技术总结
本发明公开了一种存储器装置及其制造方法，其中在半导体材料衬底中形成沟槽。源极区形成于所述沟槽下方，并且位于所述源极区和漏极区之间的沟道区包括基本上沿所述沟槽的侧壁延伸的第一部分和基本上沿所述衬底的表面延伸的第二部分。浮栅设置在所述沟槽中，并且与所述沟道区第一部分绝缘以便控制其导电性。所述控制栅设置在所述沟道区第二部分上方并且与其绝缘，以便控制其导电性。所述擦除栅至少部分地设置在所述浮栅上方并且与其绝缘。所述一对浮栅之间的所述沟槽的任何部分不含导电元件，除了所述擦除栅的下部部分之外。
技术研发人员：B.陈;C.苏;N.杜
受保护的技术使用者：硅存储技术公司
文档号码：201480074513
技术研发日：2014.12.08
技术公布日：2017.02.15