芯片缺陷的高精度检测方法和扫描方法与流程

技术特征：
1.一种芯片缺陷的高精度检测方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供一具有若干芯片的待测晶圆，所述芯片上至少包括两种电路特性不同的第一电路区域和第二电路区域；根据所述芯片上的电路特性不同的第一电路区域和第二电路区域的反射特性，分别为所述第一电路区域和所述第二电路区域选择一个光的波段；从所述第一电路区域选择的光的波段中选择一第一入射光源对所述芯片进行第一次检测，再从所述第二电路区域选择的光的波段中选择一第二入射光源对所述芯片进行与所述第一次检测方向相反的检测；所述第一电路区域对所述第一入射光源的反射信号最强，所述第二电路区域对所述第二入射光源的反射信号最强；对两次检测的结果进行整合，得到一个完整的芯片检测结果，所整合成的检测结果能够清晰地反映至少包括两种电路特性不同的功能区域的缺陷状况。2.一种芯片缺陷的扫描方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供一制备有多个芯片的待测晶圆；在所述待测晶圆上选取位于同一直线上的若干芯片，采用第一入射光源对所述同一直线上的若干芯片进行第一次扫描，得到第一缺陷检测结果；采用第二入射光源对所述同一直线上的若干芯片进行第二次扫 描，得到第二缺陷检测结果；对所述第一缺陷检测结果和所述第二缺陷检测结果进行整合，得到完整的缺陷检测结果，所整合成的检测结果能够清晰地反应芯片的缺陷状况；其中，所述第一次扫描与所述第二次扫描的方向相反。3.如权利要求2所述的芯片缺陷的扫描方法，其特征在于，所述芯片中包括第一电路功能区域和第二电路功能区域，所述第一电路功能区域对所述第一入射光源的反射信号最强，所述第二电路功能区域对所述第二入射光源的反射信号最强。4.如权利要求2所述的芯片缺陷的扫描方法，其特征在于，所述第一入射光源的波段为260nm～320nm、350nm～375nm、425nm～450nm中的一种；所述第二入射光源的波段为260nm～320nm、350nm～375nm、425nm～450nm中的一种。5.如权利要求2所述的芯片缺陷的扫描方法，其特征在于，通过设置有高灵敏度的光学检测设备对所述晶圆进行扫描。6.如权利要求2所述的芯片缺陷的扫描方法，其特征在于，所述直线是与所述晶圆的对准标记开口方向垂直的直线。7.如权利要求2所述的芯片缺陷的扫描方法，其特征在于，所述直线为是所述晶圆的对准标记开口方向平行的直线。