技术总结
本发明公开了一种半导体器件的制造方法和测试电路，该方法包括：提供具有有源区和非有源区的半导体基底；在半导体基底有源区形成源极、栅极和漏极；在半导体基底非有源区表面形成场氧化层；在场氧化层表面形成至少一对PN结结构和第一多晶硅结构，至少一对PN结结构作为静电防护单元，第一多晶硅结构作为多晶硅熔线；在静电防护单元、多晶硅熔线和有源区上形成介质层并在介质层中制作多个接触孔；金属填充多个接触孔，并制作静电防护单元、多晶硅熔线和有源区的源极、栅极和漏极的金属互连，其中，静电防护单元和多晶硅熔线相互串联后再并联于源极和栅极之间。本发明有效检测了半导体器件中晶体管的真实电参数和静电防护单元的电参数。
技术研发人员：张雨;岳玲
受保护的技术使用者：无锡华润华晶微电子有限公司
文档号码：201510470867
技术研发日：2015.08.04
技术公布日：2017.02.22