一种led芯片高温混酸腐蚀切割道的方法
【专利摘要】本发明公开了一种LED芯片高温混酸腐蚀切割道的方法，首先在将COW成品用丙酮，异丙醇超声清洗干净，同时用清水将去除剩余的化学杂质，然后将COW进行高温烘烤，随后在COW表面沉积高致密性SiO2，接着根据COW表面芯粒之间的切割道，用镭射进行正面切割，同时将浓硫酸和浓磷酸以1：4比例进行混合，并加热至245℃～255℃后，将正划后的COW放置于混酸中进行腐蚀10min后取出，最后用BOE将高温酸腐蚀后的COW表面的SiO2湿法刻蚀干净后，进行劈裂，并按正常LED芯片流程进行作业；本工艺具有操作简单可行，既符合LED芯片的正常工艺流程，又能去除镭射正划COW后产生的吸光产物，从而使COW的芯粒亮度不受到损失。
【专利说明】一种LED芯片高温混酸腐蚀切割道的方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及光电【技术领域】，尤其是一种LED芯片高温混酸腐蚀切割道的方法。
【背景技术】
[0002]随着GaN基宽禁带半导体磊晶技术的重大突破，蓝光和绿光的LED作为节能，环保，高寿命新型节能材料引起了业界的广泛关注。目前传统大功率LED芯片切割时，需用镭射在其表面进行高能量，高深度的烧灼；其切割过程中对芯粒表面的损伤以及烧灼产物，在LED芯片发光时，吸收散射至侧壁的光能；在现有LED芯片制作工艺流程中未能有一种妥善的解决上述切割和吸光的弊端。
[0003]因此，需要一种新的技术方案以解决上述问题。
【发明内容】
[0004]发明目的:为了解决现有技术所产生的问题，本发明提供了一种简单易行，可有效去除镭射正划COW后产生吸光产物的LED芯片高温混酸腐蚀切割道的方法。
[0005]技术方案:为达到上述目的，本发明可采用如下技术方案:
[0006]一种LED芯片高温混酸腐蚀切割道的方法，包括以下步骤:
[0007](I)将COW用丙酮，异丙醇超声清洗lOmin，清水冲洗5min后，旋干，并在烤箱中120°C烘烤 IOmin ；
[0008](2 )在COW表面沉积I μ m的高致密SiO2做为掩膜；
[0009](3)根据COW表面芯粒之间的切割道，用镭射在其表面进行切割，激光光斑的宽度为8 μ m?10 μ m,戈丨」深为35 μ m?40 μ m ;
[0010](4)将浓硫酸和浓磷酸混合均匀后，将混酸加热至特定温度；
[0011](5)将镭射切割后的COW用耐酸性陶瓷提篮放置于混酸中，放置IOmin取出；
[0012](6)用BOE将高温酸腐蚀后的产品表面的SiO2湿法腐蚀干净；
[0013](7)上述成品研磨至100 μ m，背劈后便可以按照正常LED芯片流程作业，直至方片入库。
[0014]更进一步的，所述步骤(4)中浓硫酸和浓磷酸按1:5?1:8的体积比例进行配制。
[0015]更进一步的，所述步骤(4)中加热温度为245°C?255°C。
[0016]有益效果:本发明公开了一种LED芯片高温混酸腐蚀切割道的方法，首先在将COW成品用丙酮，异丙醇超声清洗干净，同时用清水将去除剩余的化学杂质，然后将COW进行高温烘烤，随后在COW表面沉积高致密性SiO2,接着根据COW表面芯粒之间的切割道，用镭射进行正面切割，同时将浓硫酸和浓磷酸以1:4比例进行混合，并加热至245°C?255°C后，将正划后的COW放置于混酸中进行腐蚀IOmin后取出，最后用BOE将高温酸腐蚀后的COW表面的SiO2湿法刻蚀干净后，进行劈裂，并按正常LED芯片流程进行作业；本工艺具有操作简单可行，既符合LED芯片的正常工艺流程，又能去除镭射正划COW后产生的吸光产物，从而使COW的芯粒亮度不受到损失。【具体实施方式】
[0017]下面结合【具体实施方式】，进一步阐明本发明，应理解下述【具体实施方式】仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
[0018]实施例1:
[0019]一种LED芯片高温混酸腐蚀切割道的方法，包括以下步骤:
[0020](I)将COW用丙酮，异丙醇超声清洗lOmin，清水冲洗5min后，旋干，并在烤箱中120°C烘烤 IOmin ；
[0021 ] (2 )在COW表面沉积I μ m的高致密SiO2做为掩膜；
[0022](3)根据COW表面芯粒之间的切割道，用镭射在其表面进行切割，激光光斑的宽度为8 μ m,划深为35 μ m ；
[0023](4)将浓硫酸和浓磷酸按1:5的体积比例进行配制，混合均匀后，将混酸加热至245 0C ；
[0024](5)将镭射切割后的COW用耐酸性陶瓷提篮放置于混酸中，放置IOmin取出；
[0025](6)用BOE将高温酸腐蚀后的产品表面的SiO2湿法腐蚀干净；
[0026](7)上述成品研磨至100 μ m，背劈后便可以按照正常LED芯片流程作业，直至方片入库。
[0027]实施例2:
[0028]一种LED芯片高温混酸腐蚀切割道的方法，包括以下步骤:
[0029](I)将COW用丙酮，异丙醇超声清洗lOmin，清水冲洗5min后，旋干，并在烤箱中120°C烘烤 IOmin ；
[0030](2 )在COW表面沉积I μ m的高致密SiO2做为掩膜；
[0031](3)根据COW表面芯粒之间的切割道，用镭射在其表面进行切割，激光光斑的宽度SlOym,划深为 40 μ m ;
[0032](4)将浓硫酸和浓磷酸按1:8的体积比例进行配制，混合均匀后，将混酸加热至255 0C ；
[0033](5)将镭射切割后的COW用耐酸性陶瓷提篮放置于混酸中，放置IOmin取出；
[0034](6)用BOE将高温酸腐蚀后的产品表面的SiO2湿法腐蚀干净；
[0035](7)上述成品研磨至100 μ m，背劈后便可以按照正常LED芯片流程作业，直至方片入库。
[0036]实施例3:
[0037]一种LED芯片高温混酸腐蚀切割道的方法，包括以下步骤:
[0038](I)将COW用丙酮，异丙醇超声清洗lOmin，清水冲洗5min后，旋干，并在烤箱中120°C烘烤 IOmin ；
[0039](2 )在COW表面沉积I μ m的高致密SiO2做为掩膜；
[0040](3)根据COW表面芯粒之间的切割道，用镭射在其表面进行切割，激光光斑的宽度为8 μ m,划深为38 μ m ；
[0041](4)将浓硫酸和浓磷酸按1:6的体积比例进行配制，混合均匀后，将混酸加热至250 °C ；
[0042](5)将镭射切割后的COW用耐酸性陶瓷提篮放置于混酸中，放置IOmin取出；
[0043](6)用BOE将高温酸腐蚀后的产品表面的SiO2湿法腐蚀干净；
[0044](7)上述成品研磨至100 μ m，背劈后便可以按照正常LED芯片流程作业，直至方片入库。
【权利要求】
1.一种LED芯片高温混酸腐蚀切割道的方法，其特征在于包括以下步骤: (1)将COW用丙酮，异丙醇超声清洗lOmin，清水冲洗5min后，旋干，并在烤箱中120°C烘烤IOmin ； (2)在COW表面沉积Iμ m的高致密SiO2做为掩膜； (3)根据COW表面芯粒之间的切割道，用镭射在其表面进行切割，激光光斑的宽度为8 μ m?IOym,戈丨」深为35 μ m?40 μ m ; (4)将浓硫酸和浓磷酸混合均匀后，将混酸加热至特定温度； (5)将镭射切割后的COW用耐酸性陶瓷提篮放置于混酸中，放置IOmin取出； (6)用BOE将高温酸腐蚀后的产品表面的SiO2湿法腐蚀干净；(7)上述成品研磨至100μ m,背劈后便可以按照正常LED芯片流程作业，直至方片入库。
2.根据权利要求1所述的一种LED芯片高温混酸腐蚀切割道的方法，其特征在于:所述步骤(4)中浓硫酸和浓磷酸按1:5?1:8的体积比例进行配制。
3.根据权利要求1所述的一种LED芯片高温混酸腐蚀切割道的方法，其特征在于:所述步骤(4)中加热温度为245°C?255°C。
【文档编号】H01L33/00GK103474341SQ201310414145
【公开日】2013年12月25日 申请日期:2013年9月12日 优先权日:2013年9月12日
【发明者】郁彬 申请人:昆山奥德鲁自动化技术有限公司