电镀方法以及晶圆凸块的制备方法与流程

技术特征：

1.一种电镀方法，用于在底层金属层上形成一中间金属层，其特征在于，所述电镀方法包括N次电镀工艺以形成N层子金属层，所述N层子金属层共同构成所述中间金属层，其中，N为大于等于2的正整数，并且第一次电镀工艺的沉积速率小于其余电镀工艺的沉积速率，所述第一次电镀工艺形成的第一子金属层至少部分覆盖所述底层金属层。

2.如权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，所述第一次电镀工艺至第N电镀工艺的沉积速率依次增加。

3.如权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，其中N为3，所述电镀方法包括三次电镀工艺以分别形成第一子金属层、第二子金属层和第三子金属层。

4.如权利要求3所述的电镀方法，其特征在于，以第一沉积速率进行第一次电镀工艺形成第一子金属层，采用的电流密度为0.5-1.0安培每平方分米，形成的第一子金属层的厚度为1μm-2μm。

5.如权利要求3所述的电镀方法，其特征在于，以第二沉积速率进行第二次电镀工艺形成第二子金属层，采用的电流密度为3.0-4.0安培每平方分米，形成的第二子金属层的厚度为10μm-20μm。

6.如权利要求3所述的电镀方法，其特征在于，以第三沉积速率进行第三次电镀工艺形成第三子金属层，采用的电流密度为8.0-9.0安培每平方分米，形成的第三子金属层的厚度为50μm-60μm。

7.如权利要求1所述的电镀方法，其特征在于，所述N层子金属层均为铜金属层。

8.一种晶圆凸块的制备方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上沉积底层金属层；

采用如权利要求1-7任意一项所述的电镀方法形成一中间金属层，所述中间金属层中的第一子金属层部分覆盖所述底层金属层；

在所述中间金属层上形成顶层金属层；以及

对所述顶层金属层进行一热处理过程，使所述顶层金属层呈球冠状。

9.如权利要求8所述的晶圆凸块的制备方法，其特征在于，所述底层金属 层包括第一底层金属层和第二底层金属层。

10.如权利要求9所述的晶圆凸块的制备方法，其特征在于，所述第一底层金属层为镍金属层，所述第一底层金属层的厚度为

11.如权利要求9所述的晶圆凸块的制备方法，其特征在于，所述第二底层金属层为铜金属层，所述第二底层金属层的厚度为

12.如权利要求8所述的晶圆凸块的制备方法，其特征在于，所述顶层金属层为金属锡与金属银的合金。

13.如权利要求12所述的晶圆凸块的制备方法，其特征在于，所述顶层金属层的厚度为30μm-40μm。

14.如权利要求8所述的晶圆凸块的制备方法，其特征在于，形成所述中间金属层之前在所述底层金属层上形成一图案化的光刻胶。

15.如权利要求14所述的晶圆凸块的制备方法，其特征在于，对所述顶层金属层进行热处理过程之前去除所述图案化的光刻胶以及未覆盖所述中间金属层的所述底层金属层。

16.如权利要求8所述的晶圆凸块的制备方法，其特征在于，所示热处理过程的温度为200℃-300℃，并且在热处理过程中加入助焊剂。