半导体元件、显示设备、半导体元件显示设备的制造方法
【专利摘要】本发明公开了半导体元件、显示设备、半导体元件及显示设备的制造方法。一种半导体元件，包括半导体层、第一和第二导电单元、栅电极、和栅绝缘膜。半导体层包括第一部分、第二部分、以及设置在第一部分和第二部分之间的第三部分。第一导电单元电连接至第一部分。第二导电单元电连接至第二部分。栅电极与第一导电单元、第二导电单元、和第三部分分离。栅电极与第三部分相对。栅绝缘膜设置在第三部分和栅电极之间。第一部分的氮浓度高于第三部分的氮浓度。第二部分的氮浓度高于第三部分的氮浓度。
【专利说明】半导体元件、显示设备、半导体元件显示设备的制造方法
[0001]相关申请
[0002]本申请基于2013年9月24日提交的第2013-196709号日本专利申请并且要求其优先权的权益，该日本专利申请的全部内容通过引用结合于此。
【技术领域】
[0003]这里所述的实施例一般涉及半导体元件、显示设备、半导体元件显示设备的制造方法。
【背景技术】
[0004]已知有其中半导体层的材料为氧化物半导体的半导体元件。已知有基于包括氧化物半导体的半导体元件的显示设备。期望改进这种半导体元件和显示设备的可靠性。
【专利附图】
【附图说明】
[0005]图1是示意性地示出根据第一实施例的半导体元件的剖视图；
[0006]图2是示意性地示出根据第一实施例的半导体元件的一部分的平面图；
[0007]图3是示出根据第一实施例的半导体元件的特性的示例的图；
[0008]图4八到％是示意性地示出用于制造根据第一实施例的半导体元件的顺序过程的首丨』视图；
[0009]图5是示意性地示出用于制造根据第一实施例的半导体元件的方法的流程图；
[0010]图6是示意性地示出根据第一实施例的替代半导体元件的剖视图；
[0011]图7八和78是示出根据第一实施例的替代半导体元件的示意图；
[0012]图8是示意性地示出根据第二实施例的半导体元件的剖视图；
[0013]图9八到％是示意性地示出用于制造根据第二实施例的半导体元件的顺序过程的首丨』视图；
[0014]图10是示意性地示出用于制造根据第二实施例的半导体元件的方法的流程图；
[0015]图11是示意性地示出根据第三实施例的显示设备的剖视图；
[0016]图12八和128是示意性地示出用于制造根据第三实施例的显示设备的顺序过程的剖视图；以及
[0017]图13是示意性地示出用于制造根据第三实施例的显示设备的方法的流程图。
【具体实施方式】
[0018]根据一个实施例，半导体元件包括半导体层、第一导电单元、第二导电单元、栅电极以及栅绝缘膜。半导体层包括第一部分、与第一部分布置在第一方向上的第二部分、以及设置在第一部分和第二部分之间的第三部分。半导体层包括氧化物半导体。第一导电单元电连接至第一部分。第二导电单元与第一导电单元分离且电连接至第二部分。栅电极与第一导电单元、第二导电单元、和第三部分分离。栅电极与第三部分相对。栅绝缘膜设置在第三部分和栅电极之间。第一部分的氮浓度高于第三部分的氮浓度。第二部分的氮浓度高于第三部分的氮浓度。
[0019]根据另一个实施例，显示设备包括半导体元件和像素单元。半导体元件包括半导体层、第一导电单元、第二导电单元、栅电极以及栅绝缘膜。半导体层包括第一部分、与第一部分布置在第一方向上的第二部分、以及设置在第一部分和第二部分之间的第三部分。半导体层包括氧化物半导体。第一导电单元电连接至第一部分。第二导电单元与第一导电单元分离且电连接至第二部分。栅电极与第一导电单元、第二导电单元和第三部分分离。栅电极与第三部分相对。栅绝缘膜设置在第三部分和栅电极之间。第一部分的氮浓度高于第三部分的氮浓度。第二部分的氮浓度高于第三部分的氮浓度。像素单元包括电连接至第一导电单元的第一电极、与第一电极相对的第二电极、以及设置在第一电极和第二电极之间的有机发光层。第一电极和第二电极中的至少一个具有透光性。
[0020]根据另一个实施例，公开了一种用于制造半导体元件的方法。该方法可包括在基板上形成栅电极。该方法可包括在栅电极上形成栅绝缘膜。该方法可包括在栅绝缘膜上形成半导体层。半导体层包括第一部分、与第一部分布置在第一方向上的第二部分、以及设置在第一部分和第二部分之间的第三部分，其中，第一方向垂直于栅电极和栅绝缘膜的堆叠方向。半导体层包括氧化物半导体。第三部分与栅电极相对。该方法可包括将氮注入第一部分和第二部分，通过注入氮使第一部分的氮浓度高于第三部分的氮浓度，通过注入氮使第二部分的氮浓度高于第三部分的氮浓度。该方法可包括形成电连接至第一部分的第一导电单元。该方法可包括形成第二导电单元，第二导电单元与第一导电单元分离且电连接至第二部分。
[0021]根据另一个实施例，公开了一种用于制造半导体元件的方法。该方法可包括在基板上形成半导体层。半导体层包括第一部分、与第一部分布置在第一方向上的第二部分、以及设置在第一部分和第二部分之间的第三部分。半导体层包括氧化物半导体。该方法可包括在第三部分上形成栅绝缘膜。该方法可包括在栅绝缘膜上形成栅电极。该方法可包括将氮注入第一部分和第二部分，通过注入氮使第一部分的氮浓度高于第三部分的氮浓度，通过注入氮使第二部分的氮浓度高于第三部分的氮浓度。该方法可包括形成电连接至第一部分的第一导电单元。该方法可包括形成第二导电单元，第二导电单元与第一导电单元分离且电连接至第二部分。
[0022]根据另一个实施例，公开了一种用于制造显示设备的方法。该方法可包括在基板上形成半导体元件。该方法可包括在基板上形成栅电极。该方法可包括在栅电极上形成栅绝缘膜。该方法可包括在栅绝缘膜上形成半导体层。半导体层包括第一部分、与第一部分布置在第一方向上的第二部分、以及设置在第一部分和第二部分之间的第三部分，其中，第一方向垂直于栅电极和栅绝缘膜的堆叠方向。半导体层包括氧化物半导体。第三部分与栅电极相对。该方法可包括将氮注入第一部分和第二部分，通过注入氮使第一部分的氮浓度高于第三部分的氮浓度，通过注入氮使第二部分的氮浓度高于第三部分的氮浓度。该方法可包括形成电连接至第一部分的第一导电单元。该方法可包括形成第二导电单元，第二导电单元与第一导电单元分离且电连接至第二部分。该方法可包括在基板上形成像素单元。像素单元包括电连接至第一导电单元的第一电极、与第一电极相对的第二电极、以及设置在第一电极和第二电极之间的有机发光层。第一电极和第二电极中的至少一个具有透光性。
[0023]根据另一实施例，公开了一种用于制造显示设备的方法。该方法可包括在基板上形成半导体元件。该方法可包括在基板上形成半导体层。半导体层包括第一部分、与第一部分布置在第一方向上的第二部分、以及设置在第一部分和第二部分之间的第三部分。半导体层包括氧化物半导体。该方法可包括在第三部分上形成栅绝缘膜。该方法可包括在栅绝缘膜上形成栅电极。该方法可包括将氮注入第一部分和第二部分，通过注入氮使第一部分的氮浓度高于第三部分的氮浓度，通过注入氮使第二部分的氮浓度高于第三部分的氮浓度。该方法可包括形成电连接至第一部分的第一导电单元。该方法可包括形成第二导电单元，第二导电单元与第一导电单元分离且电连接至第二部分。该方法可包括在基板上形成像素单元。像素单元包括电连接至第一导电单元的第一电极、与第一电极相对的第二电极、以及设置在第一电极和第二电极之间的有机发光层。第一电极和第二电极中的至少一个具有透光性。
[0024]以下将参照附图描述各个实施例。
[0025]附图是示意性的或概念性的。例如，每一部分的厚度和宽度之间的关系、以及多个部分间的尺寸比例不必要与附图实际相同。而且，取决于附图，可以示出具有不同尺寸或比率的相同部分。
[0026]在本说明书和附图中，用相同的附图标记来标注和之前参照前图示出的那些组件类似的组件，并且适当地省略对它们的详细描述。
[0027](第一实施例)
[0028]图1是示意性地示出根据第一实施例的半导体元件的剖视图。
[0029]图2是示意性地示出根据第一实施例的半导体元件的一部分的平面图。
[0030]如图1和2所示，半导体元件110包括半导体层10、第一导电单元11、第二导电单元12、栅电极13、和栅绝缘膜14。半导体元件110是例如薄膜晶体管。
[0031]半导体层10包括第一部分103、与第一部分103布置在第一方向上的第二部分106、以及设置在第一部分103和第二部分10)3之间的第三部分10(3。
[0032]半导体层10包括氧化物半导体。半导体层10包括，例如包括铟(?)、镓((?)、锌(211)和锡(?)中的至少一个的氧化物半导体。半导体层10由例如包括和211的氧化物半导体(即，111-&1-211-0氧化物半导体)制成。半导体层10可由例如包括III和211的氧化物半导体(即，111-2=-0氧化物半导体)制成。半导体层10可由例如包括和51的氧化物半导体(即，111-211-31-0氧化物半导体)制成。
[0033]第一导电单元11电连接至第一部分103。第二导电单元12与第一导电单元11分离且电连接至第二部分10匕例如，第一导电单元11和第二导电单元12中的一个是漏极，而另一个是源极。第一导电单元11和第二导电单元12由例如10、I1、八1、110、120、102队和I抓制成。第一导电单元11和第二导电单元12可由例如这些材料的堆叠膜制成。
[0034]栅电极13与第一导电单元11、第二导电单元12、和第三部分10(3分离。栅电极13与第三部分10(3相对。栅电极13由例如高熔点材料制成，高熔点材料诸如钨化钥(101)、钽化钥(10?)、和钨。替代地，栅电极13的材料可以是八1合金，该八1合金主要包括由抵抗小丘的八1或具有低电阻率的。组成。
[0035]栅绝缘膜14设置在第三部分和栅电极13之间。栅绝缘膜14由例如氧化硅(例如，3109膜、氮化硅(例如，31队)膜、和氮氧化硅膜(310⑷中的至少一个制成。
[0036]在该示例中，半导体元件10还包括层间绝缘膜15、基板20、和阻挡层22。层间绝缘膜15、基板20和阻挡层22根据需要来提供，并且可以被省略。
[0037]层间绝缘膜15设置在半导体层10和第一导电单元11之间、以及半导体层10和第二导电单元12之间。层间绝缘膜15具有绝缘性质。层间绝缘膜15由例如氧化硅膜、氮化硅膜、和氮氧化硅膜中的至少一个制成。
[0038]层间绝缘膜15包括第一开口 153和第二开口 15比第一开口 15&用于暴露第一部分103的至少一部分，第二开口 156用于暴露第二部分106的至少一部分。
[0039]第一导电单元11电连接至由第一开口 153所暴露的第一部分103的至少一部分。第一导电单元11的部分1匕被插入第一开口 153内。第一导电单元11的部分1匕例如与第一开口 153中的第一部分103接触。因此，第一导电单元11电连接至第一部分103。
[0040]第二导电单元12电连接至由第二开口 156所暴露的第二部分106的至少一部分。第二导电单元12的部分123被插入第二开口 156内。第二导电单元12的部分123例如与第二开口 156中的第二部分106接触。因此，第二导电单元12电连接至第二部分10匕
[0041]第一导电单元11的部分1匕和第二导电单元12的部分123被称为接触孔。部分11&可由与第一开口 153外部的第一导电单元11的部分的材料相同的材料一体地形成，或者可由与外部部分的材料不同的材料形成。部分123可由与第二开口 156外部的第二导电单元12的部分的材料相同的材料一体地形成，或者可由与外部部分的材料不同的材料形成。
[0042]阻挡层22设置于基板20上。基板20是例如玻璃基板或半导体基板。基板20可由诸如聚酰亚胺之类的树脂材料制成。阻挡层22抑制例如水汽和杂质自基板20侧渗透。阻挡层22保护例如半导体层10不受水汽等伤害。阻挡层22由例如氧化硅膜、氮化硅膜、或氮氧化硅膜制成。
[0043]在该示例中，栅电极13设置于阻挡层22上。栅绝缘膜14设置于栅电极13上。半导体层10设置于栅绝缘膜14上。第一导电单元11设置于第一部分103上。第二导电单元12设置于第二部分106上。也就是说，在该示例中，半导体元件110是底栅型的薄膜晶体管。在该示例中，层间绝缘膜15设置于半导体层10上。第一导电单元11和第二导电单元12设置于层间绝缘膜15上。
[0044]这里，与栅电极13和栅绝缘膜14的堆叠方向平行的方向被称为2轴方向。与2轴方向垂直的一个方向被称为X轴方向。与X轴方向和2轴方向垂直的方向被称为X轴方向。在该示例中，第二部分106与第一部分103布置在X轴方向上。第二部分106的布置方向不限于X轴方向，而可以是垂直于2轴方向的任意方向。
[0045]在半导体元件110的半导体层10中，第一部分10&的氮浓度高于第三部分10(3的氮浓度。而且，第二部分106的氮浓度高于第三部分10(3的氮浓度。例如，第三部分10(3基本上不包含氮。第一部分103和第二部分106由例如膜制成。第三部分10(3由例如111-&1-211-0膜制成。第一部分103和第二部分106包括氮。
[0046]第一部分103中氮的组分比为例如大于0原子％且小于等于3原子第二部分10?中氮的组分比为例如大于0原子％且小于等于3原子
[0047]可以通过例如能量色散X射线光谱(￡0?或波长色散X射线光谱来测量半导体层10的氮浓度。例如，在波长色散X射线光谱中，在定量分析的条件下进行测量。因此，例如，可以较高准确度来测量半导体层10的氮浓度。
[0048]因此，在半导体层10中，使第一部分103的电阻率高于第三部分10。的电阻率。使第二部分106的电阻率高于第三部分10。的电阻率。第一部分103的电阻率为例如大于等于10 0 -挪且小于等于10%.挪。第二部分106的电阻率为例如大于等于10 0 - 0111且小于等于10%.挪。第三部分10(3的电阻率为例如大于等于10—40 - 0111且小于等于100 ^ #。111。
[0049]图3是示出根据第一实施例的半导体元件的特性的示例的图。
[0050]在图3中，水平轴表示半导体层10的氮组分比队(原子％ )，且纵轴表示半导体层10的电阻率8(0，挪)。图3示出经受热处理的半导体层10的氮浓度和电阻率之间的关系。在制造半导体元件110的过程中，在约200 — 4001下进行热处理。这可提高半导体层10的均匀性和稳定性。
[0051]在图3中，第一特性011是半导体层10在热处理之前的特性的示例。第二特性0X2是半导体层10在2301下的热处理之后的特性的示例。第三特性013是半导体层10在3001下的热处理之后的特性的示例。第四特性014是半导体层10在3801下的热处理之后的特性的示例。
[0052]如图3所示，在第一特性011和第二特性012中，电阻率随着氮组分比的增加而下降。另一方面，在第三特性013和第四特性014中，当氮组分比自基本上不包含氮的状态增加时，电阻率先升高再下降。例如，在第四特性014中，当氮组分比被设为约1原子％时，电阻率达最大值。而且，在第四特性014中，当氮组分比高于3原子％时，电阻率低于0原子％时的电阻率。
[0053]因此，在其中在半导体层10上进行3001或更高温度下的热处理的情况下，第一部分10&和第二部分106的氮组分比被设为大于0原子％且低于3原子％。因而，第一部分103和第二部分106的电阻率高于第三部分10。的电阻率。例如，第一部分103和第二部分106的电阻率可以被设为大于等于10 0 -挪。
[0054]在该示例中，第一部分103设置为沿半导体层10的2轴方向延伸。同样，第二部分106设置为沿半导体层10的2轴方向延伸。例如，第一部分103完全设置在半导体层10的2轴方向上。同样，第二部分106完全设置在半导体层10的2轴方向上。
[0055]半导体层10包括第一表面？1和第二表面？2。第一表面？1是例如与第一导电单元11和第二导电单元12的每一个相对的表面。半导体层10例如在第一表面？1处与第一导电单兀11和第二导电单兀12相接触。第二表面？2是在第一表面？1相对侧上的表面。
[0056]第一部分103设置为例如在2轴方向上自第一表面？1连续到第二表面？2。第二部分106设置为例如在2轴方向上自第一表面？1连续到第二表面？2。例如，在第一部分103和第二部分106中，第一表面？1侧上的氮浓度高于第二表面？2侧上的氮浓度。因此，第一部分103和第二部分106可具有变化的氮浓度分布。第一部分103和第二部分106的每一个的氮浓度可基本恒定。
[0057]半导体层10的厚度(2轴方向上的长度)为例如大于等于5=111且小于等于10011111。更优选地，半导体层10的厚度为例如大于等于川鹽且小于等于30=1
[0058]在半导体元件110中，层间绝缘膜15包括第一区域150和第二区域1511。第二区域15！！设置在半导体层10和第一区域150之间。第一区域150的氮浓度高于第二区域15^的氮浓度。第一区域15111由例如氧化硅膜(31(?)制成。第二区域1511由例如氮氧化硅膜(810^)制成。这可以增强例如层间绝缘膜15的阻挡性质。例如，可抑制水汽自第一导电单元11和第二导电单元12的一侧渗透。例如，可以保护半导体层10等不受水汽等伤害。
[0059]如图2所示，在该示例中，半导体层10跨栅电极13而放置。在该示例中，当投影在XI平面(垂直于堆叠方向的平面)上时，半导体层10的X轴方向上的两端不会与栅电极13重叠。进一步，在该示例中，当投影在XI平面上时，第一导电单元11的部分1匕包括重叠于栅电极13的部分和不重叠于栅电极13的部分。同样，当投影在XI平面上时，第二导电单元12的部分123包括重叠于栅电极13的部分和不重叠于栅电极13的部分。
[0060]薄膜晶体管广泛用于例如液晶显示设备和有机电致发光(￡0显示设备中。作为这种薄膜晶体管的半导体层的材料，氧化物半导体正吸引注意。
[0061〕 其中，基于诸如111-&1-211-0膜之类的非晶氧化物半导体的薄膜晶体管正吸引注意。通过溅射技术，在室温下以大面积可基本均匀地形成氧化物半导体。进一步，可以在诸如300-4001之类的相对低的处理温度下形成具有高稳定性和高均匀性的薄膜晶体管。此夕卜，获得高迁移率特性，诸如近似为非晶硅的迁移率10倍的场效应迁移率。然而，在形成基于上述氧化物半导体形成薄膜晶体管的情况下，存在热稳定性和光照射下的稳定性的问题。
[0062]在其中半导体层由氧化物半导体制成的薄膜晶体管中，进行200-4001下的热处理以改进均匀性和稳定性。然而，在3001或更高的热处理下，在电极和氧化物半导体之间的界面处发生氧化还原反应。因此，氧被提取到电极中。例如，在氧化物半导体中的电极附近发生大量氧空位。例如，如果用短波光照射由热处理所产生的氧空位区域，阈值电压降低。
[0063]相反，在根据该实施例的半导体元件110中，在半导体层10中，使电连接至第一导电单元11的第一部分103的氮浓度和电连接至第二导电单元12的第二部分106的氮浓度高于第三部分10。的氮浓度。
[0064]因此，在根据该实施例的半导体元件110中，可以抑制对半导体层10的第一导电单元11附近的氧的提取。可以抑制对半导体层10的第二导电单元12附近的氧的提取。也就是说，可以抑制第一部分103和第二部分106中的氧的提取。因而，在半导体元件110中，例如，可以抑制由于热和光造成的阈值电压变化。因此，在根据该实施例的半导体元件110中可以实现高可靠性。
[0065]进一步，如参照图3所述，第一部分103和第二部分106中的氮组分比被设为大于等于0原子％且小于等于3原子因此，使第一部分103和第二部分106的电阻率高于第三部分10。的电阻率。这可以更为适当地抑制由于热和光造成的阈值电压变化。
[0066]接着，描述用于制造半导体元件110的方法。
[0067]图4八到％是示意性地示出用于制造根据第一实施例的半导体元件的顺序过程的首丨】视图。
[0068]如图4八所示，在半导体元件110的制造过程中，首先，阻挡层22形成于基板20上，且栅电极13形成于阻挡层22上。
[0069]如图48所示，栅绝缘膜14形成于栅电极13上。栅绝缘膜14由例如31队膜制成。例如，可以通过在51队膜上堆叠310,膜或者至少一个高&膜(诸如八10,膜、膜、1--膜和膜)中，以堆叠结构配置栅绝缘膜14。
[0070]如图扣所示，半导体层10形成于栅绝缘膜14上。通过例如反应溅射技术形成包括氧化物半导体的半导体层10。用于溅射的膜形成气氛是例如氩和氧的混合气氛。例如，用氩和氧的比值可控制氧化物半导体的载流子密度。用于形成半导体层10的方法不限于反应溅射技术，而可以是各种薄膜形成技术的任一种，诸如技术、反应溅射技术、?0技术、和旋涂技术。半导体层10具有如氧化结构和多晶结构。可以通过例如高功率121来观察和确认半导体层10的各种薄膜结构。
[0071]如图40所示，在半导体层10上形成用作保护膜的层间绝缘膜15。层间绝缘膜15由例如310,膜制成。层间绝缘膜15由例如技术形成。用于技术的膜形成气氛是例如硅烷和四氧化二氮的混合气氛。层间绝缘膜15可以由例如原硅酸四乙酯(1203)形成。
[0072]接着，在清洗炉或石英炉内进行热处理。热处理的温度为例如200-4001，优选为350-4001。热处理在环境气体和氮气氛中进行。
[0073]如图42所示，通过例如光刻处理和蚀刻处理在层间绝缘膜15中形成第一开口 15&和第二开口 156。也就是说，半导体层10的第一部分103的至少一部分通过第一开口 15&暴露，半导体层10的第二部分10)3的至少一部分通过第二开口 15)3暴露。通过例如反应离子蚀刻来形成第一开口 153和第二开口 15匕用于蚀刻的气氛由例如四氟化碳制成。
[0074]如图4？所示，自层间绝缘膜15上方注入氮。因此，根据第一开口 15&的形状，将氮注入半导体层10的第一部分103。根据第二开口 156的形状，将氮注入半导体层10的第二部分10匕因此，使第一部分103的氮浓度和第二部分106的氮浓度高于第三部分10(3的氮浓度。
[0075]而且，氮还被注入层间绝缘膜15的上部。因此，在层间绝缘膜15中形成第一区域150和第二区域151使得第一区域150的氮浓度高于第二区域15=的氮浓度。
[0076]因此，在注入氮时，例如，层间绝缘膜15被用作掩模。与例如单独准备专用掩模的情况相比，这可以简化制造过程。而且，第一区域15！:！形成于层间绝缘膜15中。这可增强例如层间绝缘膜15的阻挡性质。
[0077]如图％所示，在层间绝缘膜15上形成构成源极和漏极的第一导电单元11和第二导电单元12。在形成第一导电单元11和第二导电单元12时，例如，通过磁电溅射技术等在层间绝缘膜15上形成金属膜。金属膜由例如10、11、八1、110、120、11队或1抓制成。金属膜可以是例如这些材料的堆叠膜。结果，通过例如电感耦合的反应离子蚀刻来图案化金属膜。因此，形成第一导电单元11和第二导电单元12。
[0078]接着，在清洗炉或石英炉内进行热处理。热处理的温度为例如200-4001，优选是250-3501。在环境气体和氮中进行热处理。
[0079]因此，完成半导体元件110。
[0080]图5是示意性地示出用于制造根据第一实施例的半导体元件的方法的流程图。
[0081]如图5所示，用于制造根据该实施例的半导体元件的方法包括:用于形成栅电极13的步骤3110，用于形成栅绝缘膜14的步骤3120，用于形成半导体层10的步骤3130，用于注入氮的步骤3140，用于形成第一导电单元11的步骤3150，以及用于形成第二导电单元12的步骤3160。用于制造根据该实施例的半导体元件的方法还可以包括其他步骤。例如，可以在步骤3130和步骤3140之间设置用于形成层间绝缘膜15的步骤。
[0082]步骤3110执行例如参照图4八描述的处理。步骤3120执行例如参照图48描述的处理。步骤3130执行例如参照图扣描述的处理。步骤3140执行例如参照图40至4？描述的处理。步骤3150和步骤3160执行例如参照图％描述的处理。
[0083]因此，可制造具有高可靠性的半导体元件。
[0084]图6是示意性地示出根据第一实施例的替代半导体元件的剖视图。
[0085]如图6所示，在半导体元件112中，半导体层10还包括第四部分10(1和第五部分106。在该例中，第一部分103设置在第一导电单元11和第四部分10(1之间。第二部分106设置在第二导电单元12和第五部分106之间。
[0086]第一部分103的氮浓度高于第四部分10(1的氮浓度。第二部分106的氮浓度高于第五部分106的氮浓度。例如，第四部分10(1和第五部分106基本上不包含氮。第四部分10(1和第五部分106的氮浓度为例如基本上等于第三部分10。的氮浓度。第四部分10(1和第五部分106由例如氧化硅膜制成。
[0087]也就是说，在半导体元件112中，具有高氮浓度的半导体层10的部分(第一部分103和第二部分10幻被设置于半导体层10的2轴方向的一部分中。因此，第一部分103和第二部分106不需要被设置于半导体层10的整个2轴方向上。第一部分103和第二部分10?仅需要至少被设置于第一表面？1附近。也就是说，第一部分103和第二部分1013仅需要被设置在半导体层10的与第一导电单元11和第二导电单元12相对的相应部分(与第一导电单元11和第二导电单元12相接触的相应部分)中。
[0088]在半导体元件112中，第一部分10&的厚度七1和第二部分106的厚度七2中的每一个为例如大于0且小于等于5=1这可以抑制例如半导体层10的电阻率。
[0089]另一方面，在半导体元件110中，第一部分103和第二部分106被设置于半导体层10的整个2轴方向上。在该情况下，例如，可更为适当地抑制半导体层10的第一导电单元11附近和第二导电单元12附近的氧空位。
[0090]图7八和78是示出根据第一实施例的替代半导体元件的示意图。
[0091]图7八是半导体元件114的示意性剖视图。图78是半导体元件114的示意性平面图。
[0092]如图7八和78所示，在半导体元件114中，栅电极13与半导体层10的全部相对。在该例中，当投影在XI平面上时，半导体10的全部与栅电极13重叠。也就是说，在该示例中，半导体层10不延伸到栅电极13外部。
[0093]进一步，在半导体元件114中，当投影在XI平面上时，第一导电单元11的部分1匕的全部与栅电极13重叠。当投影在XI平面上时，第二导电单元12的部分123的全部与栅电极13重叠。因此，在半导体元件114中，例如，与半导体元件110相比，可以抑制锥形部分上的电场浓度。
[0094](第二实施例)
[0095]图8是示意性地示出根据第二实施例的半导体元件的剖视图。
[0096]如图8所示，如在以上实施例中，在半导体元件210中，半导体层10包括第一部分10&、与第一部分103布置在X轴方向上的第二部分10)3、以及设置在第一部分103和第二部分106之间的第三部分10(3。半导体层10包括氧化物半导体。第一导电单元11电连接至第一部分103。第二导电单元12与第一导电单元分离11且电连接至第二部分10匕栅电极13与第一导电单兀11和第二导电单兀12分尚。栅电极13与第三部分10(3相对。栅绝缘膜14设置在第三部分10。和栅电极13之间。第一部分103的氮浓度高于第三部分10(3的氮浓度。第二部分106的氮浓度高于第三部分10。的氮浓度。
[0097]如在以上实施例中，半导体元件210包括层间绝缘膜15。层间绝缘膜15设置在半导体层10和第一导电单元11之间、以及在半导体层10和第二导电单元12之间。层间绝缘膜15包括第一区域150和第二区域15！！。第二区域15=设置在半导体层10和第一区域15111之间。第一区域15111的氮浓度高于第二区域1511的氮浓度。
[0098]另一方面，在半导体元件210中，栅绝缘膜14设置在第三部分10^上。栅电极13设置在栅绝缘膜14上。第一导电单元11设置在第一部分103上。第二导电单元12设置在第二部分106上。
[0099]也就是说，半导体元件210是所谓顶栅型的薄膜晶体管。在顶栅型的半导体元件210中，使第一部分103的氮浓度高于第三部分10。的氮浓度，且使第二部分106的氮浓度高于第三部分10。的氮浓度。因此，如在以上实施例中那样，在半导体元件210中，也可改进半导体元件210的可靠性。
[0100]接着，描述一种用于制造半导体元件210的方法。
[0101]图9八到％是示意性地示出用于制造根据第二实施例的半导体元件的顺序过程的首丨】视图。
[0102]这里，不再详细描述可以和以上半导体元件110类似实现的半导体元件210的组成材料以及半导体元件210的具体形成方法。
[0103]如图9八所示，在半导体元件210的制造过程中，首先，阻挡层22形成于基板20上，且半导体层10形成于阻挡层22上。
[0104]如图98所示，栅绝缘膜14形成于半导体层10的第三部分10。上。
[0105]如图％所示，栅电极13形成于栅绝缘膜14上。
[0106]如图90所示，层间绝缘膜15形成于阻挡层22上、形成于半导体层10上、形成于栅绝缘膜14上、以及形成于栅电极13上。
[0107]接着，在清洗炉或石英炉内进行热处理。热处理的温度为例如200-4001，优选为350-4001。热处理在环境气体和氮中进行。
[0108]如图92所示，通过例如光刻处理和蚀刻处理在层间绝缘膜15中形成第一开口 15&和第二开口 156。也就是说，半导体层10的第一部分103的至少一部分通过第一开口 15&暴露，半导体层10的第二部分10)3的至少一部分通过第二开口 15)3暴露。
[0109]如图9？所示，自层间绝缘膜15上方注入氮。因此，根据第一开口 15&的形状，将氮注入半导体层10的第一部分103。根据第二开口 156的形状，将氮注入半导体层10的第二部分10匕因此，使第一部分103的氮浓度和第二部分106的氮浓度高于第三部分10(3的氮浓度。
[0110]此外，氮还被注入层间绝缘膜15的上部。因此，第一区域150和第二区域15打形成于层间绝缘膜15中。使得第一区域150的氮浓度高于第二区域15=的氮浓度。
[0111]如图％所示，在层间绝缘膜15上形成构成源极和漏极的第一导电单元11和第二导电单元12。
[0112]接着，在清洗炉或石英炉内进行热处理。热处理的温度为例如200-4001，优选是250-3501。在环境气体和氮气氛中进行热处理。
[0113]因此，完成半导体元件210。
[0114]图10是示意性地示出用于制造根据第二实施例的半导体元件的方法的流程图。
[0115]如图10所示，用于制造根据该实施例的半导体元件的方法包括:用于形成半导体层10的步骤3210，用于形成栅绝缘膜14的步骤3220，用于形成栅电极13的步骤3230，用于注入氮的步骤3240，用于形成第一导电单元11的步骤3250，以及用于形成第二导电单元12的步骤3260。用于制造根据该实施例的半导体元件的方法还可以包括其他步骤。例如，可在步骤3230和步骤3240之间设置用于形成层间绝缘膜15的步骤。
[0116]步骤3210执行例如参照图9八描述的处理。步骤3220执行例如参照图98描述的处理。步骤3230执行例如参照图％描述的处理。步骤3240执行例如参照图90至9？描述的处理。步骤3250和步骤3260执行例如参照图％描述的处理。
[0117]因此，可以制造具有高可靠性的半导体元件。
[0118](第三实施例)
[0119]图11是示意性地示出根据第三实施例的显示设备的剖视图。
[0120]如图11所示，显示设备310包括半导体元件310和像素单元30。在该示例中，图示出半导体元件110。然而，显示设备310中包括的半导体元件可以是在以上实施例中描述的半导体元件的任一个。
[0121]像素单元30包括第一电极31、第二电极32、和有机发光层33。第一电极31电连接至第一导电单元11。第二电极32与第一电极31相对。第二电极31在例如2轴方向上与第一电极31相对。有机发光层33设置在第一电极31和第二电极32之间。在像素单兀30中，第一电极31和第二电极32中的至少一个具有透光性。在该不例中，从有机发光层33发出的光通过第一电极31被传送并且被传送到外部。
[0122]显示设备310包括例如多个半导体元件110和多个像素单元30。例如，多个半导体元件110分别与多个像素单元30相对。例如，从多个像素单元30的光发射由相应的半导体元件110来控制。例如，多个像素单元和多个半导体元件110被组合和布置在一矩阵中。在显示设备310中，控制布置在二维矩阵中的每一个像素单元30的光发射。因此，可在显示设备310中显示图像。也就是说，在该示例中，显示设备310是基于有机此的有源矩阵显示设备。
[0123]像素单元30的驱动方案不限于有源矩阵方案。例如，驱动方案可以是无源矩阵方案或其他驱动方案。例如，在无源矩阵方案的情况下，为布置在一行中的多个像素单元30设置一个半导体元件110。
[0124]在该示例中，显示设备310还包括滤色器40、堤岸层42、密封层44、接合层46、和树脂层48。
[0125]滤色器40设置在第一电极31和层间绝缘膜15之间。滤色器40例如对每个像素单元30具有不同的颜色。滤色器40由具有例如红色、绿色和蓝色之一的彩色树脂膜(例如，彩色抗蚀剂)制成。例如，红色、绿色和蓝色的滤色器40在相应的像素单元30中以规定图案布置。从有机发光层33发出的光通过滤色器40被传送，并且从基板20侧被发射到外部。因此，从每个像素单元30发出具有与滤色器40相对应的颜色的光。滤色器40根据需要而设置。可以省略滤色器40。
[0126]第一电极31设置于滤色器40上。第一电极31由例如具有导电性和透光性的材料制成。第一电极31由例如110(铟锡氧化物)制成。
[0127]滤色器40被设置为具有用于暴露第一导电单兀11的一部分的开口。第一电极31的一部分被插入滤色器40的该开口。第一电极31在例如第一导电单元11的开口中暴露的部分中电连接至第一导电单元11。第一电极31例如与第一导电单元11的开口中暴露的部分相接触。
[0128]堤岸层42设置于第一电极31和滤色器40上。堤岸层42由例如具有绝缘性质的材料制成。堤岸层42由例如有机树脂材料制成。堤岸层42设置为具有用于暴露第一电极31的一部分的开口。例如，堤岸层42的开口限定每个像素单元30的区域。
[0129]有机发光层33设置于堤岸层42上。有机发光层33例如在堤岸层4211的开口中与第一电极31相接触。有机发光层33由例如堆叠体制成，在堆叠体中堆叠了空穴传输层、发光层、和电子传输层。有机发光层33可以仅设置在例如与第一电极31相接触的部分中。也就是说，有机发光层33可以仅设置于堤岸层42的开口中。
[0130]第二电极32设置于有机发光层33上。第二电极32由具有导电性的材料制成。第二电极32由例如铝01)制成。
[0131]密封层44覆盖有机发光层33和第二电极32。密封层44保护例如有机发光层33和第二电极32。密封层44由例如氧化硅膜、氮氧化硅膜、氮化硅膜、氧化铝、和氧化钽膜中的至少一个制成。密封层44由例如它们的堆叠膜制成。
[0132]树脂层48通过接合层46被接合到密封层44上。树脂层48由例如聚酰亚胺制成。
[0133]在该不例中，从有机发光层33发出的光通过第一电极31被传送，并被发射到基板20外部。也就是说，在该示例中，显示设备310具有所谓的底部发射型。因此，在该示例中，例如，栅绝缘膜14、层间绝缘膜15、基板20、和阻挡层22的每一个都由具有透光性的材料制成。
[0134]例如，第一电极31可以是光反射的，第二电极32可以是光透射的，且光可被发射到树脂层48外部。也就是说，显示设备310可以是所谓的顶部发射型。在该情况下，例如，密封层44、接合层46、和树脂层48的每一个都由具有透光性的材料制成。
[0135]接着，描述一种用于制造显示设备310的方法。
[0136]图12八和128是示意性地示出用于制造根据第三实施例的显示设备的顺序过程的首丨】视图。
[0137]如图12八所示，在显示设备310的制造时，通过以上实施例中描述的制造方法之一将半导体元件110形成于基板20上。
[0138]如图128所示，在形成半导体元件110之后，像素单元30形成于基板20上。例如，像素单元30形成于半导体元件110的层间绝缘膜15上。
[0139]例如，滤色器40形成于层间绝缘膜15上。用于暴露第一导电单元11的至少一部分的开口形成于滤色器40中。第一电极31形成于滤色器40上。堤岸层42形成于第一电极31和滤色器40上。用于暴露第一电极31的一部分的开口形成于堤岸层42中。有机发光层33形成于堤岸层42上。第二电极32形成于有机发光层33上。密封层44形成于第二电极32上。树脂层48经由接合层46被接合到密封层44上。
[0140]因此，完成显示设备310。
[0141]图13是示意性地示出用于制造根据第三实施例的显示设备的方法的流程图。
[0142]如图13所示，用于制造根据该实施例的显示设备的方法包括:用于形成半导体元件110的步骤3310、以及用于形成像素单元30的步骤3320。步骤3310可以基于例如参照图5或图10所述的方法。
[0143]步骤3310执行例如参照图12八描述的处理。步骤3320执行例如参照图128描述的处理。
[0144]因此，可以制造具有高可靠性的显示设备。
[0145]各个实施例提供了具有高可靠性的半导体元件、显示设备、制造半导体元件的方法、以及制造显示设备的方法。
[0146]在本说明书中，“垂直”和“平行”不仅意指精确垂直和精确平行，而是包括例如制造过程中的各种变化，并且仅需要意指基本垂直和基本平行。在本说明书中，“设置于…上”的状态不仅包括直接接触地设置的状态，也包括其间插有另一元件的设置状态。“堆叠”的状态不仅包括彼此接触地堆叠的状态，也包括其间插有另一元件的堆叠状态。“相对”的状态不仅包括直接面对的状态，也包括其间插有另一元件的面对状态。在本说明书中，“电连接”不仅包括直接接触地连接的情况，也包括经由另一导电构件等连接的情况。
[0147]以上参照多个示例描述了本发明的多个实施例。
[0148]然而，本发明的实施例不限于这些示例。例如，只要本领域的技术人员能够从公知配置中适当地选择这种配置而类似地实现本发明并实现类似的效果，各个组件(诸如半导体元件和显示设备中所包括的半导体层、第一导电单元、第二导电单元、栅电极、栅绝缘膜、层间绝缘膜、像素单元、第一电极、第二电极和有机发光层)的任何具体配置都被包括在本发明的范围内。
[0149]进一步，只要技术上可行，这些示例中的任何两个或更多个组件可以互相组合。这种组合也被包括在本发明的范围内，只要它们落在本发明的精神内。
[0150]本领域的技术人员可以适当地修改和实现以上在本发明多个实施例中所述的具有高可靠性的半导体元件、显示设备、制造半导体元件的方法、以及制造显示设备的方法。所有这样的具有高可靠性的半导体元件、显示设备、制造半导体元件的方法、以及制造显示设备的方法也被包括在本发明的范围内，只要它们落在本发明的精神内。
[0151]本领域的技术人员可以在本发明的精神内构想各种其他的变化和修改，可以理解，这种变化和修改也被包括在本发明的范围内。
[0152]尽管已经描述了特定的实施例，但是这些实施例仅通过示例而呈现，而不意图限制本发明的范围。实际上，这里描述的新颖实施例可以体现于多种其他形式中；而且，可以作出以这里所述实施例形式的各种省略、替换和改变，而不背离本发明的精神。附图及其等价物意图覆盖会落入本发明的范围和精神的这样的形式或修改。
【权利要求】
1.一种半导体兀件，包括； 半导体层，包括第一部分、与所述第一部分布置在第一方向上的第二部分、以及设置在所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分，所述半导体层包括氧化物半导体； 第一导电单元，电连接至所述第一部分； 第二导电单元，与所述第一导电单元分离且电连接至所述第二部分； 栅电极，与所述第一导电单元、所述第二导电单元、和所述第三部分分离，所述栅电极与所述第三部分相对；以及 栅绝缘膜，设置在所述第三部分和所述栅电极之间， 所述第一部分的氮浓度高于所述第三部分的氮浓度，且 所述第二部分的氮浓度高于所述第三部分的氮浓度。
2.如权利要求1所述的元件，其特征在于， 所述第一部分被设置为沿垂直于所述第一方向的第二方向延伸，且 所述第二部分被设置为沿所述第二方向延伸。
3.如权利要求1所述的元件，其特征在于， 所述半导体层还包括第四部分和第五部分， 所述第一部分设置在所述第一导电单元和所述第四部分之间， 所述第二部分设置在所述第二导电单元和所述第五部分之间， 所述第一部分的氮浓度高于所述第四部分的氮浓度，以及 所述第二部分的氮浓度高于所述第五部分的氮浓度。
4.如权利要求1所述的元件,还包括: 层间绝缘膜，设置在所述半导体层和所述第一导电单元之间、且在所述半导体层和所述第二导电单元之间， 所述层间绝缘膜包括第一开口和第二开口，所述第一开口暴露所述第一部分的至少一部分，所述第二开口暴露所述第二部分的至少一部分， 所述第一导电单元电连接至由所述第一开口所暴露的所述第一部分的至少一部分， 所述第二导电单元电连接至由所述第二开口所暴露的所述第二部分的至少一部分。
5.如权利要求4所述的元件，其特征在于， 所述层间绝缘膜包括第一区域和第二区域，所述第二区域设置在所述半导体层和所述第一区域之间， 所述第一区域的氮浓度高于所述第二区域的氮浓度。
6.如权利要求1所述的元件，其特征在于， 所述栅绝缘膜设置于所述栅电极上， 所述半导体层设置于所述栅绝缘膜上， 所述第一导电单元设置于所述第一部分上，且 所述第二导电单元设置于所述第二部分上。
7.如权利要求6所述的元件，其特征在于，所述栅电极与所述半导体层的全部相对。
8.如权利要求1所述的元件，其特征在于， 所述栅绝缘膜设置于所述第三部分上， 所述栅电极设置于所述栅绝缘膜上， 所述第一导电单元设置于所述第一部分上，且 所述第二导电单元设置于所述第二部分上。
9.如权利要求1所述的元件，其特征在于，所述氧化物半导体包括铟、镓、锌、和锡中的至少一个。
10.如权利要求1所述的元件，其特征在于， 所述第一部分中氮的组分比为大于0原子％且小于等于3原子％，以及 所述第二部分中氮的组分比为大于0原子％且小于等于3原子
11.如权利要求1所述的元件，其特征在于， 所述第一部分的电阻率高于所述第三部分的电阻率，且 所述第二部分的电阻率高于所述第三部分的电阻率。
12.如权利要求11所述的元件，其特征在于， 所述第一部分的电阻率为大于等于10 0.挪且小于等于1080.挪， 所述第二部分的电阻率为大于等于10 0 -挪且小于等于1080 -挪，以及 所述第三部分的电阻率为大于等于10—4 0.挪且小于等于100 0.挪。
13.如权利要求3所述的元件，其特征在于， 所述第一部分的厚度为大于0且小于等于5=%且 所述第二部分的厚度为大于0且小于等于5=1
14.一种显示设备，包括: 半导体元件，所述半导体元件包括: 半导体层，包括第一部分、与所述第一部分布置在第一方向上的第二部分、以及设置在所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分，所述半导体层包括氧化物半导体； 第一导电单元，电连接至所述第一部分； 第二导电单元，与所述第一导电单元分离且电连接至所述第二部分； 栅电极，所述栅电极与所述第一导电单元、所述第二导电单元和、所述第三部分分离，所述栅电极与所述第三部分相对；以及 栅绝缘膜，设置在所述第三部分和所述栅电极之间， 所述第一部分的氮浓度高于所述第三部分的氮浓度，且所述第二部分的氮浓度高于所述第三部分的氮浓度；以及 像素单元，所述像素单元包括电连接至所述第一导电单元的第一电极、与所述第一电极相对的第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机发光层，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个具有透光性。
15.一种用于制造半导体元件的方法，包括: 在基板上形成栅电极； 在所述栅电极上形成栅绝缘膜； 在所述栅绝缘膜上形成半导体层，所述半导体层包括第一部分、与所述第一部分布置在第一方向上的第二部分、以及设置在所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分，其中，所述第一方向垂直于所述栅电极和所述栅绝缘膜的堆叠方向，所述半导体层包括氧化物半导体，且所述第三部分与所述栅电极相对； 将氮注入所述第一部分和所述第二部分，通过注入氮使所述第一部分的氮浓度高于所述第三部分的氮浓度，通过注入氮使所述第二部分的氮浓度高于所述第三部分的氮浓度； 形成电连接至所述第一部分的第一导电单元；以及 形成第二导电单元，所述第二导电单元与所述第一导电单元分离且电连接至所述第二部分。
16.如权利要求15所述的方法,还包括: 在所述半导体层上形成层间绝缘膜，所述层间绝缘膜包括第一开口和第二开口，所述第一开口暴露所述第一部分的至少一部分，所述第二开口暴露所述第二部分的至少一部分， 所述注入氮包括使用所述层间绝缘膜作为掩模来将氮注入所述第一部分和所述第二部分， 所述形成第一导电单元包括在所述层间绝缘膜上形成所述第一导电单元并且将所述第一导电单元电连接至由所述第一开口暴露的所述第一部分的至少一部分，以及 所述形成第二导电单元包括在所述层间绝缘膜上形成所述第二导电单元并且将所述第二导电单元电连接至由所述第二开口暴露的所述第二部分的至少一部分。
17.一种用于制造半导体元件的方法，包括: 在基板上形成半导体层，所述半导体层包括第一部分、与所述第一部分布置在第一方向上的第二部分、以及设置在所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分，所述半导体层包括氧化物半导体； 在所述第三部分上形成栅绝缘膜； 在所述栅绝缘膜上形成栅电极； 将氮注入所述第一部分和所述第二部分，通过注入氮使所述第一部分的氮浓度高于所述第三部分的氮浓度，通过注入氮使所述第二部分的氮浓度高于所述第三部分的氮浓度；形成电连接至所述第一部分的第一导电单元；以及 形成第二导电单元，所述第二导电单元与所述第一导电单元分离且电连接至所述第二部分。
18.如权利要求17所述的方法，还包括: 在所述半导体层上形成层间绝缘膜，所述层间绝缘膜包括第一开口和第二开口，所述第一开口暴露所述第一部分的至少一部分，所述第二开口暴露所述第二部分的至少一部分， 所述注入氮包括:使用所述层间绝缘膜作为掩模来将氮注入所述第一部分和所述第二部分， 所述形成第一导电单元包括:在所述层间绝缘膜上形成所述第一导电单元并且将所述第一导电单元电连接至由所述第一开口暴露的所述第一部分的至少一部分，以及 所述形成第二导电单元包括:在所述层间绝缘膜上形成所述第二导电单元并且将所述第二导电单元电连接至由所述第二开口暴露的所述第二部分的至少一部分。
19.一种用于制造显示设备的方法，包括: 在基板上形成半导体元件；包括: 在所述基板上形成栅电极； 在所述栅电极上形成栅绝缘膜； 在所述栅绝缘膜上形成半导体层，所述半导体层包括第一部分、与所述第一部分布置在第一方向上的第二部分、以及设置在所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分，其中，所述第一方向垂直于所述栅电极和所述栅绝缘膜的堆叠方向，所述半导体层包括氧化物半导体，所述第三部分与所述栅电极相对； 将氮注入所述第一部分和所述第二部分，通过注入氮使所述第一部分的氮浓度高于所述第三部分的氮浓度，通过注入氮使所述第二部分的氮浓度高于所述第三部分的氮浓度； 形成电连接至所述第一部分的第一导电单元；以及 形成第二导电单元，所述第二导电单元与所述第一导电单元分离且电连接至所述第二部分；以及 在所述基板上形成像素单元，所述像素单元包括电连接至所述第一导电单元的第一电极、与所述第一电极相对的第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机发光层，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个具有透光性。
20.一种用于制造显示设备的方法，包括: 在基板上形成半导体元件，包括: 在所述基板上形成半导体层，所述半导体层包括第一部分、与所述第一部分布置在第一方向上的第二部分、以及设置在所述第一部分和所述第二部分之间的第三部分，所述半导体层包括氧化物半导体； 在所述第三部分上形成栅绝缘膜； 在所述栅绝缘膜上形成栅电极； 将氮注入所述第一部分和所述第二部分，通过注入氮使所述第一部分的氮浓度高于所述第三部分的氮浓度，通过注入氮使所述第二部分的氮浓度高于所述第三部分的氮浓度； 形成电连接至所述第一部分的第一导电单元；以及 形成第二导电单元，所述第二导电单元与所述第一导电单元分离且电连接至所述第二部分；以及 在所述基板上形成像素单元，所述像素单元包括电连接至所述第一导电单元的第一电极、与所述第一电极相对的第二电极、以及设置在所述第一电极和所述第二电极之间的有机发光层，所述第一电极和所述第二电极中的至少一个具有透光性。
【文档编号】H01L29/786GK104465782SQ201410432014
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年8月28日 优先权日:2013年9月24日
【发明者】中野慎太郎, 上田知正, 三浦健太郎, 齐藤信美, 坂野龙则, 前田雄也, 热田昌己, 山口 一 申请人:株式会社东芝