Cmos器件制造方法及cmos器件的制作方法
【专利摘要】本发明提供一种CMOS器件制造方法及CMOS器件。该方法包括：提供半导体衬底；向半导体衬底内注入氧原子，以形成贯穿半导体衬底的埋层，埋层距离半导体衬底的顶面第一距离；在半导体衬底的顶面上形成场氧区，场氧区的两侧分别形成第一有源区和第二有源区，其中第一有源区和第二有源区掺杂类型相反，且场氧区的底面延伸至所述埋层的底面；在第一有源区和第二有源区内分别形成栅极；在所述第一有源区内、且栅极的两侧分别形成第一源极，在第二有源区内、且在栅极两侧分别形成第二源极，第一源极和第二源极的底面位于埋层的上方。本方法制造出的CMOS器件，可避免出现场氧区漏电，且还能防止出现闩锁效应。
【专利说明】0^103器件制造方法及咖03器件
【技术领域】
[0001]本发明涉及半导体制造技术，尤其涉及一种0103制造方法及0103器件。
【背景技术】
[0002]互补型金属氧化物半导体(0311?)1611161117 16仏1 0x1(16 8611110011(11101:01-, 0108)是现代半导体集成电路技术的基础，组成数字集成电路的最基本单元。0103是匪03晶体管和？103晶体管的一种有机组合，构成逻辑器件，其优点在于仅有逻辑状态转换时，才会产生大电流，而在稳定的逻辑状态下，只有极小的电流通过，因此能够大幅减小逻辑电路的功耗。
[0003]图1为现有技术中0103的部分结构示意图；如图1所示，0103中需要通过场氧区10将和匪03隔离开来，由于多晶硅高阻或者？1？电容，或者多晶硅走线等原因，加工和的0103的场氧区上常滞留有多晶硅11，而当在多晶硅11施加电压时，在场氧层10下面就会有漏电，即，场氧区10与~源区12和？漏区13构成一个103管，其中场氧区10即为该顯3管中的栅氧，而漏电现象的存在则会直接影响0103的工作性能。
【发明内容】
[0004]针对现有技术中的上述缺陷，本发明提供一种0103器件制造方法及0103器件，以有效防止制造出(^03发生漏电现象，有效保证了 0103的工作性能。
[0005]本发明提供一种0103器件制造方法，包括:
[0006]提供半导体衬底；
[0007]向所述半导体衬底内注入氧原子，以形成贯穿所述半导体衬底的埋层，所述埋层距离所述半导体衬底的顶面第一距离；
[0008]在所述半导体衬底的顶面上形成场氧区，所述场氧区的两侧分别形成第一有源区和第二有源区，其中所述第一有源区和第二有源区掺杂类型相反，且所述场氧区的底面延伸至所述埋层的底面；
[0009]在所述第一有源区和第二有源区内分别形成栅极，所述栅极与所述场氧区之间具有间隙；
[0010]在所述第一有源区内、且在位于所述第一有源区内的栅极的两侧分别形成第一源极，在所述第二有源区内、且在所述第二有源区内的栅极两侧分别形成第二源极，其中所述第一源极和第二源极的底面位于所述埋层的上方。
[0011]本发明还提供一种0103器件，包括:
[0012]半导体衬底，所述半导体衬底的顶面上形成有场氧区，以及分别位于所述场氧区两侧的第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和第二有源区的掺杂类型相反；所述第一源区内和第二源区内还分别形成有栅极，所述第一源区内还形成有位于栅极两侧的第一源极，所述第二源区内还形成有位于栅极两侧的第二源极，所述半导体衬底内、且距离所述半导体衬底顶面第一距离处还形成有绝缘的埋层，所述场氧区的底面延伸至所述埋层的底面，所述第一源极和第二源极均位于所述埋层上方。
[0013]本发明提供的0103制造方法及0103器件，可以通过埋层的设置最终在半导体衬底中形成一个绝缘层，有效防止场氧区下方出现漏电，该绝缘层的存在还可以避免阱区与衬底结产生寄生的结构，从而避免出现闩锁效应。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]图1为现有技术中0103的部分结构示意图；
[0015]图2为本发明0103器件制造方法实施例一的流程图；
[0016]图3为本发明0103器件制造方法实施例二中形成埋层后的结构示意图；
[0017]图4为本发明0103器件制造方法实施例二中形成垫氧层和保护层后的结构示意图；
[0018]图5为本发明0103器件制造方法实施例二中垫氧层和保护层经光刻、刻蚀后的结构示意图；
[0019]图6为本发明0103器件制造方法实施例二中队？型阱区均形成后的结构示意图；
[0020]图7为本发明0103器件制造方法实施例二中形成场氧区后的结构示意图；
[0021]图8为本发明0103器件制造方法实施例二中形成栅极后的结构示意图；
[0022]图9为本发明0103器件制造方法实施例二中形成第一轻掺杂区后的结构示意图；
[0023]图10为本发明0103器件制造方法实施例二中形成第二轻掺杂区后的结构示意图；
[0024]图11为本发明0103器件制造方法实施例二中在栅极上形成侧墙后的结构示意图；
[0025]图12为本发明0103器件制造方法实施例二形成的0103器件的结构示意图。
【具体实施方式】
[0026]实施例一
[0027]图2为本发明0103器件制造方法实施例一的流程图；如图1所述，本实施例提供一种0103器件制造方法，包括:
[0028]3201、提供半导体衬底；该半导体衬底可以为~型或？型半导体衬底。
[0029]3202、向半导体衬底内注入氧原子，以形成贯穿所述半导体衬底的埋层41(请参照图3),埋层41距离半导体衬底的顶面第一距离。其中，第一距离可以根据需要形成的(:103中的场氧层的深度和源极的深度确定，优选地可以大于或等于源极的深度、且小于场氧层的深度。其中，场氧层的深度是指场氧层的底面距离半导体衬底的顶面的距离，源极的深度是指构成源极的区域的底面距离半导体衬底的顶面的距离。
[0030]需要说明的是，本步骤注入形成的埋层41的材质为氧原子。
[0031]3203、在半导体衬底的顶面上形成场氧区42，场氧区42的两侧分别形成第一有源区和第二有源区，其中第一有源区和第二有源区掺杂类型相反，且场氧区的底面延伸至所述埋层的底面。
[0032]其中，第一有源区可以为？型有源区406、第二有源区可以为?型有源区405 (请参照图7)；当然，第一有源区也可以为~型有源区、第二有源区也可以为？型有源区。而场氧区可以采用本领域中常用的工艺形成；第一有源区和第二有源区也可以通过离子注入等工艺形成。
[0033]3204、在第一有源区和第二有源区内分别形成栅极48，栅极48与场氧区47之间具有间隙(请参照图8 )，这个间隙是为预留给源极的位置。
[0034]3205、在第一有源区406内、且在位于第一有源区406内的栅极48的两侧分别形成第一源极93，在第二有源区405内、且在第二有源区405内的栅极48两侧分别形成第二源极94，其中第一源极93和第二源极94的底面位于埋层的上方，即形成如图12所示的结构。其中，第一源极和第二源极可以通过离子光刻、注入等方式形成；第一源极的掺杂类型与第一有源区相反，第二源极的掺杂类型与第二有源区相反。例如，当第一有源区为？型有源区时，第一源极可以为高浓度磷离子形成的~型，对应地，第二有源区为~型有源区，第二源极则可以为高浓度硼离子形成的？型；这样，才能在一个场氧区47两侧分别形成匪03和？103。
[0035]在上述3202?205工序中的加热工序，可以使上述埋层中氧原子与半导体衬底反应生成具有绝缘性能的氧化物；例如当衬底为？型时，经加热后埋层则由氧原子转换为二氧化硅，具有良好的绝缘性。
[0036]当然，本发明并不限于次，本发明的技术方案涵盖了还可以通过增加单独的加热工序使埋层中的氧转换为具有氧化物。
[0037]本实施例提供的0103制造方法，可以通过埋层的设置最终在半导体衬底中形成一个绝缘层，有效防止场氧区下方出现漏电，该绝缘层的存在还可以避免阱区与衬底结产生寄生的111-11-1)结构，从而避免出现闩锁效应。
[0038]具体地，上述3203中所述的在所述半导体衬底的顶面上形成场氧区，具体可以采用如下流程:
[0039]在半导体衬底的顶面上依次形成垫氧层42和保护层43，保护层覆盖在垫氧层42上(请参照图4)；其中保护层可以为氮化硅层。
[0040]光刻、刻蚀保护层形成第一区块411和第二区块412，第一区块411和第二区块412之间形成场氧区沟槽430 (请参照图5),其中，第一区块411和第二区块412之间间距可相等，以通过第一区块411和第二区块412的相对位置预定位出后续第一有源区和第二有源区的位置。
[0041]在垫氧层下方进行离子注入，以分别对应第一区块和第二区块形成第一阱区和第二阱区；具体可根据需要形成的第一有源区和第二有源区的掺杂类型确定注入离子的种类和浓度，形成掺杂类型相反的第一阱区和第二阱区。
[0042]氧化上述场氧区沟槽，形成场氧区47 (请参照图了)。氧化工艺可以通过通入氧气和水的混合气体、同时配合加热实现，以使半导体衬底与氧气反应生成相应的、具有绝缘性能的氧化物。最后，去除上述第一区块和第二区块，当其采用氮化硅时，可以利用磷酸腐蚀去除。
[0043]由此，便可在半导体衬底的顶面上形成了嵌入到半导体衬底顶面内的场氧区47，相邻的场氧区47之间则为第一有源区406或第二有源区405 ；从整体上看，第一有源区406和第二有源区405交替设置，以使每个场氧区47两侧分别为第一有源区406或第二有源区405，以使场氧区47起到充分隔离作用。
[0044]进一步地，上述3204中在所述第一有源区和第二有源区内分别形成栅极优选可以采用下述流程:
[0045]去除垫氧层42 (请参照图了)。
[0046]在第一有源区、第二有源区及场氧区上生长出栅极氧化层482 (请参照图8),栅极氧化层482可以为二氧化硅。
[0047]在上述栅极氧化层上沉淀形成多晶硅层；
[0048]光刻、刻蚀多晶硅层和栅极氧化层482，以形成栅极48，形成如图8所示的结构。光刻工序可以保证栅极与第一有源区和第二有源区的相对位置，一次形成有利于进一步简化工艺。
[0049]实施例二
[0050]本实施例在将半导体衬底优化为？型半导体衬底，将第一有源区具体为？103区、第二有源区具体为匪03区的基础上对本发明技术方案的详细说明。
[0051]3301、提供一个硅基？型半导体衬底。
[0052]3302、如图3所示，向？型半导体衬底40内注入氧原子，形成贯穿该？型半导体衬底的埋层41，并使埋层41距离半导体衬底的顶面第一距离，其中第一距离可以根据需要制造出的0103的场氧层的深度和源区深度来确定。
[0053]3303、在？型半导体衬底的顶面上氧化形成垫氧层42，并在垫氧侧层42上沉淀出氮化硅最为保护侧层43，保护层43覆盖在垫氧层42上，即形成如图4所示的结构。
[0054]3304、光刻、刻蚀保护层43形成第一区块411和第二区块412，第一区块和第二区块之间形成场氧区沟槽430 (请参照图5)；其中第一区块411和第二区块412用于确定后续形成的有源区和X 108有源区的位置。
[0055]3305、在整个垫氧层下方注入硼离子形成硼离子层405，其中，硼离子的能量可以为60千电子伏特、剂量可以为8213每平方厘米；形成的结构如图5所示；
[0056]3306、将？型半导体衬底顶面对应第二区块的部分表面上涂覆光刻胶(该部分表面包括半导体衬底顶面对应第二区块正下方的部分和其周围区域)；在光刻胶的掩膜作用下，注入硼离子，以在？型半导体衬底顶面的对应第一区块的部分对应的位置(第一区块对应的部分包括半导体衬底顶面对应第一区块正下方的部分和其周围区域，且该第一区块对应的部分和第二区块对应的部分共同构成半导体衬底的顶面)形成？型阱区406，则步骤305形成的、对应第一区块下方的硼离子层405的剩余部分则为~型阱区。其中本步骤注入的硼离子的能量可以为70千电子伏特、剂量可以为7212每平方厘米。形成的结构如6所
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[0057]3307、向上述场氧区沟槽内通入氧气和水的混合气体并加热，以氧化场氧区沟槽附近的硅与氧气反应、形成厚度大约为5400埃米左右的二氧化硅层，再推结深，即形成更厚的场氧区47 (如图7所示兄需要说明的是，场氧区47分隔出的区域即为匪03有源区和？108有源区，当然对于一个0103器件来说，具有多个场氧区47，当然也就具有多个匪03有源区和？103有源区，而匪03有源区和？103有源区交替设置，使得每个场氧区47两旁分别是匪03有源区和？103有源区。
[0058]3308、去除余下的碳化硅层(即第一区块和第二区块),形成如图7所示的结构。
[0059]3309、在垫氧层42 (请参照图7)下注入硼离子以调节阈值；该步骤中硼离子的能量可以为60千电子伏特、剂量可以为2.3213没平方厘米。
[0060]3310、在~型阱区406 (请参照图7)上覆盖光刻胶，并在其掩膜下向？型阱区内进一步注入硼离子。例如，可以分两次注入，第一次注入的鹏离子的能量可以为70千电子伏特、剂量可以为3212每平方厘米；第二次注入的鹏离子的能量可以为180千电子伏特、剂量可以为7212每平方厘米；以防止最终形成的(:103中同一栅极两侧的源极和漏极之间出现短路。
[0061]3311、利用氢氟酸腐蚀去除垫氧层。
[0062]3312、在匪03有源区、？108有源区及场氧区上生长出栅极氧化层482 (请参照图8)0
[0063]3313、在该栅极氧化层上沉淀形成多晶硅层。
[0064]3314、光刻、刻蚀上述栅极氧化层和多晶硅层，以形成凸出于？型半导体衬底顶面的、且分别对应？型有源区4型有源区的栅极48，且各栅极与两侧的场氧区形成间隙；本步骤形成如图8所示的结构。
[0065]3315、对？103有源区和匪03有源区进行轻掺杂离子注入，即注入磷离子，以在栅极的两侧下方形成位于半导体衬底内的第一轻掺杂区91，即形成如图9所示的结构。其中磷离子的能量可以为60千电子伏特、剂量可以为2213每平方厘米。
[0066]3316、形成覆盖？型有源区的第一光刻胶层。
[0067]3317、以第一光刻胶层和栅极为掩膜，对~型有源区进行轻掺杂离子注入，即注入硼离子，以将~型有源区内的栅极两侧的第一轻掺杂区转化为第二轻掺杂区92，即形成如图10所示的结构；具体地，硼离子的能量可以为55千电子伏特、剂量可以为3213每平方厘米。
[0068]3318、去除第一光刻胶层；
[0069]3319、在？型半导体衬底上、且在栅极48的两侧分析形成用于保护栅极的侧墙480(请参照图10。具体地，可以通过氧化栅极中的多晶硅在两侧形成二氧化硅作为侧墙。
[0070]8320、形成覆盖~型有源区的第二光刻胶侧层。
[0071]3321、以第二光刻胶层和栅极为掩膜，对？型有源区进行离子注入，以在第一轻掺杂区内形成匪03源极93，形成如图11所示的结构；而由于侧墙480的遮挡作用，正对应侧墙480下方的第一轻掺杂区依然存在，仅其余部分转换为匪03源极93。
[0072]3322、去除上述第二光刻胶层；
[0073]3323、形成覆盖？型有源区的第三光刻胶层；
[0074]3324、以第三光刻胶层和栅极为掩膜，对~型有源区进行离子注入，以在第二轻掺杂区内形成？103源极94，形成如图12所示的结构。类似地，由于侧墙的遮挡作用，正对应侧墙下方的第二轻掺杂区依然存在，仅其余部分转换为？103源极；正因为紧邻栅极的位置仍为离子浓度较小的第一轻掺杂区和第二轻掺杂区，可以有效地避免出现热载流子效应。
[0075]3325、去除上述第三光刻胶层。
[0076]至此，场氧区一侧的~型源区，以及其内的栅极和？103源极构成X 108管；场氧区另一侧的？型源区，以及其内的栅极和X 103源极够？ 103管。后续，经中间介质层沉淀、光刻、刻蚀形成带有接触孔的介质层，再在介质层上沉淀金属层，热处理后在沉淀形成钝化层，最后光刻、刻蚀形成需要的钝化层即可形成一个完整的0103。
[0077]本实施例提供的0103制造方法，可以通过埋层的设置最终在半导体衬底中形成一个绝缘层，有效防止场氧区下方出现漏电，该绝缘层的存在还可以避免阱区与衬底结产生寄生的结构，从而避免出现闩锁效应；并且，其源极与栅极之间形成的结构还可避免出现热载流子效应，因而，提高了整个0103器件的性能。
[0078]实施例三
[0079]本实施例提供一种0103器件，请参照图12，包括:
[0080]半导体衬底40，半导体衬底40的顶面上形成有场氧区47，以及分别位于场氧区47两侧的第一有源区406和第二有源区405，第一有源区406和第二有源区405的掺杂类型相反；第一源区406内和第二源区405内还分别形成有栅极48，第一源区406内还形成有位于栅极48两侧的第一源极93，第二源区405内还形成有位于栅极48两侧的第二源极94 ；且在半导体衬底40内、且距离半导体衬底顶面第一距离处还形成有绝缘的埋层41，场氧区47的底面延伸至埋层41的底面，第一源极93和第二源极94均位于埋层41上方。
[0081]本实施例提供的(:103器件为按照图2所述方法制造形成的，其功能和技术效果与前述实施例类似，此处不再赘述。
[0082]可选地，当半导体衬底为？型时，埋层47可以为二氧化硅。
[0083]最后应说明的是:以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解:其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。
【权利要求】
1.一种CMOS器件制造方法，其特征在于，包括: 提供半导体衬底； 向所述半导体衬底内注入氧原子，以形成贯穿所述半导体衬底的埋层，所述埋层距离所述半导体衬底的顶面第一距离； 在所述半导体衬底的顶面上形成场氧区，所述场氧区的两侧分别形成第一有源区和第二有源区，其中所述第一有源区和第二有源区掺杂类型相反，且所述场氧区的底面延伸至所述埋层的底面； 在所述第一有源区和第二有源区内分别形成栅极，所述栅极与所述场氧区之间具有间隙； 在所述第一有源区内、且在位于所述第一有源区内的栅极的两侧分别形成第一源极，在所述第二有源区内、且在所述第二有源区内的栅极两侧分别形成第二源极，其中所述第一源极和第二源极的底面位于所述埋层的上方。
2.根据权利要求1所述的CMOS器件制造方法，其特征在于，所述在所述半导体衬底的顶面上形成场氧区，包括: 在所述半导体衬底的顶面上依次形成垫氧层和保护层，所述保护层覆盖在所述垫氧层上； 光刻、刻蚀所述保护层形成第一区块和第二区块，所述第一区块和第二区块之间形成场氧区沟槽； 在所述垫氧层下方进行离子注入，以分别对应第一区块和第二区块形成第一阱区和第二阱区； 氧化所述场氧区沟槽，形成所述场氧区； 去除所述第一区块和第二区块。
3.根据权利要求2所述的CMOS器件制造方法，其特征在于，所述半导体衬底为P型半导体衬底，所述第一有源区为P型有源区，所述第二有源区为N型有源区。
4.根据权利要求3所述的CMOS器件制造方法，其特征在于，所述去除所述第一区块和第二区块之后，还包括: 在所述垫氧层下注入硼离子以调节阈值； 在所述第二区上覆盖光刻胶，以在所述第一有源区内、所述垫氧下方注入硼离子。
5.根据权利要求1所述的CMOS器件制造方法，其特征在于，所述在所述第一有源区和第二有源区内分别形成栅极，包括: 去除所述垫氧层； 在所述第一有源区、第二有源区及场氧区上生长出栅极氧化层； 在所述栅极氧化层上沉淀形成多晶硅层； 光刻、刻蚀所述多晶硅层和栅极氧化层，以形成所述栅极。
6.根据权利要求3或4或5所述的CMOS器件制造方法，其特征在于，所述在所述第一有源区内、且在位于所述第一有源区内的栅极的两侧分别形成第一源极，在所述第二有源区内、且在所述第二有源区内的栅极两侧分别形成第二源极，包括: 对所述第一有源区和第二有源区进行轻掺杂离子注入，以在所述栅极的两侧下方分别形成位于所述半导体衬底内的第一轻掺杂区； 形成覆盖所述第一有源区的第一光刻胶层； 以所述第一光刻胶层和栅极为掩膜，对第二有源区进行轻掺杂离子注入，以将第二有源区内的栅极两侧的第一轻掺杂区转化为第二轻掺杂区； 去除所述第一光刻胶层； 在所述半导体衬底上、且在所述栅极的两侧分析形成用于保护所述栅极的侧墙； 形成覆盖所述第二有源区的第二光刻胶侧层； 以所述第二光刻胶层和栅极为掩膜，对第一有源区进行离子注入，以在所述第一轻掺杂区内形成所述第一源极； 去除所述第二光刻胶层； 形成覆盖所述第一有源区的第三光刻胶层； 以所述第三光刻胶层和栅极为掩膜，对第二有源区进行离子注入，以在所述第二轻掺杂区内形成所述第二源极； 去除所述第三光刻胶层。
7.一种CMOS器件，包括: 半导体衬底，所述半导体衬底的顶面上形成有场氧区，以及分别位于所述场氧区两侧的第一有源区和第二有源区，所述第一有源区和第二有源区的掺杂类型相反；所述第一源区内和第二源区内还分别形成有栅极，所述第一源区内还形成有位于栅极两侧的第一源极，所述第二源区内还形成有位于栅极两侧的第二源极，其特征在于， 所述半导体衬底内、且距离所述半导体衬底顶面第一距离处还形成有绝缘的埋层，所述场氧区的底面延伸至所述埋层的底面，所述第一源极和第二源极均位于所述埋层上方。
8.根据权利要求7所述的CMOS器件，其特征在于， 所述埋层为二氧化硅。
【文档编号】H01L27/092GK104347509SQ201310331727
【公开日】2015年2月11日 申请日期:2013年8月1日 优先权日:2013年8月1日
【发明者】崔金洪 申请人:北大方正集团有限公司, 深圳方正微电子有限公司