技术总结
本发明提供一种半导体器件和电子装置，涉及半导体技术领域。包括P型半导体衬底；第一N阱位于P型半导体衬底内；第二N阱位于P型半导体衬底内与第一N阱间隔；P阱位于半导体衬底内与第二N阱相邻且接触并与第一N阱间隔；第一N+注入区和第一P+注入区彼此间隔位于第一N阱内；第二P+注入区和第二N+注入区彼此间隔位于第二N阱内；第三P+注入区、第四P+注入区和第三N+注入区彼此间隔位于P阱内，其中，第二P+注入区为半导体器件的阳极，第四P+注入区和第三N+注入区为阴极，第一N+注入区和第三P+注入区相连接，第一P+注入区和第二N+注入区相连接。该半导体器件可实现优异的ESD防护性能及对SCR器件的快速触发。
技术研发人员：钟雷;李宏伟;罗婵;季林燕;程惠娟
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201510176176
技术研发日：2015.04.14
技术公布日：2016.11.23