金属阻挡层的成膜方法
【专利摘要】本发明公开了一种金属阻挡层的成膜方法，包括步骤：1）在硅片上，进行通孔刻蚀；2）在通孔的侧壁和底部形成第一金属阻挡层，其中，第一金属阻挡层是由作为底层的Ti层和Ti层之上的第一TiN层所构成；3）在第一TiN层表面上，形成第二金属阻挡层，其中，第二金属阻挡层为第二TiN层，该第二TiN层中的氧气含量低于第一TiN层；4）退火处理。本发明能解决现有的通孔填充阻挡层产生空洞的问题，有效的提高产品良率。
【专利说明】金属阻挡层的成膜方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及一种半导体集成电路中的成膜方法，特别是涉及一种金属阻挡层的成膜方法。
【背景技术】
[0002]随着半导体器件向深亚微米尺寸发展，器件的密集程度和复杂程度都不断增加，同时对工艺制程的要求也越来越苛刻。通孔作为多层金属层互联以及器件与外界电路之间连接的通道，在器件构成中起着非常重要的作用。
[0003]现有通孔制作方法中，由于通孔的尺寸越来越小，导致所形成的接触通孔时，形成的阻挡层对衬底的粘附性变差，阻挡层应力变化较大，容易产生空洞，如图1所示。空洞的产生会导致通孔电阻偏高，影响器件性能，最终影响器件的产品良率。
【发明内容】
[0004]本发明要解决的技术问题是提供一种金属阻挡层的成膜方法，解决现有的通孔填充阻挡层产生空洞的问题，有效的提高产品良率。
[0005]为解决上述技术问题，本发明的金属阻挡层的成膜方法，包括步骤:
[0006]I)在硅片上，进行通孔刻蚀；
[0007]2)在通孔的侧壁和底部形成第一金属阻挡层，其中，第一金属阻挡层是由作为底层的Ti层和Ti层之上的第一 TiN层所构成；
[0008]3)在第一 TiN层表面上，形成第二金属阻挡层，其中，第二金属阻挡层为第二 TiN层，该第二 TiN层中的氧气含量低于第一 TiN层；
[0009]4)退火处理。
[0010]所述步骤I)中，刻蚀的方法为干法刻蚀。
[0011]所述步骤2)中，形成第一金属阻挡层的方法包括:采用金属物理溅射成膜的方法形成Ti层后，采用金属化学气相沉积的方法形成第一 TiN层；其中，溅射的温度为100?500°C，溅射的压力为I?1torr ;沉积的温度为200?600°C，沉积的压力为I?1torr ；
[0012]作为底层的Ti层的厚度为500?100nm ;第一 TiN层的厚度为10?200nm。
[0013]所述步骤3)中，形成第二金属阻挡层的方法包括:采用金属化学气相沉积的方法形成第二 TiN层(TiN单层);其中，沉积的温度为200?600°C，沉积的压力为I?1torr ；第二 TiN层的厚度为10?200nm，并且第二 TiN层的厚度大于第一 TiN层。
[0014]所述步骤4)中，退火处理的方法包括:快速热处理方法,其中，快速热处理的条件为:热处理的温度500?800°C，压力500?lOOOtorr，热处理的时间为10?60s。
[0015]本发明中，能解决现有的通孔填充阻挡层产生空洞的技术原理如下:
[0016]I)由于TiN薄膜本身应力大，成膜时会严重影响薄膜与衬底之间的粘结性，而且在TiN成膜时，与底层Ti层会产生Ti3N, Ti3N本身应力较TiN应力大，特别是在通孔边角处，TiN薄膜与底层薄膜粘结性很差，随着成膜应力的增大，薄膜容易产生脱落造成空洞；当有氧气存在时，TiN薄膜成膜时，氧分子会阻碍TiN与底层Ti层形成Ti3N，从而减少了空洞的形成；
[0017]2) Ti为密排六方结构，TiN为面心立方结构，Ti3N四方结构，其中，Ti3N的含量越高，Ti层厚度越小，对应力变化改变越大。然而，本发明中采用的阻挡层金属薄膜材料与衬底材料粘结性好，有效防止薄膜与衬底之间空洞的产生。
[0018]本发明的方法工艺简单高效，可用于通孔阻挡层的制作，并且通过采用多层阻挡层能防止后续的沉积钨工艺对侧壁的腐蚀及化学研磨对表层的伤害，同时能够大大减少阻挡层与基底空洞的产生。另外，通过本发明制作的通孔具有良好的阻挡层金属(barriermetal)台阶覆盖率(step coverage),并且能够满足后续鹤刻蚀阻挡层厚度的要求，同时保证百分百钨填孔率，降低电阻，提高产品良率。
【专利附图】
【附图说明】
[0019]下面结合附图与【具体实施方式】对本发明作进一步详细的说明:
[0020]图la-c是空洞的切片TEM图；
[0021]图2是本发明的工艺流程图；
[0022]图3是刻蚀出通孔后的示意图；
[0023]图4是形成钛层的示意图；
[0024]图5是形成氮化钛层的示意图；
[0025]图6是形成第二阻挡层的示意图；
[0026]图7a_d是本发明通孔切片的TEM图。
[0027]图中附图标记说明如下:
[0028]I为衬底硅，2为氧化层，3为通孔，4为Ti层，5为第一 TiN层，6为第二 TiN层。
【具体实施方式】
[0029]本发明的金属阻挡层的成膜方法，其流程图如图2所示，具体步骤包括:
[0030]I)在硅片上(如衬底硅I的氧化层2)上，采用干法刻蚀进行通孔3刻蚀(如图3所示)；
[0031]2)在通孔3的侧壁和底部形成第一金属阻挡层，其中，第一金属阻挡层是由作为底层的Ti层4和Ti层4之上的第一 TiN层5所构成(如图4-5所示)；
[0032]另外，本步骤中的形成第一金属阻挡层的方法，可如下:
[0033]采用金属物理溅射成膜的方法形成Ti层4后，采用金属化学气相沉积的方法形成第一 TiN层5 ;其中，溅射的温度为100?500°C，溅射的压力为I?1torr ;沉积的温度为200?600°C，沉积的压力为I?1torr ；
[0034]作为底层的Ti层4的厚度为500?100nm ;第一 TiN层5的厚度为10?200nm ；
[0035]3)在第一 TiN层5表面上，采用金属化学气相沉积的方法形成第二金属阻挡层，SP第二 TiN层6 (TiN单层)(如图6所示)，其中，沉积的温度为200?600°C，沉积的压力为I ?1torr ；
[0036]第二 TiN层6的厚度为10?200nm，并且第二 TiN层6的厚度大于第一 TiN层5、第二 TiN层6中的氧气含量低于第一 TiN层5 ;
[0037]4)采用快速热处理方法，进行退火处理。其中，快速热处理的条件为:热处理的温度5OO?800°C，压力500?lOOOtorr，热处理的时间为10?60s。
[0038]按照上述步骤进行，能获得金属阻挡层，且能解决现有的通孔填充阻挡层产生空洞的问题，有效的提高产品良率，如图7所示，改良后的阻挡层能够与底层之间没有空洞出现。
[0039]另外，按照本发明的方法进行通孔制作时，对通孔的台阶覆盖率较好并且能够满足后续钨刻蚀阻挡层厚度的要求，同时也能满足钨填充通孔的填孔率，降低电阻。
【权利要求】
1.一种金属阻挡层的成膜方法，其特征在于，包括步骤: 1)在硅片上，进行通孔刻蚀； 2)在通孔的侧壁和底部形成第一金属阻挡层，其中，第一金属阻挡层是由作为底层的Ti层和Ti层之上的第一 TiN层所构成； 3)在第一TiN层表面上，形成第二金属阻挡层，其中，第二金属阻挡层为第二 TiN层，该第二 TiN层中的氧气含量低于第一 TiN层； 4)退火处理。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤I)中，刻蚀的方法为干法刻蚀。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤2)中，形成第一金属阻挡层的方法包括:采用金属物理溅射成膜的方法形成Ti层后，采用金属化学气相沉积的方法形成第一 TiN 层； 其中，溅射的温度为100?500°C，溅射的压力为I?1torr ;沉积的温度为200?600°C,沉积的压力为I?1torr。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤2)中，作为底层的Ti层的厚度为500?100nm ;第一 TiN层的厚度为10?200nm。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤3)中，形成第二金属阻挡层的方法包括:采用金属化学气相沉积的方法形成第二 TiN层； 其中，沉积的温度为200?600°C，沉积的压力为I?1torr。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤3)中，第二TiN层的厚度为10?200nm,并且第二 TiN层的厚度大于第一 TiN层。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于:所述步骤4)中，退火处理的方法包括:快速热处理方法； 其中，快速热处理的条件为:热处理的温度500?800°C，压力500?lOOOtorr，热处理的时间为10?60s。
【文档编号】H01L21/768GK104299940SQ201310304219
【公开日】2015年1月21日 申请日期:2013年7月19日 优先权日:2013年7月19日
【发明者】刘善善, 费强, 李晓远 申请人:上海华虹宏力半导体制造有限公司