技术总结
本发明提供一种电镀方法以及晶圆凸块的制备方法，所述电镀方法用于在底层金属层上形成一中间金属层，电镀方法包括N次电镀工艺以形成N层子金属层，所述N层子金属层共同构成所述中间金属层，其中，N为大于等于2的正整数，并且第一次电镀工艺的沉积速率小于其余电镀工艺的沉积速率，所述第一次电镀工艺形成的第一子金属层至少部分覆盖所述底层金属层。本发明中，第一次电镀工艺的第一沉积速率小于其余电镀工艺的沉积速率，第一沉积速率较小，沉积的过程中第一子金属层与底层金属层之间的接触良好，改善器件性能，并且，增加沉积速率使得电镀成膜进程加快，从而节省电镀工艺所需的时间，提高晶圆凸块制作工艺的效率。
技术研发人员：薛兴涛;孟津;何智清
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
文档号码：201510349810
技术研发日：2015.06.19
技术公布日：2016.12.28