减少正硅酸乙酯炉体中颗粒杂质的方法
【专利摘要】一种减少正硅酸乙酯炉体中颗粒杂质的方法，在晶舟下降到装载区内之后，若正硅酸乙酯炉处于空闲状态，且空闲状态持续了一段时间后，则将晶舟升入炉管，直到下次沉积工序开始之前，晶舟一直呆在炉管内。本发明减少了正硅酸乙酯炉体中的颗粒杂质，延长了炉体的正常运行时间，降低了产品不合格率。
【专利说明】减少正硅酸乙酯炉体中颗粒杂质的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造【技术领域】，尤其涉及一种减少正硅酸乙酯炉体中颗粒杂质的方法。
【背景技术】
[0002]在半导体制造工艺中，会使用正硅酸乙酯炉来完成对晶圆的沉积工序，如图1所示，TEOS正硅酸乙酯气体Si (0C2H5)4和氮气N2通过管路供给到炉管，晶舟在装载区载入若干晶圆，如图2所示，将装载了晶圆的晶舟升入炉管内，TEOS管路供应TEOS气体，开始对晶圆进行沉积工序。沉积工序结束后，TEOS管路停止供应，氮气管路开始供应氮气，对晶圆和晶舟进行清洗，去除晶圆表面和晶舟上残留的TEOS气体。如图1所示，然后晶舟下降到装载区内，等待晶圆冷却，并卸下晶圆。如果暂时没有晶圆要进行沉积工序，则正硅酸乙酯炉处于空闲状态，在这段空闲时间内，晶舟一直呆在装载区内，由于装载区内充满水汽，而晶舟上附着有氮气清洗过程中残留的TEOS气体，则水汽和TEOS气体会发生化学反应，Si (0C2H5) 4+2H20 — Si02+4C2H50H,生成的乙醇气体C2H50H会形成较大的分子来作为颗粒核心,从而形成杂质。随着空闲时间的增加,正硅酸乙酯炉体中生成的颗粒杂质会越来越多，这些杂质会影响后续晶片的沉积工序，增加产品的不合格率。
【发明内容】
[0003]本发明提供一种减少正硅酸乙酯炉体中颗粒杂质的方法，减少了正硅酸乙酯炉体中的颗粒杂质，延长了炉体的正常运行时间，降低了产品不合格率。
[0004]为了达到上述目的，本发明提供一种减少正硅酸乙酯炉体中颗粒杂质的方法，其特征在于，该方法在晶舟下降到装载区内之后开始执行，该方法包含以下步骤:
步骤1、判断是否还要装载晶圆升入炉管进行沉积工序，若是，则按照正常工序装载晶圆升入炉管，进行后续操作，若否，则正硅酸乙酯炉处于空闲状态，进行步骤2;
步骤2、判断空闲时间是否大于3小时，若是，则进行步骤3，若否，则继续等待；
步骤3、晶舟升入炉管；
步骤4、判断是否有晶圆需要升入炉管进行沉积工序，若是，则晶舟下降到装载区内，装载晶圆后，按照正常工序装载晶圆升入炉管，进行后续操作，若否，则晶舟继续呆在炉管内。
[0005]本发明减少了正硅酸乙酯炉体中的颗粒杂质，延长了炉体的正常运行时间，降低了产品不合格率。
【专利附图】
【附图说明】
[0006]图1是晶舟下降到装载区内的结构示意图；
图2是晶舟升入炉管内的结构示意图。
【具体实施方式】[0007]以下详细说明本发明的较佳实施例。
[0008]本发明提供一种减少正硅酸乙酯炉体中颗粒杂质的方法，该方法在晶舟下降到装载区内之后开始执行，该方法包含以下步骤:
步骤1、判断是否还要装载晶圆升入炉管进行沉积工序，若是，则按照正常工序装载晶圆升入炉管，进行后续操作，若否，则正硅酸乙酯炉处于空闲状态，进行步骤2 ;
步骤2、判断空闲时间是否大于3小时，若是，则进行步骤3，若否，则继续等待；
步骤3、晶舟升入炉管；
步骤4、判断是否有晶圆需要升入炉管进行沉积工序，若是，则晶舟下降到装载区内，装载晶圆后，按照正常工序装载晶圆升入炉管，进行后续操作，若否，则晶舟继续呆在炉管内。
[0009]本发明大大减少了空闲时间内晶舟呆在装载区内的时间，也就减少了晶舟与水汽接触的时间，从而减少了水汽和TEOS气体发生化学反应产生的颗粒杂质，延长了炉体的正常运行时间，降低了产品不合格率。
[0010]尽管本发明的内容已经通过上述优选实施例作了详细介绍，但应当认识到上述的描述不应被认为是对本发明的限制。在本领域技术人员阅读了上述内容后，对于本发明的多种修改和替代都将是显而易见的。因此，本发明的保护范围应由所附的权利要求来限定。
【权利要求】
1.一种减少正硅酸乙酯炉体中颗粒杂质的方法，其特征在于，该方法在晶舟下降到装载区内之后开始执行，该方法包含以下步骤: 步骤1、判断是否还要装载晶圆升入炉管进行沉积工序，若是，则按照正常工序装载晶圆升入炉管，进行后续操作，若否，则正硅酸乙酯炉处于空闲状态，进行步骤2; 步骤2、判断空闲时间是否大于3小时，若是，则进行步骤3，若否，则继续等待； 步骤3、晶舟升入炉管； 步骤4、判断是否有晶圆需要升入炉管进行沉积工序，若是，则晶舟下降到装载区内，装载晶圆后，按照正常工序装载晶圆升入炉管，进行后续操作，若否，则晶舟继续呆在炉管内。
【文档编号】H01L21/02GK103839768SQ201210470921
【公开日】2014年6月4日 申请日期:2012年11月20日 优先权日:2012年11月20日
【发明者】潘琦, 张弈顺, 顾武强, 王强 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司