技术总结
描述了一种用于制造光电子器件（100、101、200、201）的方法。首先提供腔体（103）。紧接着，流体基质材料（112）被引入到腔体（103）中。在基质材料（112）中分布有发光材料颗粒（114）。紧接着，半导体芯片（110）被引入到基质材料（112）中。于是，在基质材料（112）中沉积发光材料颗粒（114）。紧接着，使基质材料（112）硬化。在此，产生具有发光材料颗粒（114）的转换层（115）。该转换层（115）被布置在半导体芯片（110）上。
技术研发人员：H.布伦纳;H.耶格尔;M.平德尔;S.普罗伊斯
受保护的技术使用者：奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司
文档号码：201180061770
技术研发日：2011.12.07
技术公布日：2017.04.05