1.一种制备晶硅薄膜异质结太阳能电池的方法，其特征在于：在导电衬底上，首先制备1-10μm N型微晶硅薄膜或非晶硅薄膜，之后再制备5-10nm非晶硅本征层，然后制备5-20nm P型非晶硅，之后再溅射ITO，制备电极，得到晶硅薄膜异质结太阳能电池；
或在导电衬底上，首先制备1-10μm P型微晶硅薄膜或非晶硅薄膜，之后再制备5-10nm非晶硅本征层，然后制备5-20nm N型非晶硅，之后再溅射ITO，制备电极，得到晶硅薄膜异质结太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的N型或P型晶化的硅薄膜的制备方法为
a)列阵排列的感应线圈于导电衬底背面0.1-1cm处，线圈通入1000-2000安培的交变电流，线圈中的交变电流在导电衬底上和薄膜内部形成涡流，加热薄膜，使得薄膜进一步晶化，制备得到一种晶化的硅薄膜；
或b)将单根感应线圈于导电衬底背面0.1cm-1cm处，线圈通入1000-2000安培的交变电流，感应线圈在电池背面往复平移线圈中的交变电流在导电衬底上和薄膜内部形成涡流，加热薄膜，使得薄膜进一步晶化，制备得到一种晶化的硅薄膜。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的非晶硅本征层的制备方法以及所述的P型或者N型非晶硅的制备方法为PECVD沉积法。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述的溅射ITO为使用溅射或者电子束蒸发，沉积50-100nm的ITO薄膜。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于:所述的导电衬底的材质为不锈钢，铜箔、铝箔或钛合金铝箔。
6.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：a)中感应线圈是方形列阵的形式，其单个线圈直径为0.2cm或20cm；b)中感应线圈的直径为5-30cm。