技术总结
本发明提供了一种制备晶硅薄膜异质结太阳能电池的方法，在导电衬底(不锈钢，铜箔、铝箔、钛合金铝箔)上，首先制备1-10μm N型或者P型的微晶硅薄膜或非晶硅薄膜，基底使用漩涡电流加热，加热的地方硅薄膜会结晶，制备得到一种晶硅薄膜，之后再制备5-10nm非晶硅本征层，再制备5-20nm P型或者N型非晶硅，之后再溅射ITO，制备电极，得到一种晶硅薄膜异质结太阳电池。本发明所需设备简单可靠，成本低廉。
技术研发人员：刘生忠;李灿;王书博;曹越先;王辉;张豆豆
受保护的技术使用者：中国科学院大连化学物理研究所
文档号码：201510245901
技术研发日：2015.05.13
技术公布日：2017.01.04