生晶片的异物或污染。另外， 能够降低各真空处理单元、真空输送室、真空输送中间室等真空侧模块的保养、检修的时间及频率，提高处理效率。另外，能够降低输送晶片所需要的时间、提高处理效率。
权利要求
1.一种真空处理装置，其中，具备在减压后的内部的真空输送室内输送晶片的第一及第二真空输送容器； 与这些真空输送容器分别连结并且连通在内部对所述晶片进行处理的处理室和所述真空输送室的第一及第二真空处理容器；在所述第一及第二真空输送容器之间连接配置这些第一及第二真空输送容器，并且在内部能够收纳所述晶片的中间室容器；与所述第一真空输送容器连结并且内部连通的闭锁室；配置于所述第一及第二真空输送容器与所述第一、第二真空处理容器、所述中间室容器及所述闭锁室的每一个之间，并且开放或者气密地密封而关闭它们之间的连通的多个阀门；在开放所述第一真空处理容器的处理室与所述第一真空输送容器的真空输送室之间、 或者第二真空处理容器的处理室与所述第二真空输送容器的真空输送室之间的阀门之前， 将配置于所述第一及第二真空输送容器之间的所述阀门的任一个关闭。
2.如权利要求1所述的真空处理装置，其中，具有在所述中间室容器内部的所述晶片的收纳室和所述第一及第二真空输送容器的各真空输送室之间、开放或者关闭所述中间室容器内部的所述晶片的收纳室和所述第一及第二真空输送容器的各真空输送室之间的所述阀门，在开放所述第一真空处理容器和所述第一真空输送容器、或者第二真空处理容器和所述第二真空输送容器之间的所述阀门之前，将所述中间室容器的所述两个阀门中的任一个关闭。
3.如权利要求1或者2所述的真空处理装置，其中，在将所述第一真空处理容器和所述第一真空输送容器或者第二真空处理容器和所述第二真空输送容器之间的所述阀门气密地关闭之后，将关闭的与所述第一或者第二真空输送容器之间的所述阀门开放。
4.一种真空处理装置，其中，具备在减压后的内部输送晶片的输送通路；与该输送通路内连结连通、在减压后的内部对所述晶片进行处理的第一及第二真空处理室；将这些真空处理室和所述输送通路之间的连通开放或者气密地密封而关闭的第一及第二阀门；配置于所述输送通路上的第一及第二阀门之间，将该输送通路开放或者气密地密封而关闭的第三阀门；以在开放所述第一或者第二阀门之前将所述第三阀门气密地关闭的方式发出指令的控制部。
5.如权利要求4所述的真空处理装置，其中，具备配置于所述输送通路上的所述第三阀门和所述第二阀门之间、将该输送通路开放或者气密地密封而关闭的第四阀门，所述控制器以在开放所述第一或者第二阀门之前将所述第三或者第四阀门的任一个气密地关闭的方式发出指令。
6.如权利要求5所述的真空处理装置，其中，所述控制器以在将所述第一或者第二阀门气密地关闭后将关闭的所述第三或者第四阀门开放的方式发出指令。
7.如权利要求5或者6所述的真空处理装置，其中， 在所述第三及第四阀门之间能够收纳所述晶片。
全文摘要
本发明提供一种可靠性高的真空处理装置，该真空处理装置具备在真空输送室内输送晶片的第一及第二真空输送容器；与这些真空输送容器的分别连结且连通处理室和所述真空输送室的第一及第二真空处理容器；在所述第一及第二真空输送容器之间连结且内部可收纳所述晶片的中间室容器；与所述第一真空输送容器连结且内部连通的闭锁室；配置于所述第一及第二真空输送容器与所述第一、第二真空处理容器、所述中间室容器及所述闭锁室的每一个之间并进行气密开闭的多个阀门，在开放所述第一真空处理容器的处理室和所述第一真空输送容器的真空输送室之间或者第二真空处理容器的处理室和所述第二真空输送容器的真空输送室之间的阀门之前，将配置于所述第一及第二真空输送容器之间的所述阀门的任一个关闭。
文档编号H01L21/677GK102569016SQ201110036139
公开日2012年7月11日 申请日期2011年2月9日 优先权日2010年12月28日
发明者田内勤, 矶村僚一, 近藤英明 申请人:株式会社日立高新技术