一种多重修整结构的集成电路的制作方法
【专利摘要】一种多重修整结构的集成电路，采用一对集成电路板以及一对背到背的齐纳二极管，一个熔丝环，四个电阻。在它的初始状态，二极管和熔丝环完好，可提供一个特定的电阻值。单独熔断熔丝环产生第二或最高电阻值。短路或击穿，齐纳二极管产生高于标准但低于最高的第三电阻值。短路或击穿，齐纳二极管产生低于标称值的第四电阻值。短路或击穿，齐纳二极管都产生一个第五最低电阻值。因此，可提供五个不同的电阻值仅使用两个集成电路焊盘。如果需要的话，五个电阻值的阶可以适当地选择，以形成线性。此外，电路焊盘可以是一个通用的电源端子，从而只需将一个焊盘添加到该集成电路芯片。两个或更多这样的结构可以通过增加一个额外焊盘来形成。
【专利说明】一种多重修整结构的集成电路
【技术领域】
[0001]本发明广泛涉及使用所谓的齐纳击穿的方法修整单片半导体集成电路(IC)设备。一串连续的电阻器连接到齐纳二极管，从而每个电阻器有一个并联二极管。当一个特定的二极管击穿或短路时，相关的电阻短路且字串值减少了这一数值。通过使用背靠背二极管，IC芯片焊盘的数量减少且通过脉冲的极性以及所使用的焊盘可以确定击穿程度。上述认定的应用涉及一种结构，其中保护了一对正向偏置二极管。它的目的是保护实施本发明中采用的结构。
【背景技术】
[0002]显然，在现有技术的齐纳击穿中，开始的微调电阻是最大的且其随着每个二极管的击穿逐步减少。从微调标称的中档范围电阻值开始提高或降低此值。
【发明内容】
[0003]本发明的一个目的是提供一种集成电路的微调结构，其中最初存在一个标称值且微调可以提高或降低标称值。
[0004]本发明的再一个目的是提供一个简单的集成电路修整结构，其具有一个标称值以及多个较高和较低的值。
[0005]本发明的另一个目的是提供一种集成电路修整结构，其产生了多阶电阻值并仅使用一个单一对的集成电路焊盘来调整阶层。
[0006]本发明还有一个目的是提供一种使用一对芯片焊盘的集成电路修整结构，其具有多阶相等值，其中操作熔丝熔断和齐纳二极管击穿的组合来实现的步骤。本发明的技术解决方案是:这些和其它目的可以通过以下结构来实现。电阻器以其最广泛形式耦合在一对集成电路芯片焊盘和一个并联熔丝环之间且齐纳二极管连接到这些电阻器。原来的或标称的电阻值可以通过组合齐纳击穿和熔丝熔断来提高或降低。在一个优选的实施例中，集成电路芯片焊盘连接在熔丝元件和一对背靠背的齐纳二极管之间。一个星形(或三角形)电阻的两个引脚连接到焊盘且第四电阻从第三个引脚连接到共同的齐纳二极管的端子。该组合第一和第三引脚之间提供了一个标称电阻值。通过熔断熔丝和选择性地击穿两个齐纳二极管改变电阻值，从而给出5个电阻状态。通过合适选择电阻器的值，5个不同的电阻值可以是线性相关。
[0007]如果需要，多个这样的结构可以结合用于修整集成电路。如果标称的或起动电阻值成比例，可以实现粗、微调。两个这样的结构相结合，它们可以共享一个共同的电源接线端焊盘。因此，仅通过将两个焊盘以及适当的部件增加到集成电路，电路可以进行粗、微调从而提供一个25比I的修整参数的精度改进。
[0008]对比专利文献:CN2927322Y集成电路结构200620112554.1。
[0009]【专利附图】
【附图说明】。
[0010]图1是本发明的基本结构的原理图。[0011]图2是本发明的优选结构的原理图。
[0012]图3是图2中结构的另一种实施例的原理图。
[0013]图4是本发明的一个实施例的原理图，其使用图2的一对结构多样的组合成一个共同的集成电路焊盘。
[0014]图5是本发明使用图2的一对结构以及集成电路的现有焊盘进行装配修整的另一实施例。
[0015]图6是本发明以一个场效应晶体管的输入集成电路和装配修整形式的替代品。
[0016]图7是本发明使用现有的修整焊盘在完成组装后的集成电路中对输入级的电流进行修整的另一实施例。
[0017]【具体实施方式】。
[0018]图1显示出本发明的基本概念。集成电路芯片的焊盘10和11耦合到电路进行修整，这可能是一个电阻网络进行修整的一部分。如图电路所示，完整的熔丝环9将电阻2R短路以至于整体的电阻为R。它是只需要在电阻R两端小于几百毫伏的电压工作，所以二极管8将不会正向导通。二极管反向偏置条件仅需不超过齐纳电压。如果熔丝环9的电流额定值超过齐纳二极管8且一个齐纳击穿电流在焊盘10和11之间通过，其将流过短路的二极管8，因此降低整体电阻值直至为O。在齐纳二极管短路后，熔丝熔断电流可以在焊盘10和11之间通过。这将焊盘10和11之间的电阻值提高到2R。因此，原有的或标称的R电阻值可以选择性地提高到2R或降低到零。可以实现作为以前额外电阻水平的一种替代方法。如果发现需要修整高电阻值，熔丝元件9可以熔断从而首先实现焊盘10和11之间的3R值。在事件中做到这一点，没有进一步的修整。在这个替代方案中，它仅需要在二极管8正向偏置时，可以运送足够的电流熔断熔丝9。
[0019]在图2中，集成电路芯片的焊盘10和11耦合到熔丝环12和背靠背的齐纳二极管13和14。熔丝环12可以是传统的众所周知的集成电路品种，其使用铝金属化或沉积其他材料的组合。虽然未示出，但是应当认识到焊盘10和11可以探针接触且对施加的电流脉冲进行编程。例如，如果施加的电流脉冲具有低于齐纳二极管的击穿电压(典型地约为7伏)的最大值电压，熔丝环12可以选择性地熔断。然后，如果一个典型的30伏的脉冲仅限于应用约I安培，二极管13和14可以选择性地击穿，这取决于脉冲的极性。由于齐纳击穿修整和熔丝环熔断在现有技术中是众所周知的，这里就不进一步详述它们。
[0020]电阻器15-18在线19和20之间将提供不同电阻值，其连接到进行修整的电路。
[0021]在其原来的状态下，熔丝环12是完整的且将焊盘10和11 一并短路，可以看出电阻器18与并联组合的电阻器16和17串联。下表显示了作为修整状态下一个函数的电阻公式。
[0022]表一
【权利要求】
1.一种多重修整结构的集成电路，其特征是:一种用在半导体集成电路中的多重修整结构具有一个标称输出的电阻值，其中微调操作可以提高或降低所述标称输出值，所述的结构包括:多个键合焊盘；电阻元件网络耦合在一对键合焊盘之间，所述网络呈现一个微调输出电阻值，该值可以通过修整来改变；齐纳二极管装置和熔丝元件的组合装置耦合在所述一对键合焊盘之间并耦合到所述电阻元件网络，由此所选电阻元件可以调用；用于将电流脉冲耦合到所述一对键合焊盘的装置，由此所选熔丝元件可以熔断从而在所述网络一部分两端移除一个短电路，从而提高所述输出电阻；用于将电流脉冲耦合到一对键合焊盘的装置，由此所选的齐纳二极管可击穿，以便在所述网络的一部分两端增加一个短电路，从而降低所述输出电阻。
2.根据权利要求1所述的一种多重修整结构的集成电路，其特征是:其中的一对键合焊盘之间串联耦合了第一和第二电阻，所述第一电阻器与熔丝元件并联耦合，所述第二电阻器与一个齐纳二极管并联耦合；键合焊盘位于所述集成电路上并且可供来修整半导体晶片形式中的电路。
3.根据权利要求1所述的一种多重修整结构的集成电路，其特征是:所述键合焊盘连接到已完成的集成电路封装的弓I脚修整组装后的电路。
4.根据权利要求1所述的一种多重修整结构的集成电路，其特征是:半导体集成电路器件的可微调的电阻结构具有多个键合焊盘，所述结构包括:第一和第二键合焊盘；连接在所述第一和第二焊盘之间的熔丝环；背靠背串联耦合配置在所述第一和第二焊盘之间的第一和第二齐纳二极管；一起耦合在一个三端网络配置中的第一、第二和第三电阻器，其中的第一端子耦合到所述第一焊盘，其中的第二端子耦合到所述第二焊盘；第四电阻器的一端耦合到第一和第二齐纳二极管之间的共同接头且另一端耦合到所述三端网络的第三端，所述网络的第二和第三端子之间的电阻可以通过结合熔断熔丝环和使齐纳二极管短路来升高或降低。
5.根据权利要求4所述的一种多重修整结构的集成电路，其特征是:所述第一、第二和第三电阻形成一个星形网络或形成一个三角形网络。
6.根据权利要求4所述的一种多重修整结构的集成电路，其特征是:所选第一、第二、第三和第四电阻值产生随所述熔断熔丝环和使齐纳二极管短路的一个函数线性递增的电阻值。
7.根据权利要求4所述的一种多重修整结构的集成电路，其特征是:所述结构还包括:第三键合焊盘；在第二和第三焊盘之间背靠背串联耦合配置的第三和第四齐纳二极管，一起耦合形成一个镜像的第一、第二、第三和第四电阻器的第五、第六、第七和第八电阻器，从而形成两个独立的具有一个共同焊盘的可微调的电阻结构。
8.根据权利要求7所述的一种多重修整结构的集成电路，其特征是:在已完成封装的集成电路中的引脚处可以提供第一、第二和第三键合焊盘。
【文档编号】H01L23/525GK103531575SQ201310500959
【公开日】2014年1月22日 申请日期:2013年10月23日 优先权日:2013年10月23日
【发明者】不公告发明人 申请人:苏州贝克微电子有限公司