专利名称：透明柔性太阳能发电天窗的制作方法
技术领域：
本实用新型属于太阳能电池板的材料应用技术领域，具体涉及的是一种透明柔性太阳能发电天窗。
背景技术：
尽管非晶硅作为太阳能材料是一种很好的电池材料，但由于其光学带隙为I. 7eV,使得材料本身对太阳辐射光谱的长波区域不敏感，这样一来就限制了非晶硅太阳能电池的转换效率，此外，其光电效率会随着光照时间的延续而衰减，即所谓的光致衰退S-W效应，使得电池性能不稳定，而且其背电极由于采用金属铝膜，完全没有透光功能。
发明内容本实用新型的目的在于克服现有技术存在的不足，提供一种透明柔性太阳能发电天窗。为实现上述目的，本实用新型的技术解决方案是一种透明柔性太阳能发电天窗，包括依次粘合的上层玻璃、柔性电池芯片和下层玻璃，所述柔性电池芯片的下表面镀有一透明导电镀膜层。进一步地，所述透明导电镀膜层采用AZO靶材、GZO靶材、ITO靶材、FTO靶材中的任何一种。进一步地，所述上层玻璃采用半钢化或钢化曲面或平直玻璃。进一步地，所述下层玻璃采用半钢化或钢化曲面或平直玻璃。进一步地，所述上层玻璃、柔性电池芯片和下层玻璃之间采用EVA、PVB、沙林胶中的任何一种粘合。进一步地，所述柔性电池芯片的厚度为O. 1-1. 0mm。进一步地，所述上层玻璃与下层玻璃的厚度均为I. 6-3. 2mm。通过采用上述的技术方案，本实用新型的有益效果是本实用新型在柔性电池片上溅射透明导电镀膜，从而达到柔性太阳能电池板是透明的，电池板可以透光，透光率在850nm时可以达到45%左右，弱光环境，也可以保持有发电功能；该实用新型可以利用太阳光进行发电，发电效率高达5%以上，可对汽车蓄电池进行电能的补充以及需要电源的供给，同时对车内空气净化、降温设备供电。
以下结合附图
对本实用新型技术方案作进一步说明图I为本实用新型的结构示意图。
具体实施方式
如图I所示，本实用新型的透明柔性太阳能发电天窗，包括依次粘合的上层玻璃I、柔性电池芯片2和下层玻璃3，所述上层玻璃I、柔性电池芯片2和下层玻璃3之间采用EVA、PVB、沙林胶中的任何一种粘合，所述柔性电池芯片2的下表面镀有一透明导电镀膜层21，该透明导电镀膜层21采用AZO靶材、GZO靶材、ITO靶材、FTO靶材中的任何一种，该镀膜靶材以磁控溅射的方式镀到柔性电池芯片2的表面，厚度达到3000-8000埃，具有导电效果；ΑΖ0靶材使用最优氧化铝的配比，以增加光的透过率，在透明导电镀膜层21的表面使用导电金属带进行汇流及作为引出线，外接接线盒，所述柔性电池芯片2的厚度为
O.l-ι. 0mm，所述上层玻璃I采用厚度为I. 6-3. 2mm的半钢化或钢化曲面或平直玻璃，下层玻璃3采用厚度为I. 6-3. 2mm的半钢化或钢化曲面或平 直玻璃进行封装。以上所述的，仅为本实用新型的一种较佳实施例而已，不能限定本实用新型实施的范围，凡是依本实用新型申请专利范围所作的均等变化与装饰，皆应仍属于本实用新型涵盖的范围内。
权利要求1.透明柔性太阳能发电天窗，其特征在于包括依次粘合的上层玻璃(I)、柔性电池芯片(2)和下层玻璃(3)，所述柔性电池芯片(2)的下表面镀有一透明导电镀膜层(21)。
2.根据权利要求I所述的透明柔性太阳能发电天窗，其特征在于所述透明导电镀膜层(21)采用AZO靶材、GZO靶材、ITO靶材、FTO靶材中的任何一种。
3.根据权利要求I所述的透明柔性太阳能发电天窗，其特征在于所述上层玻璃(I)采用半钢化或钢化曲面或平直玻璃。
4.根据权利要求I所述的透明柔性太阳能发电天窗，其特征在于所述下层玻璃(3)采用半钢化或钢化曲面或平直玻璃。
5.根据权利要求1-4中任一项所述的透明柔性太阳能发电天窗，其特征在于所述上层玻璃(I)、柔性电池芯片(2)和下层玻璃(3)之间采用EVA、PVB、沙林胶中的任何一种粘合。
6.根据权利要求1-4中任一项所述的透明柔性太阳能发电天窗，其特征在于所述柔性电池芯片(2)的厚度为O. 1-1. 0mm。
7.根据权利要求1-4中任一项所述的透明柔性太阳能发电天窗，其特征在于所述上层玻璃(I)与下层玻璃(3)的厚度均为1.6-3. 2mm。
专利摘要本实用新型涉及的是一种透明柔性太阳能发电天窗，包括依次粘合的上层玻璃、柔性电池芯片和下层玻璃，所述柔性电池芯片的下表面镀有一透明导电镀膜层，所述透明导电镀膜层采用AZO靶材、GZO靶材、ITO靶材、FTO靶材中的任何一种，本实用新型在柔性电池片上溅射透明导电镀膜，溅射透明导电镀膜作为柔性电池片，从而达到柔性太阳能电池板是透明的，电池板可以透光，透光率在850nm时可以达到45%左右，弱光环境，也可以保持有发电功能；该实用新型可以利用太阳光进行发电，发电效率高达5%以上，可对汽车蓄电池进行电能的补充以及需要电源的供给，同时对车内空气净化、降温设备供电。
文档编号H01L31/048GK202450709SQ20122008390
公开日2012年9月26日 申请日期2012年3月8日 优先权日2012年3月8日
发明者叶军, 张茂斌, 张超华, 辛炳奎, 黄家容 申请人:泉州市博泰半导体科技有限公司