贯通电极基板和使用贯通电极基板的半导体装置的制造方法

文档序号:11170968阅读:来源:国知局
技术总结
本发明提供一种贯通电极基板和使用贯通电极基板的半导体装置,在该贯通电极基板中,提高了将基板的表面和背面导通的导通部中的电特性。本发明的贯通电极基板(100)具备具有贯通表面和背面的贯通孔(104)的基板(102);和填充在贯通孔(104)内并含有金属材料的导通部(106),导通部(106)至少包含面积加权后的平均晶粒直径为13μm以上的金属材料。另外,导通部(106)包含晶粒直径为29μm以上的金属材料。此外,导通部的一端含有面积加权后的平均晶粒直径比13μm小的金属材料,导通部的另一端至少含有面积加权后的平均晶粒直径为13μm以上的金属材料。

技术研发人员:前川慎志;铃木美雪
受保护的技术使用者:大日本印刷株式会社
文档号码:201510085057
技术研发日:2009.08.26
技术公布日:2017.10.03

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