1.一种电容器，其包括：
槽形阳极和从所述槽形阳极延伸出来的阳极线；
位于所述槽形阳极上的电介质；以及
位于所述电介质上的共形阴极。
2.如权利要求1所述的电容器，其中所述共形阴极具有不大于40微米的平均厚度。
3.如权利要求2所述的电容器，其中所述共形阴极具有不大于20微米的平均厚度。
4.如权利要求3所述的电容器，其中所述共形阴极具有不大于10微米的平均厚度。
5.如权利要求1所述的电容器，其中所述共形阴极的厚度具有不大于平均厚度的50％的偏差。
6.如权利要求5所述的电容器，其中所述共形阴极的厚度具有不大于平均厚度的40％的偏差。
7.如权利要求6所述的电容器，其中所述共形阴极的厚度具有不大于平均厚度的30％的偏差。
8.如权利要求7所述的电容器，其中所述共形阴极的厚度具有不大于平均厚度的20％的偏差。
9.如权利要求8所述的电容器，其中所述共形阴极的厚度具有不大于平均厚度的10％的偏差。
10.如权利要求1所述的电容器，还包括位于所述共形阴极上的电镀金属层。
11.如权利要求10所述的电容器，其中所述电镀金属层包括从如下组中选择的材料：铜、银、镍和金。
12.如权利要求11所述的电容器，其中所述电镀金属层包括铜。
13.如权利要求1所述的电容器，其中所述共形阴极还包括第一导电层。
14.如权利要求13所述的电容器，其中所述第一导电层包括从MnO2和导电聚合物中选出的导电层。
15.如权利要求14所述的电容器，其中所述导电聚合物选自于如下组：聚苯胺、聚吡咯和聚噻吩。
16.如权利要求15所述的电容器，其中所述导电聚合物包括聚二氧噻吩。
17.如权利要求1所述的电容器，其中所述阳极包括阀金属或阀金属的导电氧化物。
18.如权利要求17所述的电容器，其中所述阀金属或所述阀金属的导电氧化物包括选自于如下组的材料：Al、W、Ta、Nb、NbO、Ti、Zr和Hf。
19.如权利要求18所述的电容器，其中所述阀金属或所述阀金属的导电氧化物从钽和铌中选出。
20.如权利要求1所述的电容器，其中所述槽具有不大于0.022英寸的宽度。
21.如权利要求20所述的电容器，其中所述槽具有不大于0.019英寸的宽度。
22.如权利要求21所述的电容器，其中所述槽具有不大于0.016英寸的宽度。
23.如权利要求22所述的电容器，其中所述槽具有至少0.004英寸的宽度。
24.如权利要求1所述的电容器，其中所述槽的深度与宽度的比值至少为0.60:1。
25.如权利要求1所述的电容器，还包括位于所述共形阴极上的含碳层。
26.如权利要求25所述的电容器，还包括位于所述含碳层上的电镀金属层。
27.如权利要求25所述的电容器，其中所述含碳层具有至少1微米且不大于20微米的厚度。
28.如权利要求26所述的电容器，其中所述电镀金属层具有至少2微米的厚度。
29.如权利要求1所述的电容器，其中所述共形阴极包括聚噻吩。
30.如权利要求29所述的电容器，其中所述聚噻吩包括二氧噻吩。
31.如权利要求1所述的电容器，其中所述共形阴极是电化学沉积的导电聚合物。
32.如权利要求10所述的电容器，其中所述电镀金属层在相邻阴极界面处的凹槽的表面积与阴极界面处外部阳极表面的表面积的比值大于75％。
33.如权利要求32所述的电容器，其中所述电镀金属层在相邻阴极界面处的凹槽的表面积与阴极界面处外部阳极表面的表面积的比值大于85％。
34.如权利要求33所述的电容器，其中所述电镀金属层在相邻阴极界面处的凹槽的表面积与阴极界面处外部阳极表面的表面积的比值大于95％。
35.一种形成电容器的方法，该方法包括：
对阳极进行阳极化从而在所述阳极上形成电介质，其中所述阳极包括凹槽和从所述阳极延伸出来的阳极线；
在所述阳极线上形成导电节点；
在所述电介质上形成第一导电层，其中所述第一导电层和所述导电节点与所述阳极线电接触；
向所述阳极线施加电压；以及
在所述第一导电层上电化学沉积导电聚合物从而形成包括所述第一导电层和沉积在所述第一导电层上的所述导电聚合物的共形阴极。
36.如权利要求35所述的形成电容器的方法，其中所述共形阴极具有不大于40微米的平均厚度。
37.如权利要求36所述的形成电容器的方法，其中所述共形阴极具有不大于20微米的平均厚度。
38.如权利要求37所述的形成电容器的方法，其中所述共形阴极具有不大于10微米的平均厚度。
39.如权利要求35所述的形成电容器的方法，其中所述共形阴极的厚度具有不大于平均厚度的50％的偏差。
40.如权利要求39所述的形成电容器的方法，其中所述共形阴极的厚度具有不大于平均厚度的40％的偏差。
41.如权利要求40所述的形成电容器的方法，其中所述共形阴极的厚度具有不大于平均厚度的30％的偏差。
42.如权利要求41所述的形成电容器的方法，其中所述共形阴极的厚度具有不大于平均厚度的20％的偏差。
43.如权利要求42所述的形成电容器的方法，其中所述共形阴极的厚度具有不大于平均厚度的10％的偏差。
44.如权利要求35所述的形成电容器的方法，其中所述形成所述第一导电层包括化学聚合反应。
45.如权利要求35所述的形成电容器的方法，其中所述第一导电层包括从MnO2和导电聚合物中选出的导电层。
46.如权利要求45所述的形成电容器的方法，其中所述导电聚合物选自于如下组：聚苯胺、聚吡咯和聚噻吩。
47.如权利要求46所述的形成电容器的方法，其中所述导电聚合物包括聚二氧噻吩。
48.如权利要求35所述的形成电容器的方法，其中所述阳极包括阀金属或阀金属的导电氧化物。
49.如权利要求48所述的形成电容器的方法，其中所述阀金属或所述阀金属的导电氧化物包括选自于如下组的材料：Al、W、Ta、Nb、NbO、Ti、Zr和Hf。
50.如权利要求49所述的形成电容器的方法，其中所述阀金属或所述阀金属的导电氧化物从钽和铌中选出。
51.如权利要求35所述的形成电容器的方法，其中所述凹槽具有不大于0.022英寸的宽度。
52.如权利要求51所述的形成电容器的方法，其中所述凹槽具有不大于0.019英寸的宽度。
53.如权利要求52所述的形成电容器的方法，其中所述凹槽具有不大于0.016英寸的宽度。
54.如权利要求53所述的形成电容器的方法，其中所述凹槽具有至少0.004英寸的宽度。
55.如权利要求35所述的形成电容器的方法，其中所述凹槽的深度与宽度的比值至少为0.60:1。
56.如权利要求35所述的形成电容器的方法，还包括在所述共形阴极上形成含碳层。
57.如权利要求56所述的形成电容器的方法，还包括在所述含碳层上形成金属层。
58.如权利要求56所述的形成电容器的方法，其中所述含碳层具有至少1微米且不大于20微米的厚度。
59.如权利要求57所述的形成电容器的方法，其中所述金属层具有至少2微米的厚度。
60.如权利要求35所述的形成电容器的方法，其中所述形成所述第一导电层包括化学聚合反应。
61.如权利要求60所述的形成电容器的方法，其中所述化学聚合反应包括聚噻吩的聚合反应。
62.如权利要求35所述的形成电容器的方法，其中所述共形阴极包括聚噻吩。
63.如权利要求62所述的形成电容器的方法，其中所述聚噻吩包括二氧噻吩。
64.如权利要求57所述的形成电容器的方法，其中所述金属层在相邻阴极界面处的凹槽的表面积与阴极界面处外部阳极表面的表面积的比值大于75％。
65.如权利要求64所述的形成电容器的方法，其中所述金属层在相邻阴极界面处的凹槽的表面积与阴极界面处外部阳极表面的表面积的比值大于85％。
66.如权利要求65所述的形成电容器的方法，其中所述金属层在相邻阴极界面处的凹槽的表面积与阴极界面处外部阳极表面的表面积的比值大于95％。
67.一种形成电容器的方法，该方法包括：
对阳极进行阳极化从而在所述阳极上形成电介质，其中所述阳极包括凹槽和从所述阳极延伸出来的阳极线；
在所述阳极线上形成导电节点；
在所述电介质上形成第一导电层，其中所述第一导电层和所述导电节点与所述阳极线电接触；
向所述阳极线施加电压；
在所述第一导电层上电化学沉积导电聚合物从而形成共形阴极；以及
形成与所述共形阴极电接触的金属层。
68.如权利要求67所述的形成电容器的方法，其中形成所述金属层包括通过使电流流过所述导电节点来电镀所述金属层。
69.如权利要求68所述的形成电容器的方法，其中所述金属层包括从如下组中选择的材料：铜、银、镍和金。
70.如权利要求69所述的形成电容器的方法，其中所述金属层包括铜。