专利名称：半导体器件制备过程中光阻的去除方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体器件制备过程中光阻的去除方法。
背景技术：
在半导体器件制备过程中，需要提供光阻(Photo Resistor，PR)，以便在晶片制造时进行离子注入(implant)工艺。离子注入完成后，去除光阻，然后进行后续步骤。请参阅图1，现有技术的半导体器件制备过程中光阻的去除方法包括如下步骤提供一衬底11 ； 在所述衬底11的表面形成栅氧化层(gate oxidation) 12 ；在所述栅氧化层12的表面形成光阻图案13 ；以所述光阻图案13为掩膜向所述衬底11内注入离子，所述衬底11内形成离子注入区14 ；采用等离子体灰化(plasma ashing)的方法清洗所述光阻图案13 ；湿法剥离 (wet strip)所述光阻图案13。然而，在采用等离子体灰化的方式清洗所述光阻图案13的同时，也会对所述栅氧化层12造成破坏，从而影响半导体器件的性能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体器件制备过程中能够避免栅介电层损坏的光阻的去除方法。一种半导体器件制备过程中光阻的去除方法，包括如下步骤提供一衬底；在所述衬底的表面形成栅介电层；在所述栅介电层的表面形成光阻图案；以所述光阻图案为掩膜向所述衬底内注入离子；采用稀释溶剂对所述光阻图案进行清洗；湿法剥离所述光阻图案。上述方法优选的一种技术方案，所述稀释溶剂包括丙二醇甲醚和丙二醇甲醚醋酸酯。上述方法优选的一种技术方案，所述稀释溶剂对所述光阻图案进行清洗的过程在紫外光光阻显影机中进行。上述方法优选的一种技术方案，剥离所述光阻图案后，在所述栅介电层的表面形成多晶硅栅极。上述方法优选的一种技术方案，所述栅介电层为二氧化硅层。上述方法优选的一种技术方案，所述异甲基醚丙二醇和乙酸丙二醇异甲基醚酯的体积比为7 3。上述方法优选的一种技术方案，采用稀释溶剂对所述光阻图案进行清洗的时间长度为1分钟。与现有技术相比，本发明的半导体器件制备过程中光阻的去除方法，在向衬底离子注入后，采用稀释溶剂对光阻图案进行湿法清洗，从而避免传统的等离子体灰化光阻过程中对栅介电层造成的破坏，有利于提高半导体器件的性能。
图1是现有技术的半导体器件制备过程中向衬底离子注入的示意图。图2是本发明的半导体器件制备过程中光阻的去除方法的流程图。
具体实施方式
本发明的半导体器件制备过程中光阻的去除方法，在向衬底离子注入后，采用稀释溶剂(thinner solvent)对光阻图案进行清洗，从而避免因采用等离子体灰化的方式清洗光阻图案而造成的栅介电层的破坏，有利于提高半导体器件的性能。为使本发明的目的、 技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本发明作进一步的详细描述。请参阅图2，图2是本发明的半导体器件制备过程中光阻的去除方法的流程图。本发明的半导体器件制备过程中光阻的去除方法包括如下步骤提供一衬底。所述衬底可以是N型衬底或者P型衬底或者其他任何本领域公知类型的衬底。在所述衬底的表面形成栅介电层。所述栅介电层可以为二氧化硅层或者其他任何本领域公知类型的栅介电层。优选的，在形成所述栅介质层前，可以先对所述衬底进行预清洗(Pre-Clean)。在所述栅介电层的表面形成光阻图案。可以采用现有技术的方法形成所述光阻图案，如光阻涂覆(coating)、微影(Lithography)、显影(Developing)、光刻等步骤，在此不再赘述。以所述光阻图案为掩膜向所述衬底内注入离子。优选的，可以通过向所述衬底内注入离子，改变半导体器件沟道的掺杂浓度，从而达到调整阈值电压的目的。优选的，所述注入的离子可以为硼离子。采用稀释溶剂对所述光阻图案进行湿法清洗。优选的，所述稀释溶剂包括异甲基醚丙二醇(methyl ether propylene glycol)和乙酸丙二醇异甲基醚酯(Acetic propanediol methyl ether ester)，所述异甲基醚丙二醇与所述乙酸丙二醇异甲基醚酯的体积比为7 3。优选的，采用稀释溶剂对所述光阻图案进行湿法清洗的时间为1分钟。该清洗过程可以在紫外光光阻显影机中进行，如在深紫外光光阻显影机(DUV track tool)或者中紫外光光阻显影机(MUV track tool)中进行。所述稀释溶剂也可以为晶边清洗(EBR) 过程中使用的洗边剂。湿法剥离所述光阻图案。该过程可以采用现有技术的光阻剥离方法，在此不再赘述。在所述栅介电层的表面形成多晶硅栅极。优选的，在形成所述多晶硅栅极前，对所述栅介电层表面进行预清洗。与现有技术相比，本发明的半导体器件制备过程中光阻的去除方法，在向衬底离子注入后，采用稀释溶剂对光阻图案进行湿法清洗，从而避免传统的等离子体灰化光阻过程中对栅介电层造成的破坏，有利于提高半导体器件的性能。在不偏离本发明的精神和范围的情况下还可以构成许多有很大差别的实施例。应当理解，除了如所附的权利要求所限定的，本发明并不限于在说明书中所述的具体实施例。
权利要求
1.一种半导体器件制备过程中光阻的去除方法，其特征在于，包括如下步骤提供一衬底；在所述衬底的表面形成栅介电层；在所述栅介电层的表面形成光阻图案；以所述光阻图案为掩膜向所述衬底内注入离子；采用稀释溶剂对所述光阻图案进行清洗；湿法剥离所述光阻图案。
2.如权利要求1所述的半导体器件制备过程中光阻的去除方法，其特征在于，所述稀释溶剂包括异甲基醚丙二醇和乙酸丙二醇异甲基醚酯。
3.如权利要求2所述的半导体器件制备过程中光阻的去除方法，其特征在于，所述异甲基醚丙二醇和乙酸丙二醇异甲基醚酯的体积比为7 3。
4.如权利要求1所述的半导体器件制备过程中光阻的去除方法，其特征在于，采用稀释溶剂对所述光阻图案进行清洗的时间长度为1分钟。
5.如权利要求1所述的半导体器件制备过程中光阻的去除方法，其特征在于，采用稀释溶剂对所述光阻图案进行清洗的过程在紫外光光阻显影机中进行。
6.如权利要求1所述的半导体器件制备过程中光阻的去除方法，其特征在于，剥离所述光阻图案后，在所述栅介电层的表面形成多晶硅栅极。
7.如权利要求1所述的半导体器件制备过程中光阻的去除方法，其特征在于，所述栅介电层为二氧化硅层。
全文摘要
本发明涉及一种半导体器件制备过程中光阻的去除方法，其特征在于，包括如下步骤提供一衬底；在所述衬底的表面形成栅介电层；在所述栅介电层的表面形成光阻图案；以所述光阻图案为掩膜向所述衬底内注入离子；采用稀释溶剂对所述光阻图案进行清洗；湿法剥离所述光阻图案。本发明的光阻的去除方法，能够避免光阻去除过程中对栅介电层造成的破坏，有利于提高半导体器件的性能。
文档编号H01L21/3105GK102254810SQ201110187080
公开日2011年11月23日 申请日期2011年7月5日 优先权日2011年7月5日
发明者倪红松, 孙贤波, 胡学清 申请人:上海宏力半导体制造有限公司