利用投影图案化的具有嵌入式管芯的基板的制造及相关联的封装配置的制作方法
【专利摘要】本申请公开了利用投影图案化的具有嵌入式管芯的基板的制造及相关联的封装配置。本公开的实施例针对用于在制造具有嵌入式管芯的电子基板中使用投影图案化的技术和配置。在一个实施例中，方法可包括提供嵌入在基板的介电材料中的管芯，以及将激光束投影通过具有预配置的图案的掩模以根据预配置的图案在介电材料的表面上产生经投影的掩模图案。经投影的掩模图案可包括设置在管芯上的通孔。可描述和/或要求保护其它的实施例。
【专利说明】利用投影图案化的具有嵌入式管芯的基板的制造及相关联的封装配置
【技术领域】
[0001]本公开的实施例一般涉及集成电路的领域，并且更具体地涉及用于利用投影图案化制造集成电路组件中的具有嵌入式管芯的基板的技术和配置。
【背景技术】
[0002]为了克服多芯片封装(MCP)中的逻辑到逻辑和/或逻辑到存储器通信之间的带宽限制，嵌入式桥管芯(bridge die)(诸如,娃桥(silicon bridges))已经作为工具来实现这种高密度管芯到管芯互连。从逻辑或存储器管芯到封装的封装连接可利用到嵌入式桥接管芯的基于微通孔的互连。高带宽存储器(HBM)管芯和/或管芯堆叠(例如，55 μ m间距的电子设备工程联合委员会(JEDEC)的标准)的更精细的间距推动了对用于CPU到存储器管芯连接的最小受控塌陷芯片连接(C4)互连间距的严格的高密度互连(HDI)封装基板设计规则要求。
[0003]目前，激光钻孔可用于制造基于微通孔的互连。例如，激光钻孔可利用电流镜(Galvano mirrors)来将CO2激光束定位到所需位置以执行微通孔钻孔。然而,使用目前的技术来提供用于未来的计算设备的更细间距可能是有挑战的。例如，目前的激光钻孔技术可能仍不能实现55 μ m或以下的通孔间距。
[0004]附图简述
[0005]通过结合附图的以下详细描述将容易理解多个实施例。为了便于该描述，相同的附图标记指示相同结构的元件。在附图的多个图中通过示例而非作为限制地说明多个实施例。
[0006]图1示意性地示出了根据一些实施例的具有电子基板的示例集成电路(IC)组件的截面侧视图，其中，该电子基板具有嵌入式管芯。
[0007]图2示意性地示出了根据一些实施例的用于制造具有嵌入式管芯的电子基板的激光投影图案化系统的示例机器配置。
[0008]图3示意性地示出了根据一些实施例的具有平行于图2中的图案掩模的平面的虚构切割平面的多个截面图。
[0009]图4示意性地示出了根据一些实施例的在制造具有嵌入式管芯的电子基板中使用投影图案的封装基板制造过程的流程图。
[0010]图5示意性地示出了根据一些实施例的结合图4中所示的封装基板制造过程的一些所选择的操作的截面图。
[0011]图6延续图5，示意性地示出了根据一些实施例的结合图4中所示的封装基板制造过程的一些所选择的操作的截面图。
[0012]图7示意性地示出了根据一些实施例的结合图4中所示的封装基板制造过程的又一些所选择的操作的截面图。
[0013]图8延续图7，示意性地示出了根据一些实施例的结合图4中所示的封装基板制造过程的一些所选择的操作的截面图。
[0014]图9示意性地示出了根据一些实施例的利用投影图案化制造的一些所选择微通孔的截面图。
[0015]图10示意性地示出了根据一些实施例的包括如本文所描述的嵌入式管芯的电子基板的计算设备。
[0016]详细描述
[0017]本公开的实施例描述了用于在制造集成电路组件中的具有嵌入式管芯的电子基板中使用投影图案化的技术和配置。例如，本文所描述的技术可用于制造包括高密度互连(HDI)路由的电子基板以利用嵌入式管芯(例如，桥)提供用于安装在基板上的管芯之间的通信的更高的带宽。在以下描述中，将使用本领域技术人员所通常使用的术语来描述示例性实现的各个方面，以向其他本领域技术人员传达它们的工作的实质。然而，对本领域技术人员将显而易见的是，仅采用所描述方面中的一些也可实施本公开的实施例。为了说明的目的，陈述具体的数字、材料和配置以提供对示例性实现的全面理解。然而，本领域技术人员将可理解，没有这些特定细节也可实施本公开的实施例。在其他实例中，省略或简化已知特征以不模糊示例性实现。
[0018]在以下详细描述中，参照形成本说明书的一部分的附图，其中在全部附图中相同的标记指示相同的部件，并且在附图中以可实施本发明的主题的示例实施例的方式显示。将理解，可利用其它实施例，且可做出结构上或逻辑上的改变，而不偏离本公开的范围。因此，以下详细描述不应按照限制性意义来理解，且多个实施例的范围由所附权利要求及其等价方案来限定。
[0019]为了本公开的目的，短语“A和/或B”表示⑷、⑶或(A和B)。为了本公开的目的，短语 “A、B 和 / 或 C，，表示(A)、(B)、(C)、(A 和 B)、(A 和 C)、(B 和 C)或(A、B 和 C)。
[0020]说明书可使用基于视角的描述，诸如顶部/底部、内/外、上/下等等。这种描述仅用于便于讨论并且不旨在将本文所描述的实施例的应用限制在任何特定方向。
[0021 ] 说明书可使用短语“在实施例中”或“在多个实施例中”或“在一些实施例中”，它们均可表示相同或不同实施例中的一个或多个。此外，有关本公开的多个实施例使用的术语“包括”、“包含”、“具有”等等是同义的。
[0022]本文可使用术语“与……耦合”及其派生词。“耦合”可表示以下一个或多个。“耦合”可表示两个或多个元件直接物理或电气接触。然而，“耦合”还可表示两个或多个元件彼此间接接触，但仍彼此协作或交互，以及可表示一个或多个其他元件被耦合或连接在所述将彼此耦合的元件之间。术语“直接耦合”可表示两个或多个元件直接接触。
[0023]在各个实施例中，短语“在第二特征上形成、沉积或以其他方式设置第一特征”可表示第一特征被形成、沉积、或设置在第二特征之上，并且第一特征的至少一部分可与第二特征的至少一部分直接接触(例如，直接物理和/或电接触)或间接接触(在第一特征和第二特征之间具有一个或多个其他特征)。
[0024]本文所使用的术语“模块”可表示以下部件、作为以下部件的部分、或包括以下部件:专用集成电路(ASIC)、电子电路、片上系统(SoC)、执行一个或多个软件或固件程序的处理器(共享的、专用的、或组)和/或存储器(共享的、专用的、或组)、组合逻辑电路、和/或提供所描述功能的其他合适的部件。
[0025]图1示意性地示出了根据一些实施例的具有电子基板(例如，封装基板150)的示例IC组件100的截面侧视图，其中，该电子基板具有利用投影图案化部分地制造的嵌入式管芯。如本文中所使用的第一级互连(FLI)可指的是管芯(例如，管芯110或120)和封装衬底(例如，封装衬底150)之间的互连，而第二级互连(SLI)可指的是封装基板(例如，封装基板150)和电路板(例如，电路板190)之间的互连。在实施例中，IC组件100可包括一个或多个管芯(诸如，管芯110和管芯120)，一个或多个管芯经由一个或多个FLI结构与封装基板150电和/或物理地耦合。封装基板150可进一步经由一个或多个SLI结构与电路板190电耦合。
[0026]管芯110或120可以表示使用半导体制造技术(诸如，薄膜沉积、光刻、蚀刻等等)由半导体材料制成的分立单元。在一些实施例中，管芯110或120可包括以下以下部件，或作为以下部件的一部分:处理器、存储器、ASIC、或SoC。管芯110和120可根据多种合适的配置附连至封装基板150，例如，多种适合的配置包括所描述的倒装芯片配置、或诸如被嵌入在封装基板150中的配置。在倒装芯片配置中，管芯110或120可利用FLI结构(诸如，互连结构130、134)附连至封装衬底150的表面(侧面S1)，FLI结构被配置成使管芯110、120与封装基板150电和/或机械地耦合并且路由管芯110、120的一个或多个和其他电部件之间的电信号。在一些实施例中，例如，电信号可包括与管芯110和/或120的操作相关联的输入/输出(I/O)信号和/或功率/接地。
[0027]互连结构130可与桥140电耦合以利用桥140路由管芯110、120之间的信号。互连结构134可配置成路由管芯(例如，管芯120)和属于电通路的路由特征138之间的电信号，该电通路可从第一侧面SI到与第一侧面SI相对的第二侧面S2穿过封装基板150。作为示例，例如，电通路可包括配置成路由封装基板150的第一侧面SI和第二侧面S2之间的管芯110或120的电信号的其他互联结构，诸如，沟槽、通孔、迹线、或导电层(例如，在介电层154的两侧上的导电层152和156)等等。
[0028]为了便于讨论，互连结构130或134、路由特征138、和导电层152或156仅为示例结构。电通路可包括用于将管芯110和120或其他管芯(未示出)与封装基板150耦合的多种合适的互连结构和/或层中的任一种。封装基板150可包括比所描述的更多或更少的互连结构或层。例如，在一些实施例中，诸如模制化合物或底部填充材料(未示出)之类的电绝缘材料可部分地密封管芯110或120的一部分、和/或互连结构130和134。
[0029]在一些实施例中，桥140可被配置成将管芯110和120彼此电连接。在一些实施例中，桥140可包括用于充当管芯110和120之间的电路由特征的互连结构(例如，管芯接触142)。在一些实施例中，桥140可与为电信号提供路由的路由结构(例如，互连结构130)连接。作为示例，在桥140上的互连结构130 (例如，用于通过桥140路由管芯110和120的电信号)可具有55微米(μπι)或以下的通孔间距。在一些实施例中，桥壳设置在封装基板150上的一些管芯之间，并且不在其他管芯之间。在一些实施例中，桥可能从俯视图不可见。作为示例，在一些实施例中，桥140可嵌入到封装基板150的腔中。
[0030]桥140可包括由玻璃或半导体材料(诸如，具有形成于其上的电路由互连特征的硅(Si))组成的桥基板，以提供管芯110和120之间的芯片到芯片连接。在其他实施例中，桥140可由其他合适的材料组成。在一些实施例中，封装基板150可包括用于路由多个管芯之间的电信号的多个嵌入式桥。
[0031]在一些实施例中，例如，封装基板150为具有芯和/或构建层的环氧基层叠基板，诸如，Ajinomoto构建膜(ABF)基板。在其他实施例中，封装基板150可包括其他合适类型的基板，例如，包括由玻璃、陶瓷、或半导体材料形成的基板。
[0032]电路板190可以是印刷电路板(PCB)，该印刷电路板(PCB)由诸如环氧叠层之类的电绝缘材料组成。例如，电路板190可包括由诸如聚四氟乙烯、酚醛树脂棉纸材料(诸如，阻燃剂4(FR-4)、FR-1、棉纸和环氧材料(诸如，CEM-1或CEM-3)、或利用环氧树脂预浸材料层叠在一起的编织的玻璃材料组成的电绝缘层。可通过电绝缘层形成诸如迹线、沟槽、通孔之类的结构以通过电路板190路由管芯110或120的电信号。在其他实施例中，电路板190可由其他合适的材料组成。在一些实施例中，电路板190是母板(例如，图10的母板 1002)。
[0033]例如，可在球栅阵列(BGA)配置、或平面网格阵列(LGA)结构中配置的封装级互连(诸如，焊球170)可耦合至封装基板150上的一个或多个触点(lands)(在下文中，“触点160”)和电路板190上的一个或多个焊盘180，以形成对应的电连接，该对应的电连接被配置成进一步路由封装基板150和电路板190之间的电信号。触点160和/或焊盘180可由任何合适的导电材料(诸如包括例如，镍(Ni)、钯(Pd)、金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、和它们的组合的金属)组成。在其他实施例中，可使用用于将封装基板150与电路板190物理和/或电地耦合的其他合适的技术。
[0034]图2示意性地示出了根据一些实施例的用于激光投影图案化的示例系统或机器200，该激光投影图案化用于制造具有嵌入式管芯的电子基板。机器200可包括选择地彼此耦合的激光激光谐振器210、光束均匀器220、光圈230、反射镜240、图案掩模250、投影透镜260和工作台270。
[0035]在示例中，激光源可以是受激准分子、固态UV、C02激光、或其它类型的激光。受激准分子激光可具有比固态UV激光或CO2激光更好的分辨率、更均匀的分布、和更高的功率。在实施例中，激光谐振器210可包括反射镜和其他光学部件，并且使激光辐射能够循环并且通过增益介质以增加功率增益。换句话说，激光谐振器210可放大激光，然后激光能量的某一小部分可被用于输出至光束均匀器220的激光。在实施例中，光束均匀器220可与光圈240和反射镜240耦合，并且可用于产生来自激光器输出的高度均匀的平顶光束。
[0036]在实施例中，图案掩模250可置于平顶光束的光路中。图案掩模250可具有预配置的图案。图案掩模250在一些实施例中可以是固定的，而在其他实施例中可以是可移动的。在实施例中，投影透镜260可进一步置于图案掩模250之下，并且将激光束通过图案掩模250投影到置于工作台270上的衬底的介电表面上。
[0037]在实施例中，基板可具有一个或多个嵌入式管芯。激光束可被修改使得在投影激光束的期间，激光束可仅覆盖图案掩模250的一部分，图案掩模250的一部分对应于在嵌入式管芯上的介电表面上的区域。在实施例中，工作台270可以是结合图案掩模250的移动采用以恒定速度或可变速度的协同相对运动的移动基板的X-Y工作台。在实施例中可通过图案掩模250投射激光束以根据图案掩模250的预配置的图案穿过介电材料来钻出经投射的掩模图案。因此，激光束可导致在嵌入在基板中的一个或多个管芯上产生一个或多个通孔。机器200可包括比一些实施例中所描述的更多或更少的部件，并且可与其他实施例中的激光投影图案化的已知的原理一致。
[0038]图3示意性地示出了根据一些实施例的具有平行于图2中的图案掩模250的平面的虚构切割平面的多个截面图。在实施例中，可以看出，光束310可以是高度均匀的平顶光束，并且掩模320可具有预配置的图案322。
[0039]固定的掩模可用于实现在衬底上的图案投影。在实施例中，固定的掩模可用于将图案(例如，图案322)投影到一个单个管芯或表征多个管芯(例如，8-10个管芯)的单个单元上。在单个管芯投影的一些实施例中，工作台270可在每个管芯投影之间移动以将固定的掩模与每个管芯上的目标投影区域对准。在单个单元投影的一些实施例中，工作台270可在每个单元投影之间移动以将固定的掩模与每个单元上的目标投影区域对准。
[0040]在单个单元投影的一些实施例中(例如，在300a处)，可使用大激光束332来覆盖在掩模330下方的单元的几乎整个区域，该单元可表征多个管芯(例如，8个管芯)。在这种情况下，可在单个管芯投影方法上改善图案投影的工艺吞吐量，部分是由于可在多个管芯上同时地实现图案投影，并且由此减少覆盖基板上的所有单元所必需的工作台移动。然而，例如，可以看出，由于激光束332的大部分被掩模330 (例如，掩模330的中心处)阻断，因此在这种情况下激光能量可能没有被充分地利用。在单个单元投影的一些实施例中(例如，在300b处)，通过将激光束332成形或切割成光束342和344以仅覆盖掩模340的一部分来更有效地利用激光能量，掩模340的一部分对应于将在桥管芯上形成超精细微通孔的部分。在实施例中，激光束的切割可通过空间分束器或时间波束切换器来实现。
[0041]移动的掩模也可用于实现在衬底上的图案投影。在实施例中(例如，在300c处)，掩模350可具有用于在一个或多个嵌入式桥(例如，图1中的桥140)之上钻微通孔的预配置的图案或设计。激光束352可成形成仅覆盖掩模350的部分区域。掩模350可被移动以将预配置的图案或设计转移到基板上。作为示例，可使用协同相对运动成像(COMI)技术，其中为了成像的目的可相对地移动掩模和基板。作为示例，掩模350可向左移动，而基板可向右移动。在一些实施例中，对于不活动的区域(例如，掩模350的中间区域)，掩模350和/或基板的移动速度可能增加，以提高吞吐量。
[0042]图4示意性地示出了根据一些实施例在制造具有嵌入式管芯(例如，图1的桥140)的电子基板(例如，图1的封装基板150)中使用投影图案化的封装基板制造过程400的流程图。根据多个实施例，过程400可与结合图5-8所描述的实施例的一致。
[0043]在框410处，过程400可包括提供在基板的介电材料中的管芯(例如，图1的桥140)。在实施例中，管芯可由玻璃或半导体材料(例如，Si)组成，并且包括用于路由其它管芯之间的电信号的电路由特征。在一些实施例中，管芯可设置在由基板的一个或多个构建层形成的平面之中或之内。例如，如从结合图1所描述的实施例中可以看出，桥140被嵌入在封装基板150的构建层中。在一些实施例中，可通过将管芯嵌入到构建层中作为构建层的形成的部分来实现形成设置在构建层的平面中的管芯(例如，图1的桥140)。在其他实施例中，可通过在形成构建层之后根据任何合适的技术在构件层中形成腔并且将管芯置于腔中来实现形成设置在构建层的平面中的管芯。
[0044]在框420处，过程400可包括通过具有预配置的图案的掩模投影激光束以根据预配置的图案穿过介电材料钻出经投影的掩模图案，经投影的掩模图案至少包括设置之管芯上的通孔。在实施例中，受激准分子可用于在嵌入式管芯(例如，Si桥(SiB)管芯)上钻通孔。其后，二氧化碳(CO2)激光可用于在介电材料的区域中钻通孔，该介电材料的区域不在管芯上。在实施例中，受激准分子可用于并发地钻通孔、焊盘、迹线、和/或其他路由特征。作为示例，灰度掩模可用于实现通孔、焊盘、迹线、和/或其他路由特征的不同蚀刻深度。根据多个实施例，可在结合图5和7所描述的制造过程中执行框420。
[0045]在框430处，过程400可包括将导电材料沉积到经投影的掩模图案中。在实施例中，可采用导电材料部分地形成互连结构(例如，图1的互连结构130)，并且互连结构可与嵌入式管芯连接以路由在基板的表面之上的电信号。在实施例中，互连结构可将嵌入式管芯电耦合至其他管芯。
[0046]在一个实施例中，导电材料可包括铜(Cu)。在一些实施例中，导电材料可包括,例如，铝(Al)、银(Ag)、镍(Ni)、钽(Ta)、铪(Hf)、银(Nb)、错(Zr)、?凡(V)、鹤(W)、或它们的组合。在一些实施例中，导电材料可包括导电陶瓷，例如氮化钽、氧化铟、硅化铜、氮化钨、和氮化钛。在其他实施例中，导电材料可包括其他化学成分，或它们的组合。
[0047]在实施例中，例如，采用导电材料填充的经投影的掩模图案可包括诸如迹线、沟槽、通孔、触点、焊盘或为电信号提供穿过封装基板的对应的电路径的其他结构的结构。在实施例中，在将导电材料沉积到经投影的掩模图案中之前可使用去污和非电解镀铜操作。在一些实施例中，在将导电材料沉积到经投影的掩模图案中之前还可使用干膜抗蚀剂(DFR)层压、暴露和显影操作。在一些实施例中，半加成法(SAP)电镀操作可用于将导电材料沉积到经投影的掩模图案中，并且在沉积导电材料之后可使用DFR剥离和非电解去除操作。在其他实施例中，电解电镀操作可用于将导电材料沉积至整个面板。并且在沉积导电材料之后可使用化学机械抛光(CMP)或Cu蚀刻操作。根据多个实施例，在结合图5-8描述的制造过程中进一步说明了以上多个操作或其他可兼容的工艺。
[0048]多个操作又以最有助于理解所要求保护的主题的方式被描述为多个不连续的操作。然而，描述的顺序不应当被解释为暗示这些操作一定是依赖于顺序。可以与所描述不同的另一合适顺序执行过程400的操作。在一些实施例中，过程400可包括结合图5-8描述的动作，并且反之亦然。
[0049]图5结合图4中所示的封装基板制造过程400示意性地示出了根据一些实施例的在嵌入桥之前的一些所选择的操作的截面图。参照操作592，可以看出，描绘了在桥540上形成介电层510之后的基板，因此基本上将桥540嵌入到基板中。
[0050]在实施例中，介电层510可由广泛多种合适的介电材料中的任一种组成，例如，该介电材料包括环氧基层压材料、氧化硅(例如，S12)、碳化硅(SiC)、硅碳氮化物(SiCN)、或氮化硅(例如，SiN、Si3N4等)。还可使用其他合适的介电材料，例如，该介电材料包括具有小于二氧化硅的介电常数k的介电常数k的低k介电材料。在实施例中，介电层510可包括聚合物(例如，环氧基树脂)并且可进一步包括填充物(例如，二氧化硅)来提供满足封装可靠性要求的合适的机械性能。在实施例中，介电层510可诸如通过ABF层压形成为聚合物的膜。在实施例中，介电层510可具有合适的消融率以实现本文所描述的激光图案化。
[0051]在实施例中，介电层510可通过利用任何合适的技术沉积介电材料形成,例如,该技术包括原子层沉积(ALD)、物理气相沉积(PVD)或化学气相沉积(CVD)技术。
[0052]在实施例中，可提供桥腔以供放置桥540。在实施例中，可通过暴露至光和/或化学物质来去除介电层510的至少一部分以形成桥腔。在实施例中，桥腔可被激光钻入到介电层510中。在实施例中，在基板的构建层的制造过程中，桥腔可向左开口。在实施例中，可通过使用图案化工艺通过构建层形成桥腔。例如，介电层510可由感光材料组成，该感光材料可服从掩模、图案化和蚀刻、或显影工艺。
[0053]在实施例中，桥540可包括由玻璃或半导体材料(诸如，具有形成于其上的电路由互连特征的硅(Si))组成的桥基板，以提供管芯之间的芯片到芯片连接。在实施例中，可利用粘合材料或层在基板的腔上安装桥540。粘合层的材料可包括配置成承受与基板的制造相关联的工艺的任何合适的粘合剂。在实施例中，可应用化学处理(诸如，铜粗糙化技术)以提高桥540及其周围表面之间的粘附。在实施例中，桥540可具有路由特征(诸如，焊盘544)，路由特征基本上插入到桥540中或突出在桥基板的表面上，并且被配置成将电信号路由至桥540并且从桥540路由电信号。
[0054]在实施例中，基板可包括多个图案化的金属层(诸如，层518和526)，多个图案化的金属层被配置成在基板内或穿过基板路由电信号。这些图案化的金属层518和526可通过介电层522隔开。在实施例中，图案化的金属层(例如，层518和526)、和这些层之间或之下的任何数量的层可以是基板的一部分，并且可以本领域已知的任何方式形成。例如，图案化的金属层可以是采用半加成工艺(SAP)形成的构建层的内导电层或最外层的导电层。在实施例中，基板还可包括多个附加的路由特征(诸如，焊盘514或530)，多个附加的路由特征被配置成增加基板内或穿过基板的电路径。
[0055]参照操作594，可以看出，描绘了在介电层510上形成孔550之后的基板。在实施例中，孔可以是微通孔，该微通孔可被激光钻入到介电层510中，直到下面的路由特征(诸如，焊盘544)的一部分被暴露为止。结合过程400，可通过应用激光投影图案化(LPP)钻孔桥540上的通孔，激光投影图案化可利用具有平顶光束形状的均质化激光束(诸如，受激准分子激光)在嵌入式桥540上层压的介电层510的表面上产生经投影的掩模图案。
[0056]在实施例中，投影掩模可由特定的玻璃制造，该特定的玻璃具有与桥540相似的热膨胀系数，桥540可以是嵌入在有机基板中的硅桥(SiB)。相似的CTE可改善通孔到SiB焊盘对准。因此，由于在该LPP方法中的改善的通孔到SiB焊盘对准且没有振镜(Galvo)扫描误差，因此，与传统的CO2或固态UV激光钻孔方法相比，可实现更精密的通孔间距。在实施例中，由于在SiB管芯的每一个处的高微通孔密度(例如，大于每管芯3000个微通孔的密度)，因此，可提高采用该LPP方法形成的通孔的吞吐量。
[0057]参照操作596，描述了在利用技术在介电层510上形成孔560 (诸如，使用CO2激光以形成孔)之后的基板。在实施例中，CO2或UV激光钻孔(例如，利用振镜扫描技术)、受激准分子激光投影图案化、或任何其他合适的技术可用于在介电材料的区域中钻通孔，该介电材料的区域不在桥540上。在实施例中，可随后应用去污工艺以从腔(例如，腔550和560)的底部表面去除被弄脏的介电材料(例如，环氧树脂)以防止污点残留形成介电阻挡。
[0058]图6延续图5，示意性地示出了根据一些实施例的结合图4中所示的封装基板制造过程的一些其他所选择的操作的截面图。参照操作692，在多个实施例中，可采用任何合适的技术在基板的顶部上沉积金属籽晶层610。在一些实施例中，非电解电镀可用于形成金属籽晶层610。例如，可沉积诸如钯(Pd)之类的催化剂，随后进行非电解镀铜(Cu)工艺。在一些实施例中，物理气相沉积(即，溅射)技术可用于沉积金属籽晶层610。
[0059]参照操作694，可以看出，描绘了形成感光层(例如，干膜抗蚀剂(DFR)层620)之后的基板。在实施例中，可使用本领域已知的任何技术来层压和图案化DFR层620。在实施例中，可以看出，DFR层620中的开口具有比它们的下面的孔更大的横向尺寸。
[0060]参照操作696，可以看出，描绘了在将导电材料沉积到形成于介电层510中的腔和由DFR层620形成的开口中之后的基板。在实施例中，导电材料可包括以上结合过程400所讨论的导电材料，诸如包括，例如，镍(Ni)、钯(Pd)、金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、和它们的组合的金属。在实施例中，可例如，采用电解电镀工艺(诸如，电解镀铜工艺)填充孔550和560以分别形成互连结构630和640。
[0061]在操作696处，在实施例中，可使用任何传统的剥离工艺来去除DFR层。DFR剥离可进一步描绘互连结构630和640并且暴露下面的介电层510。在实施例中，可通过一种或多种技术(诸如，蚀刻、磨光研磨、化学-机械抛光等)来去除上镀敷(over-plated)填充金属。例如，化学、机械抛光(CMP)或磨光研磨可首先用于平坦化互连结构630和640，并且然后可使用蚀刻来去除任何剩余的非电解电镀金属。
[0062]在实施例中，互连结构630可突出在基板的表面上，并且可配置成将桥540与基板上的管芯连接。在实施例中，还可通过692、694和696的操作来部分地形成其他分层的FLI互连结构。
[0063]图7示意性地示出了根据一些实施例的结合图4中所示的封装基板制造过程的又一些其他所选择的操作的截面图。参照操作792，可以看出，描绘了在桥740上形成介电层710之后的基板，因此基本上将桥740嵌入到基板中。
[0064]在实施例中，类似于图5中的介电层510，介电层710可由利用任何合适的技术形成的广泛多种合适的介电材料中的任一种组成，并且可具有合适的消融率以实现本文中所描述的激光图案化。
[0065]在实施例中，桥740可包括由玻璃或半导体材料(诸如，具有形成于其上的电路由互连特征的硅(Si))构成的桥基板，以提供管芯之间的芯片到芯片连接。在实施例中，桥740可具有路由特征(诸如，焊盘744)，路由特征基本上插入到桥740中或突出在桥基板的表面上，并且被配置成将电信号路由至桥740并且从桥540路由电信号。
[0066]在实施例中，基板可包括多个图案化的金属层(诸如，层718和726)，多个图案化的金属层被配置成在基板内或穿过基板路由电信号。这些图案化的金属层718和726可通过介电层722隔开。在实施例中，图案化的金属层(例如，层718和726)、和这些层之间或之下的任何数量的层可以是基板的一部分，并且可以本领域已知的任何方式形成。例如，图案化的金属层可以是采用半加成工艺(SAP)形成的构建层的内导电层或最外层的导电层。在实施例中，基板还可包括多个附加的路由特征(诸如，焊盘714或730)，多个附加的路由特征被配置成增加基板内或穿过基板的电路径。
[0067]参照操作794，可以看出，描绘了在介电层710上形成多个腔之后的基板。结合过程400，可通过应用LPP钻通孔、迹线、或其他路由特征，LPP可利用具有平顶光束形状的均质化激光束(诸如，受激准分子激光)在介电层710的表面上产生经投影的掩模图案。在实施例中，腔770可以是桥740上的焊盘和通孔的结构，该结构可被钻入到介电层710中直到下面的路由特征(诸如，焊盘744)的一部分被暴露为止。在一些实施例中，可在单个暴露操作过程中同时形成具有焊盘和通孔的剖面的腔770。在实施例中，腔760可具有在焊盘714上的焊盘和通孔的结构，该结构可被钻入到介电材料的区域中，该介电材料的区域不在桥740上。在一些实施例中，可在相同的暴露操作过程中同时形成腔760和腔770。在实施例中，腔750可以是迹线结构，该迹线结构可被激光钻入介电层710的顶部上。在一些实施例中，可在相同的暴露操作过程中同时形成腔750、760和740中的两个或以上。在实施例中，灰度掩模可用于实现通孔、焊盘、迹线、和/或其他路由特征的不同蚀刻深度，因此还可利用LPP技术在介电层710上与上述多个腔同时地形成其他路由特征。在实施例中，可随后应用去污工艺以从腔(例如，腔750、760和770)的底部表面去除被弄脏的介电材料(诸如，环氧树脂)。
[0068]图8延续图7，示意性地示出了根据一些实施例的结合图4中所示的封装基板制造过程的一些其他所选择的操作的截面图。参照操作892，在多个实施例中，可采用任何合适的技术在基板的顶部上沉积金属籽晶层810。在一些实施例中，非电解电镀可用于形成金属籽晶层810。例如，可沉积诸如钯(Pd)之类的催化剂，随后进行非电解镀铜(Cu)工艺。在一些实施例中，物理气相沉积(即，溅射)技术可用于沉积金属籽晶层810。
[0069]参照操作894，可以看出，描绘了将导电材料沉积到形成于介电层710中的腔中之后的基板。在实施例中，导电材料可包括以上结合过程400所讨论的导电材料，诸如包括，例如，镍(Ni)、钯(Pd)、金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)、和它们的组合的金属。在实施例中，可例如采用电解电镀工艺(诸如，电解镀铜工艺)填充腔750、760和770，并且产生上镀敷层820。。
[0070]参照操作896，可以看出，描绘了去除介电层710上的上镀敷层820之后的基板。在实施例中，可通过一种或多种技术(诸如，蚀刻、磨光研磨、化学-机械抛光等)来去除上镀覆层820。在实施例中，分立互连结构830、840和850可在操作896之后形成，并且被配置成将基本的多个内部路由特征(诸如，桥540)与基板上的电部件(诸如，其他管芯)连接。
[0071]图9示意性地示出了根据一些实施例的利用投影图案化制造的一些所选择微通孔的截面图。图像920示出了可通过参照以上图4-8描述的示例性工艺产生的通孔。在实施例中，与通过非LPP技术形成的通孔相比，根据本公开的通过LPP形成的通孔或其他路由特征可具有一些不同的特征。
[0072]如图像910中所示，由于采用非LPP设置的光束成形技术一般不能在基板表面上成形平顶光束分布，因此可在通过非LPP固态UV激光形成的典型通孔形状中观察到通孔基脚(footing)912(即，在通孔的底部处的诸如树脂的介电材料的突出部)。然而，通过以上公开的LPP方法，可消除通孔基脚。在实施例中，均质化受激准分子激光可通过掩膜投影到基板上。如在图像920中可以看到的，可在下文中形成从通孔的顶部到通孔的底部的锥形的剖面和通孔的基本上平坦的底部剖面。从顶部到底部的锥形的剖面的角度可以是基本上恒定的，并且可消除通孔基脚。在实施例中，诸如在图5-8处所示的，通孔的整个底部可被配置成直接与管芯的导电特征电接触。在实施例中，这些独特的特征质量可体现在诸如镶嵌结构(未示出)的特征中，例如，镶嵌结构包括如示意性地显示为图7和8中的嵌入式焊盘和/或迹线的焊盘和/迹线。
[0073]在实施例中，可采用本文所示的LPP方法改善从掩模投影到SiB管芯上的焊盘的微通孔的对准。作为示例，玻璃掩模的CTE可根据所选择的玻璃材料在大约3-8.5ppm/°C之间的范围内。玻璃材料可被选择成匹配管芯的有效CTE。对于具有Cu特征的管芯，有效CTE可根据Cu设计而变化。通过相似或匹配的CTE，在相似问题环境下的掩模和硅管芯的变型是相似的。因此，可改善微通孔投影的对准。
[0074]可在使用任何合适硬件和/或软件按需配置的系统中实现本公开的实施例。图10示意性地示出了根据一些实施例的计算设备，该计算设备包括利用本文所描述的LPP制造的基板上经投影的掩模图案。计算设备1000可容纳诸如母板1002之类的板。母板1002可包括多个部件，该多个部件包括，但不限于，处理器1004和至少一个通信芯片1006。处理器1004可物理且电耦合至母板1002。在一些实现中，至少一个通信芯片1006还可物理且电耦合至母板1002。在进一步实现中，通信芯片1006可以是处理器1004的一部分。
[0075]根据其应用，计算设备1000可包括可能或可能不物理且电耦合至母板1002的其他部件。这些其它组件可包括但不限于易失性存储器(例如DRAM)、非易失性存储器(例如ROM)、闪存、图形处理器、数字信号处理器、加密处理器、芯片组、天线、显示器、触摸屏显示器、触摸屏控制器、电池、音频编码解码器、视频编码解码器、功率放大器、全球定位系统(GPS)装置、指南针、盖革计数器(Geiger counter)、加速度计、陀螺仪、扬声器、照相机以及大容量存储装置(诸如硬盘驱动器、紧凑盘(CD)、数字多功能盘(DVD)等等)。
[0076]通信芯片1006可实现无线通信以供将数据转移至计算设备1000或转移来自计算设备800的数据。术语“无线”及其派生词可用于描述可通过使用通过非固态的介质的经调制的电磁辐射传播数据的电路、设备、系统、方法、技术、通信信道等等。该术语并不暗示相关联的设备不包含任何线路，虽然在一些实施例中它们可能不包括线路。通信芯片1006可实现任何数量的无线标准或协议，无线标准或协议包括，但不限于，电子与电气工程师协会(IEEE)标准(包括 W1-Fi (IEEE802.11 家族)、IEEE 802.16 标准(例如，IEEE 802.16-2005修改))、长期演进(LTE)项目连同任何修改、更新和/或修订版本(例如，先进的LTE项目、超移动宽带(UMB)项目(也被称为“3GPP2”)等等)。可兼容BWA网络的IEEE 802.16 一般被称为WiMAX网络，代表全球微波互联接入的首字母的缩写是用于通过针对IEEE 802.16标准的整合和互操作性测试的产品的认证标志。通信芯片1006可根据全球移动通信(GSM)系统、通用分组无线业务(GPRS)、通用移动电信系统(UMTS)、高速链路分组接入(HSPA)、演进的HSPA(E-HSPA)、或LTE网络操作。通信芯片1006可根据增强型数据GSM演进(EDGE)、GSMEDGE无线接入网络(GERAN)、通用陆地无线接入网络(UTRAN)、或演进的UTRAN(E-UTRAN)操作。通信芯片1006可根据码分多址(CDMA)、时分多址(TDMA)、数字增强型无绳通信(DECT)、演进数据优化(EV-DO)、它们的衍生物、以及指定用于3G、4G、5G及以上的任何其他无线协议操作。在其他实施例中，通信芯片1006可根据其他无线协议操作。
[0077]计算设备1000可包括多个通信芯片1006。例如，第一通信芯片1006可专用于更短距离无线通信(诸如，W1-Fi和蓝牙)，以及第二通信芯片1006可专用于更长距离无线通信(诸如，GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE, Ev-DO 等等)。
[0078]计算设备1000的处理器1004可被封装在包括具有嵌入式桥的基板(例如，图1的封装基板150)的IC组件(例如，图1的IC组件100)中，该嵌入式桥具有根据本文所描述的技术的形成的互连结构。例如，图1的电路板190可以是母板1002，并且处理器1004可以是利用图1的互连结构耦合至封装基板150的管芯110。封装基板150和母板1002可利用封装级互连耦合在一起。术语“处理器”可表示任何设备或设备的一部分，其处理来自寄存器和/或存储器的电子数据，以将该电子数据转换成可存储于寄存器和/或存储器中的其它电子数据。
[0079]通信芯片1006还可包括管芯(例如，图1的管芯120)，该管芯可封装在包括具有嵌入式桥的基板(例如，图1的封装基板150)的IC组件(例如，图1的IC组件100)中，该嵌入式桥具有根据本文所描述的技术的形成的互连结构。在进一步实现中，容纳在计算设备1000中的另一部件(例如，存储器设备或其他集成电路设备)可包括管芯(例如，图1的管芯110)，该管芯可封装在包括具有嵌入式桥的基板(例如，图1的封装基板150)的IC组件(例如，图1的IC组件100)中，该嵌入式桥具有根据本文所描述的技术的形成的互连结构。根据一些实施例，多个处理器芯片和/或存储器芯片可设置在相同的封装基板上并且具有分层的互连结构的嵌入式桥可电路由处理器或存储器芯片的任何两个之间的信号。在一些实施例中，单个处理器芯片可利用第一嵌入式桥与另一处理器芯片耦合并且利用第二嵌入式桥与存储器芯片耦合。
[0080]在多个实现中，计算设备1000可以是膝上型计算机、上网本、笔记本计算机、超极本?、智能电话、平板计算机、个人数字助理(PDA)、超移动PC、移动电话、台式计算机、服务器、打印机、扫描仪、监视器、机顶盒、娱乐控制单元、数字照相机、便携式音乐播放器、或者数字录像机。在进一步实现中，计算设备1000可以是处理数据的任何其他电子设备。
[0081]示例
[0082]示例I为用于形成一个或多个通孔的方法，该方法可包括将激光束投影通过具有预配置的图案的掩模，以根据预配置的图案通过基板的介电材料钻出经投影的掩模图案，其中经投影的掩模图案包括设置在管芯上的通孔，该管芯嵌入在介电材料中。
[0083]示例2可包括示例I的主题，并且可进一步包括修改激光束使得在投影激光束的过程中，激光束仅覆盖掩模的一部分，其中该掩模的一部分可对应于在管芯上的介电材料的区域。
[0084]示例3可包括示例I或2的主体，并且可进一步包括在投影激光束的过程中采用在恒定或可变速度下的协同相对运动来移动掩模和基板。
[0085]示例4可包括示例1-3中的任一个的主题，并且进一步指定投影光束去除通孔中的大部分介电材料。示例4可进一步包括执行去污工艺以去除通孔中的任何残留的介电材料。
[0086]示例5可包括示例1-4中的任一个的主题，并且进一步指定激光束可包括受激准分子激光束，并且通孔为第一通孔。示例5可进一步包括通过二氧化碳激光或固态UV激光在介电材料的表面上形成第二通孔，其中第二通孔设置在介电材料的区域中，该介电材料的区域不在管芯上。
[0087]示例6可包括示例1-5中的任一个的主题，并且可进一步包括利用半加成工艺将导电材料设置在通孔中；并且采用非电解去除工艺去除导电材料的至少一部分。
[0088]示例7可包括示例1-6中的任一个的主题，并且可进一步包括利用电解电镀工艺将导电材料设置在通孔中；并且采用化学一机械抛光工艺或蚀刻工艺去除导电材料的至少一部分。
[0089]示例8可包括示例1-7中的任一个的主题，并且进一步指定经投影的掩模图案可包括设置在介电材料的区域中的通孔、焊盘、或迹线中的至少一个路由特征，该介电材料的区域不在管芯上，并且至少一个路由特征可与设置在管芯上的通孔同时地形成。
[0090]示例9可包括示例1-8中的任一个的主题，并且进一步指定介电材料可包括环氧树脂；管芯可包括硅；以及掩模可包括具有与管芯类似的热膨胀的系数的玻璃材料。
[0091]示例10可包括示例1-9中的任一个的主题，并且进一步指定掩模可以是配置成在介电材料中产生不同深度的腔的灰度掩模。
[0092]示例11可包括示例1-10中的任一个的主题，并且进一步指定激光束可以是均质化平顶激光束。
[0093]示例12可包括示例1-11中的任一个的主题，并且进一步指定管芯可以是包括桥互连的第一管芯，该桥互连被配置成通过基板路由第二管芯和第三管芯之间的电信号，并且其中通孔可被配置成路由电信号。
[0094]示例13可包括示例1-12中的任一个的主题,并且进一步指定通孔可以是具有在多个通孔的单个通孔之间的55微米或以下的间距的多个通孔中的一个。
[0095]示例14可包括示例1-13中的任一个的主题，并且可进一步包括提供嵌入在基板的介电材料中的管芯。
[0096]示例15为具有存储在其中的指令的存储介质，指令被配置成响应于通过设备对指令的执行，使设备实施示例1-14中的任一个的主题。存储介质可以是非瞬态的。
[0097]示例16为用于上下文(contextual)显示的装置，该装置可包括用于实施示例1-14中的任一个的主题。
[0098]示例17为产品，该产品可通过由示例1-14中的任一个公开的任何方法制造。
[0099]示例18为装置，该装置可包括基板；嵌入在基板中并且被配置成路由第一管芯和第二管芯之间的电信号的桥；以及连接至桥并且被配置成通过基板的至少一部分路由电信号的多个通孔，其中多个通孔中的单个通孔具有从单个通孔的顶部到单个通孔的底部的锥形剖面，从顶部到底部的锥形剖面的角度基本上是恒定的，并且单个通孔的整个底部与管芯的导电特征直接电接触。
[0100]不例19可包括不例18的王题，并且进一步指定多个通孔中的每Iv的底部基本上平坦。
[0101]示例20可包括示例18或19的主题，并且进一步指定多个通孔的单个通孔不具有通孔基脚。
[0102]示例21可包括示例18-20中的任一个的主题，并且进一步指定通孔可具有在多个通孔的单个通孔之间的55微米或以下的间距。
[0103]示例22可包括示例18-21中的任一个的主题，并且进一步指定第一管芯可包括处理器以及第二管芯可包括存储器管芯或另一处理器。
[0104]示例23可包括示例18-22中的任一个的主题，并且进一步指定桥可包括包含硅的半导体材料，并且其中衬底可包括环氧基介电材料。
[0105]示例24为系统，该系统可包括第一管芯和第二管芯；以及基板，具有嵌入式桥和设置在嵌入式桥与第一管芯和第二管芯中的至少一个之间的多个通孔；其中多个通孔可连接至嵌入式桥并且被配置成通过基板的至少一部分路由电信号，并且多个通孔的单个通孔具有从单个通孔的顶部到单个通孔的底部的锥形剖面，从顶部到底部的锥形剖面的角度基本上是恒定的，并且单个通孔的整个底部与管芯的导电特征直接电接触。
[0106]示例25可包括示例24的主题，并且进一步包括电路板，其中基板可与电路板电耦合，并且电路板可被配置成路由第一管芯或第二管芯的电信号；以及与电路板耦合的天线、显示器、触摸屏显示器、触摸屏控制器、电池、音频编解码器、视频编解码器、功率放大器、全球定位系统设备、指南针、盖革计数器、加速度计、陀螺仪、扬声器、或照相机中的一个或多个。
[0107]示例26可包括示例24或25的主题，并且进一步指定系统可以是可穿戴计算机、智能电话、平板计算机、个人数字助理、移动电话、超移动PC、超级本、上网本、笔记本计算机、膝上型计算机、台式计算机、服务器、打印机、扫描仪、监视器、机顶盒、娱乐控制单元、数字照相机、便携式音乐播放器、或者数字录像机中的一个。
[0108]各个实施例可包括上述实施例的任何合适的组合，其包括以上以联合形式(和)描述的实施例的替代(或)实施例的(例如“和”可以是“和/或”)。此外，一些实施例可包括具有存储在其上的指令的产品的一个或多个制品(非瞬态计算机可读介质)，这些指令在被执行时产生以上描述的实施例中的任何一个动作。此外，一些实施例可包括具有用于执行以上实施例的各种操作的任何合适装置的装置或系统。
[0109]所示的实现的上述描述、包括摘要中的描述的不旨在穷举或将本公开的实施例限制为所公开的精确形式。虽然为了说明目的在本文中描述了特定实现和示例，但如相关领域技术人员将认识到的，在本发明的范围内有许多等效修改是可能的。
[0110]鉴于以上详细描述，可对本公开的实施例进行这些修改。下面权利要求中使用的术语不应当解释成将本公开的各个实施例限定于说明书和权利要求书所公开的特定实现。相反，本发明的范围完全由所附权利要求确定，所附权利要求将根据已确立的权利要求解释原则来解读。
【权利要求】
1.一种用于形成一个或多个通孔的方法，包括: 将激光束投影通过具有预配置的图案的掩模，以根据所述预配置的图案通过基板的介电材料钻出经投影的掩模图案，其中所述经投影的掩模图案包括设置在管芯上的通孔，所述管芯嵌入在所述介电材料中。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括: 提供嵌入在所述基板的介电材料中的管芯。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括: 修改所述激光束使得在投影激光束的过程中，所述激光束仅覆盖所述掩模的一部分，其中所述掩模的一部分对应于在所述管芯上的介电材料的区域。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括: 在投影激光束的过程中采用在恒定或可变速度下的协同相对运动来移动所述掩模和所述基板。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，投影激光束去除所述通孔中的介电材料的主要部分，所述方法进一步包括执行去污工艺以去除所述通孔中的任何残留的介电材料。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光束包括受激准分子激光束并且所述通孔为第一通孔，所述方法进一步包括: 通过二氧化碳激光或固态UV激光在所述介电材料的表面上形成第二通孔，其中所述第二通孔设置在介电材料的区域中，所述介电材料的区域不在管芯上。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括: 利用半加成工艺将导电材料沉积到所述通孔中；以及 采用非电解去除工艺去除所述导电材料的至少一部分。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，进一步包括: 利用电解电镀工艺将导电材料沉积到所述通孔中；以及 采用化学一机械抛光工艺或蚀刻工艺去除所述导电材料的至少一部分。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述经投影的掩模图案包括设置在介电材料的区域中的通孔、焊盘、或迹线中的至少一个路由特征，所述介电材料的区域不在所述管芯上，并且所述至少一个路由特征与设置在所述管芯上的通孔同时地形成。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述介电材料包括环氧树脂，所述管芯包括硅，以及所述掩模包括具有与所述管芯相似的热膨胀系数的玻璃材料。
11.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩模为配置成在所述介电材料中产生具有不同深度的腔的灰度掩模。
12.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述激光束为均质化平顶激光束。
13.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述管芯为第一管芯，所述第一管芯包括桥互连，所述桥互连配置成通过所述基板路由第二管芯和第三管芯之间的电信号，并且其中所述通孔被配置成路由所述电信号。
14.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通孔为具有在多个通孔的各个通孔之间的55微米或小于55微米的间距的所述多个通孔中的一个。
15.一个或多个通孔的装置，包括: 用于实施如权利要求1-14中任一项所述的方法的装置。
16.通过如权利要求1-14中任一项所述的方法制造的产品。
17.具有一个或多个通孔的装置，包括: 衬底； 桥，所述桥嵌入在所述衬底中并且被配置成路由第一管芯和第二管芯之间的电信号；以及 多个通孔，所述多个通孔连接至所述桥并且被配置成通过所述基板的至少一部分路由电信号，其中所述多个通孔的各个通孔具有从各个通孔的顶部到所述各个通孔的底部的锥形剖面，从所述顶部到所述底部的锥形剖面的角度基本上是恒定的，并且所述各个通孔的整个底部与所述管芯的导电特征直接电接触。
18.如权利要求17所述的装置，其特征在于，所述多个通孔的每一个的底部基本上平坦。
19.如权利要求17所述的装置，其特征在于，所述多个通孔的各个通孔不具有通孔基脚。
20.如权利要求17所述的装置，其特征在于，所述第一管芯包括处理器以及第二管芯包括存储器管芯或另一处理器。
21.如权利要求17所述的装置，其特征在于，所述桥包括半导体材料，所述半导体材料包括硅，并且其中所述基板包括环氧基介电材料。
22.如权利要求17- 21中的任一项所述的装置，其特征在于，所述多个通孔具有在多个通孔的各个通孔之间的55微米或以下的间距。
23.具有一个或多个通孔的系统，包括: 第一管芯和第二管芯；以及 基板，具有嵌入式桥和设置在所述嵌入式桥与所述第一管芯和第二管芯中的至少一个之间的多个通孔； 其中所述多个通孔连接至嵌入式桥并且被配置成通过所述基板的至少一部分路由电信号，以及 其中所述多个通孔的各个通孔具有从各个通孔的顶部到所述各个通孔的底部的锥形剖面，从所述顶部到所述底部的锥形剖面的角度基本上是恒定的，并且所述各个通孔的整个底部与所述管芯的导电特征直接电接触。
24.如权利要求23所述的系统，其特征在于，还包括: 电路板，其中所述基板与所述电路板电耦合，并且所述电路板被配置成路由第一管芯或第二管芯的电信号；以及 与所述电路板耦合的天线、显示器、触摸屏显示器、触摸屏控制器、电池、音频编解码器、视频编解码器、功率放大器、全球定位系统设备、指南针、盖革计数器、加速度计、陀螺仪、扬声器或照相机中的一个或多个。
25.如权利要求23或24所述的系统，其特征在于，所述系统为可穿戴计算机、智能电话、平板计算机、个人数字助理、移动电话、超移动PC、超极本、上网本、笔记本计算机、膝上型计算机、台式计算机、服务器、打印机、扫描仪、监视器、机顶盒、娱乐控制单元、数字照相机、便携式音乐播放器、或者数字录像机中的一个。
【文档编号】H01L21/02GK104377120SQ201410403861
【公开日】2015年2月25日 申请日期:2014年8月15日 优先权日:2013年8月15日
【发明者】C·张, S·M·洛茨, I·A·萨拉玛 申请人:英特尔公司