一种存储装置的制作方法

技术特征：
1.一种存储装置，包括：基板；位于所述基板上的源极；位于所述基板上的漏极；位于所述基板上的浮置栅极介电层；位于所述浮置栅极介电层上的浮置栅极，所述浮置栅极包含金属；位于所述浮置栅极上的选择栅极介电层；位于所述选择栅极介电层上的选择栅极，所述选择栅极由局部互连金属形成，所述局部互连金属用以将电流传输至所述选择栅极，所述局部互连金属还形成所述源极的源极接触以及所述漏极的漏极接触；以及穿过所述选择栅极介电层、所述浮置栅极和所述浮置栅极介电层的部分的互连通孔，所述互连通孔用于允许所述局部互连金属连接至所述源极和所述漏极。2.一种存储装置，包括：包含金属的浮置栅极；包含金属的选择栅极；以及设置在所述浮置栅极与所述选择栅极之间的介电层；所述选择栅极由局部互连金属形成，所述局部互连金属用以将电流传输至所述选择栅极，所述局部互连金属还形成源极的源极接触以及漏极的漏极接触，以及穿过所述介电层和所述浮置栅极的部分的互连通孔，所述互连通孔用于允许所述局部互连金属连接至所述源极和所述漏极。3.根据权利要求2所述的装置，还包括所述存储装置的基板。4.根据权利要求3所述的装置，还包括位于所述基板上的浮置栅极介电层。5.根据权利要求3所述的装置，所述介电层为选择栅极介电层。6.一种制造存储装置的方法，包括：在基板中形成源极和漏极；在所述基板上生长浮置栅极氧化物层；通过在所述浮置栅极氧化物层上沉积第一金属层来形成浮置栅极；在所述第一金属层上生长选择栅极氧化物层；通过对所述选择栅极氧化物层、所述第一金属层和所述浮置栅极氧化物层的部分进行蚀刻来制造互连通孔；以及通过在所述选择栅极氧化物层上沉积第二金属层来形成选择栅极，所述选择栅极由局部互连金属形成，所述局部互连金属用以将电流传输至所述选择栅极，所述局部互连金属还形成源极的源极接触以及所述漏极的漏极接触。7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述形成源极和漏极的步骤包括：提供所述基板；在所述基板上热生长场氧化物层；将第一光致抗蚀剂旋涂到所述基板上；将掺杂掩模置于所述基板上的所述光致抗蚀剂的顶上；从所述掺杂掩模的上方将所述第一光致抗蚀剂的一部分曝露于紫外线(UV)辐射；除去所述掺杂掩模；将曝露的第一光致抗蚀剂显影；对所述场氧化物层的部分进行蚀刻；除去任何残留的第一光致抗蚀剂；将掺杂剂材料涂布至经蚀刻的场氧化物层；对涂布的掺杂剂材料应用预沉积工艺；除去过量的掺杂剂材料；以及使残留的掺杂剂材料扩散到所述基板中。8.根据权利要求7所述的方法，其中，所述生长浮置栅极氧化物层的步骤包括：将第二光致抗蚀剂旋涂到经掺杂的基板上；将蚀刻掩模置于经掺杂的基板上的所述第二光致抗蚀剂上；从所述蚀刻掩模的上方将所述第二光致抗蚀剂的一部分曝露于紫外线辐射；除去所述蚀刻掩模；将曝露的第二光致抗蚀剂显影；对所述场氧化物层的一部分进行蚀刻；除去任何过量的第二光致抗蚀剂；以及生长浮置栅极氧化物层。9.一种通过根据权利要求6-8中任一项所述的方法形成的存储装置。