一种局部镀银的引线框架的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种局部镀银的引线框架，由多个引线框单元单排组成，引线框单元之间通过连接筋连接，引线框单元包括基体和引线脚，基体和引线脚连接处打弯，引线脚设有三只，左引线脚和右引线脚端部分别设有键合区，键合区表面设有镀银层，引线框单元的宽度为11.405±0.015mm，基体厚度为1.3±0.02mm，引线脚厚度为0.5±0.01mm，基体设有散热孔，散热孔直径为3.6±0.02mm，引线框单元设有定位孔，定位孔直径为1.5±0.02mm，该引线框架在左引线脚和右引线脚的键合区分别镀银，提高了引线脚的导热、导电性能，易于焊接，同时使其具备了抗腐化的功能。
【专利说明】一种局部镀银的引线框架
【技术领域】
[0001]本发明涉及到一种引线框架。
【背景技术】
[0002]引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。目前，更多的企业要求引线框架局部镀银，因为镀银层有很好的导热、导电和焊接性能，同时也具备防腐化的作用。
【发明内容】
[0003]本发明要解决的技术问题是提供一种局部镀银的引线框架。
[0004]为了解决上述技术问题，本发明提供了一种局部镀银的引线框架，由多个引线框单元单排组成，所述引线框单元之间通过连接筋连接，所述引线框单元包括基体和引线脚，所述基体和引线脚连接处打弯，所述引线脚设有三只，左引线脚和右引线脚端部分别设有键合区，键合区表面设有镀银层。
[0005]作为本发明的进一步改进，所述引线框单元的宽度为11.405±0.015mm，基体厚度为 1.3±0.02mm，引线脚厚度为 0.5±0.01mm。
[0006]作为本发明的进一步改进，所述基体设有散热孔，散热孔直径为3.6±0.02mm。
[0007]作为本发明的进一步改进，所述引线框单元设有定位孔，定位孔直径为
1.5±0.02mm。
[0008]采用上述结构，其有益效果在于:该引线框架在左引线脚和右引线脚的键合区分别镀银，提高了引线脚的导热、导电性能，易于焊接，同时使其具备了抗腐化的功能。
【专利附图】
【附图说明】
[0009]图1为本发明局部镀银的引线框架的结构示意图。
[0010]图中:1_引线框单元，2-基体，3-引线脚，4-键合区，5-镀银层，6-散热孔，7-定位孔。
【具体实施方式】
[0011 ] 下面结合附图对本发明做进一步详细的说明。
[0012]如图1所示，一种局部镀银的引线框架，由多个引线框单元I单排组成，所述引线框单元I之间通过连接筋连接，所述引线框单元I包括基体2和引线脚3，所述基体2和引线脚3连接处打弯，所述引线脚3设有三只，左引线脚和右引线脚端部分别设有键合区4，键合区4表面设有镀银层5，所述引线框单元I的宽度为11.405±0.015mm，基体2厚度为1.3±0.02mm，引线脚3厚度为0.5 ±0.01mm，所述基体I设有散热孔6，散热孔6直径为3.6±0.02mm，所述引线框单元I设有定位孔7，定位孔7直径为1.5±0.02mm。
[0013]该引线框架在左引线脚和右引线脚的键合区4分别镀银，提高了引线脚的导热、导电性能，易于焊接，同时使其具备了抗腐化的功能。
[0014]任何采用与本发明相类似的技术特征所设计的引线框架将落入本发明的保护范围之内。
【权利要求】
1.一种局部镀银的引线框架，由多个引线框单元(I)单排组成，所述引线框单元(I)之间通过连接筋连接，所述引线框单元(I)包括基体(2)和引线脚(3)，所述基体(2)和引线脚(3)连接处打弯，其特征在于:所述引线脚(3)设有三只，左引线脚和右引线脚端部分别设有键合区(4)，键合区(4)表面设有镀银层(5)。
2.根据权利要求1所述的一种局部镀银的引线框架，其特征在于:所述引线框单元(I)的宽度为11.405±0.015mm，基体(2)厚度为1.3±0.02mm，引线脚(3)厚度为0.5±0.0lmm0
3.根据权利要求1所述的一种局部镀银的引线框架，其特征在于:所述基体(I)设有散热孔(6)，散热孔(6)直径为3.6 + 0.02mm。
4.根据权利要求1所述的一种局部镀银的引线框架，其特征在于:所述引线框单元(I)设有定位孔(7),定位孔(7)直径为1.5±0.02mm。
【文档编号】H01L23/495GK104051403SQ201410311389
【公开日】2014年9月17日 申请日期:2014年7月2日 优先权日:2014年7月2日
【发明者】沈健 申请人:沈健