1.一种屏蔽罩，内设有一收容空间，所述收容空间一侧设有开口，所述屏蔽罩包括屏蔽层及分别位于其两侧的基底层与粘接层，所述屏蔽层为网格结构，所述屏蔽层包括延伸至所述开口的接地端，所述粘接层为感压导热导电胶体。
2.如权利要求1所述的屏蔽罩，其特征在于，所述屏蔽罩还包括结合层，所述结合层位于所述基底层与所述屏蔽层之间，用于粘结所述基底层与所述屏蔽层。
3.如权利要求2所述的屏蔽罩，其特征在于，所述基底层、结合层及粘接层均为透明材料，透光率均大于85%，且雾度均小于4。
4.如权利要求1所述的屏蔽罩，其特征在于，所述屏蔽层的厚度范围为4~18μm。
5.如权利要求1所述的屏蔽罩，其特征在于，所述屏蔽层由铜、铝等导电材料制成。
6.一种封装结构，包括如权利要求1-5任一项所述的屏蔽罩，其特征在于，还包括芯片及封装基板，所述芯片收容在所述收容空间内，并与所述粘接层粘接，所述芯片包括从所述开口露出的底面，所述底面设置有多个电极垫，所述封装基板包括多个连接垫及接地垫，所述屏蔽罩及芯片安装在所述封装基板上，所述连接垫与所述电极垫一一对应电性连接，所述接地垫与所述接地端对应电性连接。
7.如权利要求6所述封装结构，其特征在于，所述封装结构还包括底胶，所述底胶填充在所述芯片与所述封装基板之间，并包覆所述电极垫与连接垫形成的电连接结构，所述底胶还填充在所述端部与封装基板之间。
8.如权利要求7所述的封装结构，其特征在于，所述底胶的透光率大于85%，且雾度小于4。
9.一种封装结构制作方法，包括：
提供如权利要求1~5任一项所述的屏蔽罩；
提供芯片，包括底面，所述底面设置有多个电极垫；
将所述芯片装入所述屏蔽罩内，所述芯片与所述粘接层粘接，所述底面从所述开口露出；
提供封装基板，包括多个连接垫及接地垫；
将装有芯片的屏蔽罩安装到所述封装基板上，所述电极垫与所述连接垫一一对应电性连接，所述接地端与所述接地垫对应电性连接。
10.如权利要求9所述的封装结构制作方法，其特征在于，所述封装结构制作方法还包括在所述芯片与所述封装基板之间及所述端部与所述封装基板之间填充底胶，以将所述芯片及屏蔽罩固设在所述封装基板上。