技术总结
本发明提供一种半导体器件及其制作方法和电子装置，涉及半导体技术领域。该半导体器件包括半导体衬底；位于半导体衬底内的具有第一导电类型的阱区；位于所述半导体衬底表面上的若干鳍片；位于相邻所述鳍片之间的所述半导体衬底上的隔离结构；位于所述隔离结构底部的半导体衬底内的具有第二导电类型的扩散区，并且扩散区位于所述阱区内。本发明的半导体器件包括形成于浅沟槽隔离结构底部的半导体衬底内的扩散区，该扩散区位于阱区内，与阱区构成ESD二极管，用于FinFET器件的静电放电保护。与现有技术相比，本发明的扩散区不受鳍片横截面尺寸的影响，其主要依赖于浅沟槽隔离结构的尺寸，因此该半导体器件具有强鲁棒性，可提供更好的ESD防护性能。
技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201510131193
技术研发日：2015.03.24
技术公布日：2016.11.23