超导石墨基盘的制作方法
【专利摘要】超导石墨基盘，上石墨基盘与下石墨基盘的接触面边缘处紧密连接，二者连接处中间形成一个容置腔室，超导材料层置于容置腔室内，上石墨基盘与下石墨基盘的整体外部涂有碳化硅层。本产品结构完善，安全可靠。本产品实现的多层均热作用与传统单层石墨均热区别在于中间的超导材料层，超导材料热导率≥14MW/m?℃，远远大于石墨的极限值1500W/m-K，热阻在超导材料层的面积里可以为零，可以实现上石墨基盘的表面温差优于±0.1℃，甚至达到0温差。极大促进设备性能提升，LED产品波长一致性与发光效率得到显著提升。
【专利说明】超导石墨基盘
[0001]【技术领域】本发明涉及LED (发光二极管)照明【技术领域】，具体的来说是一种用于MOCVD设备的超导石墨基盘。
[0002]【背景技术】随着环境污染压力的增加，LED照明节能产业得以兴起，2014年诺贝尔物理学奖将会促使LED更进一步发展，同时也显示出LED对人类社会将会有巨大贡献。进一步提高LED产品质量将是未来发展方向。LED产业链核心设备同时也是主要成本之一的MOCVD在得到不断的发展。MOCVD关键技术有三项:温度精度、温度均匀性、气体均匀性。其中温度均匀性就是指承载工艺衬底材料的基盘表面的温度一致性。基盘材料的热导率越大，基盘表面温度一致性越高(见图1 )，基盘表面温差相差1°C，做出产品波长相差10纳米以上，发出的光就会千差万别。目前全球在这方面均采用热导率最高的高纯石墨作为基盘，石墨的热导率在150-1500 W/m-K，是现有自然界热导率最高的材料使得基盘表面温差在±0.1°C。如何继续提高基盘表面温度一致性是未来重点发展方向之一。
[0003]
【发明内容】
针对上述存在的问题，本发明的目的是提供一种表面温差接近达到O温差的超导石墨基盘。
[0004]本发明的技术方案是:超导石墨基盘，包括上石墨基盘、下石墨基盘、超导材料层、碳化硅层，其特征在于:上石墨基盘与下石墨基盘的接触面边缘处紧密连接，二者连接处中间形成一个容置腔室，超导材料层置于容置腔室内，上石墨基盘与下石墨基盘的整体外部涂有碳化硅层。
[0005]本发明的优点:本产品结构完善，安全可靠。本产品实现的多层均热作用与传统单层石墨均热区别在于中间的超导材料层，超导材料热导率彡14MW/m*°C，远远大于石墨的极限值1500 W/m-K，热阻在超导材料层的面积里可以为零，可以实现上石墨基盘的表面温差优于±0.1°C，甚至达到O温差。极大促进设备性能提升，LED产品波长一致性与发光效率得到显著提升。
[0006]【专利附图】
【附图说明】图1为本发明的结构主视图。
[0007]图2为图1中D-D剖视图。
[0008]【具体实施方式】现结合附图，对本发明进一步具体说明。
[0009]如图1、2所示，上石墨基盘I与下石墨基盘2的接触面边缘处紧密连接，二者连接处中间形成一个容置腔室，超导材料层3置于容置腔室内，上石墨基盘I与下石墨基盘2的整体外部涂有碳化硅层4，加热器5安装位于下石墨基盘2的下部。
[0010]工作时，加热器5将热量传导给下石墨基盘2，下石墨基盘2均热后再传导到超导材料层3，超导材料层均热后再将热量传导给上石墨基盘I，上石墨基盘I热量来源很均匀，再经过上石墨基盘I均热，能够实现温差优于±0.1°C，碳化硅层4密封与保护上下石墨基盘在高温下不被氧化。
【权利要求】
1.超导石墨基盘，包括上石墨基盘(I)、下石墨基盘(2)、超导材料层(3)、碳化硅层(4)，其特征在于:上石墨基盘(I)与下石墨基盘(2)的接触面边缘处紧密连接，二者连接处中间形成一个容置腔室，超导材料层(3)置于容置腔室内，上石墨基盘(I)与下石墨基盘(2)的整体外部涂有碳化硅层(4)。
【文档编号】H01L21/683GK104409388SQ201410585022
【公开日】2015年3月11日 申请日期:2014年10月28日 优先权日:2014年10月28日
【发明者】陈奕宏 申请人:磐石创新（湖南）新材料有限公司