技术总结
一种改善GaN晶体质量的LED外延结构，涉及发光二极管外延技术领域。本发明从下至上依次包括图形化衬底、GaN缓冲层、U型GaN层、N型GaN层、InGaN阱层、GaN垒层、电子阻挡层和P型GaN层。其结构特点是，所述U型GaN层从下至上包括U1型GaN层和U2型GaN层。所述U2型GaN层包括交替生长的2D型GaN层和3D型GaN层。同现有技术相比，本发明能有效减小自发极化和压电极化，提高辐射复合几率，从而达到增强LED出光效率的目的。
技术研发人员：韦春余;林政志;曾颀尧;梁庆荣
受保护的技术使用者：南通同方半导体有限公司;同方股份有限公司
文档号码：201510135171
技术研发日：2015.03.26
技术公布日：2016.11.23